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了称之为钝化发射极及背部多晶硅氧化物选择性接触(PERPloy)的新型结构的硅电池，取得了超过22%的转化效率。ISFH研究所Hasse等采用N型硅片衬底制备POLO电池，他们改善了POLO太阳电池的
的重要条件。对于新型的无掺杂硅异质结电池，2014年，Islam等采用金属氧化物作为新型载流子选择性钝化接触层，降低了载流子在PN结中的损失，同时改善了与金属接触的电压降损失，模拟计算的极限效率

发射极的钝化，由于ALD法沉积的薄膜在较薄的情况下即可达到良好的钝化效果，对电池正面的光学性质影响较小，ALD方式沉积Al2O3薄膜越来越多的用于N型电池P+发射极的钝化。 2.4电池表面钝化接触
的氧化层和重掺杂的多晶硅层组成，可以实现载流子的选择性通过，多子可以穿透这两层钝化层，而少子则被阻挡，可以实现电池整面的钝化接触，提高电池的转换效率。基于TOPCon结构的电池，Fraunhofer在

Emitter and Rear Cell Structure(钝化的发射极和背面电池结构)，在对发射极进行钝化的基础上，通过背面钝化来进一步提升效率。为实现铝背场和Si衬底的良好的接触，PERC电池的背面
。形成载流子选择性传输层，使得光生载流子只能在吸收材料中产生富集，然后从电池的一个表面流出，从而实现种载流子分离，提高光电转换效率。HIT电池结合了薄膜太阳能电池低温制造工艺的优点(相较于传统的高温

在光伏电池片的技术路线发展过程中，效率提高是永恒的主题。目前P型单多晶PERC电池片技术已成为市场上的主流，而选择性发射极技术(selective emitter, SE)因其提高转化效率、与
680mv，较非SE电池效率提升0.4%。摩尔光伏实验数据显示，通过优化激光掺杂选择性发射极太阳电池制备工艺，采用SE技术后，既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命

选择性杂质工程处理，可以将低质量n-型硅片的开路电压从650 mV提高到730 mV。UNSW将在报告中介绍吸杂和氢钝化的影响效果以及创造低质量低成本硅太阳能电池的潜能。在已完成的n-型硅
也许也会在n-型硅中出现。通过控制烧结条件和扩散发射极层，UNSW找到了在n-型硅中诱导和调整光热衰变缺陷的方法。基于这些方法，他们将在报告中讨论这些发现对于n-型和p-型晶体硅的技术发展意义。

)、P3(MCCE+DWS)、P4(多晶硅PERC)、P5(下一代多晶硅)。在现有平均效率超过20%的P4产品基础上，下一步将整合先进技术(包括双面发电、选择性发射极、多主栅和浆料优化等
POCl3扩散以形成n+-Si发射极。然后在下一步移除磷硅酸盐玻璃(PSG)和清除电池背面。图一：分别展示了传统多晶硅电池(左)和CSI的高效多晶硅PERC电池(右)的工艺流程。使用原子层沉积

，Sunpower研发的第三代IBC电池最高效率已经达到25%。应用层选择性激光工艺来制造POLO-IBC电池，功率转换效率已经达到26.1%，这是P型晶体硅太阳能电池的世界纪录效率。 2.产业趋势
得到大幅降低，异质结技术路线将取得长足发展! 三、PERL电池 PERL(钝化发射极背部局域扩散)(Passivated Emitter and Rear Locally-diffused)电池

%，多晶高效电池最高转换效率可达20.2% 选择性发射极 (SE)技术的开发，可增加电池效率 0.2%-0.3% 组件可量产 275-290W 功率的高效多晶组件(60 片)和 300W-310W
：多晶硅产能已达2万吨电池片：包括位于合肥的2.4GW多晶电池及位于成都的3GW高效单晶电池，上半年电池产销量约3GW，同比增长66% 2. 产品技术钝化发射极背接触(PERC)单晶电池