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更具效率优势：PERC 电池(钝化发射极和背面电池)起源于上世纪 80 年代，并自 2015 年开始逐步市场化。PERC 电池通过在电池背面增加钝化层，阻止载流子的复合行为，减少电损失，同时增强
%的转换效率提升，与现有 PERC 产线兼容性较高，已成为主流标配技术：PERC+SE 技术以扩散后的 PSG 层为磷源，利用激光可选择性加热的特性，在电池正表面电极位置进行磷的二次掺杂，形成选择

硅片寿命的损伤; 2) 低压硼扩选择性掺杂技术硼源在炉管内及硅片表面分布更加均匀，扩散后方阻均匀性好。另外沉积时间短，可将工艺时间缩短至 90 分钟以内，显著降低高温对硅片寿命的损伤; 3
表明，基于载流子选择性的概念对太阳能电池的理论效率进行分析，采用钝化接触电池结构，如TopCon 此类电池的极限效率是28.2%~28.7%，高于异质结(27.5%)和perc(24.5%)，非常接近

、降低制备成本并提高晶圆基板的使用寿命;利用先进电池模块原型制造设施，来提高发射极和背面钝化电池(PERC)制造工艺水平，降低生产成本;针对背接触的CdTe太阳电池开发高性能背接触材料和工艺，以在减少
电池性能;III-V族太阳电池衬底的回收再利用技术研发，降低制造成本;开发高性能的发射极和背面钝化CdTe电池，并研究其局域的载流子动力学行为;开发新型、低成本、环保型的天然石英石转变高纯硅的生产技术

大规模生产，这些技术可为双玻、多栅线和半切组件配置所用。所有这些都在将高效产品推向主流批量生产市场。各种n型电池(例如nPERT和选择性发射极)以及异质结(HJT)技术已经逐步在市场上找到了立足点
强调称，太阳能行业正在经历重大的技术变革，特别是向PERC(钝化发射极背面电池)的转变以及最近从多晶硅片向单晶的转移。由于这些发展，让采用高效p型单晶PERC、双面电池、半切和叠瓦技术的组件开始了

技术或成为下一个技术风口。据悉，通过集成选择性发射极(SE)技术、先进浆料与金属化工艺等，2019年PERC电池量产效率已经达到22.5%以上。为实现更低的生产成本，制绒与背面抛光工艺、背钝化工艺
、激光工艺、导电浆料与金属化工艺的供应商们持续改进技术和设备，以提升设备生产能力和在线率，并降低物料和能量消耗。与此同时，选择性发射极、多主栅和隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)等技术也正在被引入

Silicon PV的报告会上基于载流子选择性的概念从理论上对不同结构太阳能电池的理论效率极限做了细致的分析，结论是钝化接触电池(例如TOPCon电池)具有更加高的效率极限(28.2%~28.7%)，高于HIT
是1954-1960年晶硅太阳能电池刚研发出来的几年内以及1985-2000年前后。前者发射极没有钝化(un-passivated emitter)，效率提升(从5%到15%)更多得益于光学方面的改善;后者

选择性发射极(iveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合
磷硅玻璃层作为掺杂源进行激光扫描，形成重掺杂区。激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线，工艺上只需增加激光掺杂一个步骤，从设备上来说，只需增加掺杂用激光设备，与常规产线的工艺及设备兼容性很高，是行业研究的

选择性发射极(selectiveemitter,SE)太阳电池，即在金属栅线与硅片接触部位及其附近进行高浓度掺杂，而在电极以外的区域进行低浓度掺杂。这样既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面
是采用扩散时产生的磷硅玻璃层作为掺杂源进行激光扫描，形成重掺杂区。激光掺杂选择性发射极太阳电池生产线，工艺上只需增加激光掺杂一个步骤，从设备上来说，只需增加掺杂用激光设备，与常规产线的工艺及设备兼容性