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进一步优化其生产工艺、提高晶体硅电池片效率、降低生产成本，此前已有诸多研究，20世纪80年代，澳大利亚新南威尔士大学光伏实验室提出了PERC结构太阳电池，打破了当时晶体硅太阳电池转换效率的记录，也是目前
唯一产业化的高效太阳电池技术。PERC电池在常规电池基础上增加了背面Al2O3/SiNxHy层叠钝化与激光开孔工艺。利用Al2O3薄膜的场钝化效应与SiNxHy薄膜的氢钝化效应将硅片的有效载流子寿命由

、天合、林洋等。其他技术路线： HJT生产工艺已不同于常规晶硅电池技术，需薄膜技术支持，所需设备也大不相同;p-PERT作为p-PERC的替代方案，推广范围及产能均不大;n-PERC尚处在研究中
功率损失。温度会对太阳能晶硅电池的开路电压、短路电流、峰值功率等参数产生影响，温度升高1℃，峰值功率损失0.35% ~ 0.45%。双面电池的背面是高透光的SiNx材料，红外光线可以穿透电池，不被

采光顶铺装面积：约7000 m 装机容量：240 kWp 年发电量：223.6 MWh 银川火车站光伏应用：风雨棚一体化电池类型：单晶硅电池 建成时间：2011年12月
装机功率：45 kWp 建成时间：2008年10月光伏应用：屋顶电池类型：非晶硅薄膜电池光伏面积：2200 m 装机功率：103 kWp 年发电量：67 MWh

体系、ISO14001环境管理体系等认证。 2.所申报产品应通过相关机构检测或认证，同时满足工信部《光伏制造行业规范条件》(2018年本)规定的转化率和质量要求，多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换
效率分别不低于16%和16.8%;硅基、铜铟镓硒、碲化镉及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%;含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的光伏逆变器

生产线、测试设备、玻璃清洗设备、结线/焊接设备、层压设备等薄膜电池板生产设备：非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化电池DSSC生产技术及研究设备 B
、太阳电缆等 D、光伏原材料：硅料、硅锭/硅块、硅片、封装玻璃、封装薄膜、其他原料 E、光伏应用产品：灯类产品、供电系统、移动充电器、水泵、太阳能家居用品及其他太阳能产品 F、光伏工程及

，薄膜太阳电池研究组组长整理人：王凯强能见研究员这篇文章将解答三个问题：一是光伏产业产能到底有没有过剩? 二是光伏能不能做的更便宜?能不能满足我国电力的需求? 三是未来哪一种光伏技术有
三方面都不是问题，并且具备了很多优势。在产业化方面，传统碲化镉薄膜太阳能电池组件尺寸是1.2米0.6米，从去年开始FirstSolar发布第六代、功率达到420W的以上组件产品，尺寸达到1.2米

，推进全产业链的原辅材、产品制造技术、生产工艺及生产装备国产化水平提升。在光伏发电方面重点支持PERC技术、N型单晶等高效率晶体硅电池、新型薄膜电池的产业化以及关键设备研制;太阳能热发电重点突破高效率
太阳能资源好、土地资源丰富地区，研究论证并分阶段建设太阳能发电与其他可再生能源互补的发电基地。优势产业集聚重点支持高效晶硅、新型薄膜技术产业化发展山东省以推动我国太阳能产业化技术及装备升级为目标

的项目; 2、项目已经验收合格并投产; 3、项目已并网或并网运行满1年; 4、项目采用的光伏组件转换效率应达到先进水平。单晶硅电池组件转换效率不低于16%;多晶硅电池组件转换效率不低于15
%;薄膜电池组件转换效率不低于8%，其中铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池组件转换效率不低于12%。项目建设单位须为在广州市辖区内依法登记注册、具有独立法人资格的企业、事业单位。采取后补贴方式，在

非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜，最后制备金属栅极。 HIT太阳能电池的优势低温工艺由于使用a-Si构成PN结，所以能在200℃以下的低温完成整个工序，远低于传统晶硅太阳电池的形成
温度(~900℃)。低温制造工艺可以有效减少热应力对膜产生的变形影响，加上两侧对称的非晶硅薄膜构造，电池基底的热损伤大大降低，有利于实现晶片的轻薄化和高效化。高稳定性 HIT太阳电池Voc越高

摘要:随着晶体硅太阳电池技术的不断发展，硅片的厚度不断降低，电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要。本文介绍了表面钝化膜在晶体硅太阳电池中的应用，以及几种晶体硅电池表面钝化方法，包括
等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化，并分别介绍了它们在应用上的优缺点。分析了制备钝化膜过程中存在的问题，并提出了相应措施及发展趋势。表面钝化技术是提高晶体硅电池

Solar碲化镉薄膜组件发电效率再次破世界纪录，达到22.1%，而中国某光伏企业创造的单晶PERC组件效率最新世界纪录是20.41%; (3)温度系数低：碲化镉电池的温度系数在-0.21%/℃左右，而
晶硅电池的温度系数在-0.45%/℃左右。在光照较好的地区，组件温度会达到50℃，夏天甚至会达到70℃以上，温度系数对发电量影响很大。 (4)弱光效应好：由于碲化镉是直接间隙材料，对全光谱吸收都

成组件)实施保障性关税，以保护本国产业免受进口产品的严重损害。 2) 2018年1月，保障措施总局发布公告，宣布对光伏保障性关税的初步调查结果，同时提出建议对进入印度的太阳能光伏产品(包括晶体硅电池及
组件和薄膜电池及组件)征收70%的从价税作为临时保障性关税，为期200天，而在同年4月又对外宣传取消该建议实施。 3) 2018年6月，印度工商局下属的贸易救济总局(DGTR)再次就关于进入印度的

。 0 引言随着能源日益紧张，环境保护越来越迫切，可再生绿色能源越来越受到人们的关注。硅太阳电池是研究热点之一，也是目前唯一产业化的太阳电池。为了进一步优化其生产工艺、提高晶体硅电池片效率、降低
基础上增加了背面Al2O3/SiNxHy层叠钝化与激光开孔工艺。利用Al2O3薄膜的场钝化效应与SiNxHy薄膜的氢钝化效应将硅片的有效载流子寿命由10～20s提高到100～120s，同时利用激光对

),开路电压(Voc)降低，使得组件的性能低于设计标准，发电能力也随之下降。2010年，NREL和Solon证实了无论组件采取何种技术的P型晶硅电池，组件在负偏压下都有PID的风险。图 1
变化目前光伏行业内解决PID的方法，主要采用优化光伏组件电池材料，使用密封性更好的封装材料和薄膜发电组件负极接地的方式，另外还有附加PID修复装置的做法。 PID修复装置与逆变器直流输入并联，在