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Oxide Passivated Contact)太阳能电池技术，其电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金
核心技术是背面钝化接触，硅片背面由一层超薄氧化硅(1~2nm)与一层磷掺杂的微晶非晶混合Si薄膜组成。钝化性能通过退火过程进行激活，Si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化，由微晶非晶混合相转变为多晶。在

单晶替代多晶、P-PERC 替代常规单晶的技术迭代。其中常规单晶电池是铝背场电池，在硅片的背光面沉积一层铝膜;P-PERC 电池通过引入背钝化和开槽接触工艺，在电池背面形成背反射器，减少入射光损失
，但背面开槽处金属接触区域增加额外的复合电流;N 型电池技术路线繁多，其中 N-PERT 是 P-PERC 技术的改进型，在形成钝化层基础上进行全面的扩散，加强钝化层效果;TOPCon 在电池表面

电池技术能够帮助行业完成最后一公里的电池成本下降。对于当下已经接近平价的阶段，领跑者等项目的作用在减弱，资本方会引领新技术的发展。PERC在背面加入钝化结构，其短板是正面、所以加入热氧化和SE，目前又再
一次面临瓶颈。航天光伏技术总监沈禛珏表示： MILKYWAY PLUS+异质结新产品电池相较于其他电池由于其独特的双面对称结构及非晶硅层优秀的钝化效果，具备着转换效率高、双面率高、几乎无光

的太阳光量，靠预测无法增加产量。因此，Q CELLS开发出"Q.ANTUM"，利用减少光电转化过程里产生的损失加大发电量。Q.ANTUM技术在太阳能电池背面适用了背钝化技术(PERC，Passive
Emitter Rear Contact)。背钝化技术就是在太阳能电池背面安装镜面结构，其并不使太阳能发电，只捕获已经穿过的光线令其反射到镜面，使通过镜面反射出来的光线重新被太阳能电池吸收，用于

激光开槽是利用激光在硅片背面进行打孔或开槽，将部分AL2O3与SiNx薄膜层打穿露出硅基体，背电场通过薄膜上的孔或槽与硅基体实现接触。 1.3激光加工过程 1. 通过热激发或光激发产生导
实验样品实验选取的样品采用成熟的PERC技术，每组样品激光处开槽处理之前工艺完全相同，且背面SixNy颜色相近(SixNy颜色随着厚度呈周期性变化)，以保证实验样品的一致性和实验数据的准确性

三洋公司于1990年成功开发，因HIT已被三洋注册为商标，因此又被称为HJT或SHJ。HIT电池同样是基于光生伏特效应，只是P-N结是由非晶硅(a-Si)和晶体硅(c-Si)材料形成的(背面的高低结亦然
太阳能电池以及PVD工艺高转化率硅片太阳能电池，其中硅片涂覆型太阳能电池的生产不使用溅射靶材，目前靶材主要用于太阳能薄膜电池领域，而HIT作为PERC(钝化发射极及背局域接触电池)未来的替代技术，有望实现

。 HJT电池的特点与优势 ◇ 结构对称，正背面受光后均可发电典型的结构如图1所示。在封装为双面电池后，可获得近10%发电增益。图1　HJT电池结构 ◇ 较长的少子寿命受益于本征
非晶硅的良好对缺陷的钝化以及更大的禁带宽度，电池的开路电压高。 ◇ 温度和光照稳定性好 HJT电池温度系数小，在弱光和光照升温条件下输出特性衰减较少，无Staebler-Wronski效应，几乎

目前主流的晶硅电池中，单晶PERC电池效率提升显著，并且与现有产线高度兼容，仅需要新增背面钝化和激光开槽形成背面接触两个环节，技术改进简单，成本增加有限，具有明显的竞争
，是目前市场主流产品。 PERC激活P型潜力，效率提升明显。PERC技术通过将电池背表面介质膜钝化，采用局域金属接触，实现背表面电子复合速度的降低以及提高光反射，从而提升发电效率。在

解决组件重量痛点)，在背面发电增益和更优异的耐候性能完全赠送的情况下，电站投资商对其接受度也将快速提升。光伏玻璃竞争格局清晰，龙头份额快速提升中，类似三年前的单晶硅片：1)龙头凭借技术、资源、规模
2016年左右的单晶类似，临近拐点：目前双面组件单瓦价格仍略高于单面组件，但考虑背面发电增益的度电成本已优于单面组件，然而这种度电成本优势因涉及较多参数假设而不易获得投资商认可。我们判断光伏薄玻璃价格逐步

等离子轰击的硅片退火，激活掺杂的原子，消除晶格损伤; d. 激活氮化硅膜(SiNx.H)中的氢离子，使之钝化硅片内部晶格缺陷。 4.3 正银烧结效果图 4.4 背场烧结效果图
4.5 烧结对电池片的影响 a. 银浆的烧结很重要，对电池片电性能影响主要表现在串联电阻和FF的影响; b. 铝浆烧结可形成良好的欧姆接触; c. 背面场经烧结后形成铝硅

四面体结构，晶体中多了1 个氧的负电荷，可将p 型电池的少子( 电子) 反射回去减少复合，实现电池背面的有效钝化。峰值温度过高将导致Al-O4减少，氧化铝浆料烧结温度通常低于金属化烧结温度，介质
太阳电池。采用背抛光结合氧化铝/ 氮化硅叠层钝化制备的电池的短路电流比黑硅多晶太阳电池提升了0.372 A;少子寿命达到33 s，开路电压提升了15.2 mV;激光开槽造成电池背面钝化层损伤，降低

产线上升级改造，可延续存量产能使用寿命 TopCon 电池：基于N 型硅衬底，前表面采用叠层膜钝化工艺，背表面采用基于超薄氧化硅和掺杂多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构，可双面发电。得益于超薄氧化硅和掺杂
多晶硅的隧穿氧化层钝化接触结构的应用，两者形成接触钝化结构，可以大幅提升 N 型电池片的 VOC 和转换效率。另外根据《中来股份 N 型单晶双面 TopCon 技术与产业

池时代。目前，常规 Al-BSF 单晶电池的效率大概是 20-20.3%，对应的组件功率为 280W，主要的效率损失来自于背面全金属的复合。因此，背钝化电池结构 PERC 应运而生，与常规电池
相比， PERC 电池背面增加了氧化铝 AlOx，氧化硅 SiOx 和氮化硅 SiNx 等钝化叠层，因此电池的表面复合速率大大的降低，电池的开压 VOC 可以提升 15-20mV。而且，由于背面钝化