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效率量子点太阳能电池项目里碳化硅介质中嵌入硅量子点的新一代电池研究。格林教授在国际上学术组织担任职位，参加会议特别多，但是特别注重研究的细节、只要在学校，哪怕一个研究生汇报课题都要去听。慕名而来的求教者
科研方向有比较清晰的了解。提高晶硅电池的效率，无非是减少复合、提高钝化性能。晶硅电池在半导体中是相对比较简单的一种器件，但是要做到高效、低成本还是非常有挑战性的。赵建华说。门徒的烦恼长久以来，作为

、国家基金委等专项、重大科研项目，开展了2-4英寸SiC半绝缘、导电型晶体生长技术研究，建立了PVT晶体生长平台，开发了碳化硅晶片的精细加工、表征和器件研发成套技术。最后，上海硅酸盐研究所所长罗宏杰向
索比光伏网讯:9月26日，全国人大常委会副委员长路甬祥亲临上海硅酸盐研究所视察，先后参观了中国科学院上海硅酸盐研究所索尼联合实验室、中国科学院上海硅酸盐研究所康宁联合实验室、和碳化硅晶体项目部，实地

博士学位和完成博士后研究后，宋登元加入到马丁格林第三代光伏电池的研究项目中，领导了超高效率量子点太阳能电池项目里碳化硅介质中嵌入硅量子点的新一代电池研究。　　“格林教授在国际上学术组织担任职位，参加会议
我们对晶硅电池的科研方向有比较清晰的了解。提高晶硅电池的效率，无非是减少复合、提高钝化性能。晶硅电池在半导体中是相对比较简单的一种器件，但是要做到高效、低成本还是非常有挑战性的。”赵建华说。　　门徒的

取得博士学位和完成博士后研究后，宋登元加入到马丁格林第三代光伏电池的研究项目中，领导了超高效率量子点太阳能电池项目里碳化硅介质中嵌入硅量子点的新一代电池研究。格林教授在国际上学术组织担任职位，参加会议
减少复合、提高钝化性能。晶硅电池在半导体中是相对比较简单的一种器件，但是要做到高效、低成本还是非常有挑战性的。赵建华说。　　门徒的烦恼长久以来，作为师傅的马丁格林与中国光伏业界的新南威尔士大学帮

损耗与开关损耗及高可靠性等优点。随着高能效的功率变换技术不断引入，新一代的IGBT、超级结MOSFET和碳化硅二极管的使用，使得效率的标杆不断被刷新。一般来说，在逆变器系统设计中，选择IGBT器件的
器件的需求将大幅增加。德州仪器半导体事业部C2000业务拓展经理陈思儒描述了逆变器半导体市场的水涨船高。　　逆变器市场走高由于功率的要求不一，大型光伏发电的发电功率较大，从几百千瓦到几个兆瓦，逆变器主要

联合研发中心学术委员会同时成立。据悉，该研发中心将致力于以碳化硅功率器件为主的新型“绿色中国芯”研发，全力打造强大的新型电力电子器件研发与产业平台。中国南车株洲所所长、教授级高级工程师丁荣军表示
春甜研究员表示，此次新型电力电子器件联合研发中心正式揭牌是实质性推进双方战略合作协议签订后的一项重大举措，希望通过与企业的合作，推动电力电子技术向更高的技术方向迈进。记者了解到，碳化硅电力电子器件具有

再生能源电力并网损耗降低50%，例如光伏逆变器。这将有待于利用基于碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）的创新半导体器件实现。　　这些新型半导体器件未来还可用于台式机和笔记本电脑
始于2006年。NEULAND研究将揭示氮化镓器件在可靠性、易用性和成本方面达到或超越现有碳化硅器件的各种应用。这为消费类电子产品大幅降低能耗铺平道路。　　项目合作方将涵盖产业链多个领域的出类拔萃的

IGBT和碳化硅二极管PrimePACK模块，规格为600A 1200V。这些功率器件有助于推动100KW以上的太阳能逆变器效率达到一个更高的水平。此外，英飞凌的构槽栅场终止技术FieldStop
。英飞凌科技(中国)有限公司家电及工业功率器件市场经理陈子颖特别强调提高太阳能发电系统的要点在于逆变器。尽管近年来太阳能电池制造企业一直致力于提高太阳能电池的光电转换效率，但是就2010年2月太阳能电池的

成品率。为了解决此问题，线切生产部根据实际情况，组织技术人员对生产工艺和相关器件进行改造。他们连日加班摸索解决方案，历时数月的不断努力后，终于减少了砂浆中的大颗粒碳化硅及杂质。据该项目负责人说，新的生产工艺，使线痕片、刀痕片等一系列不合格片的比例下降了0.5%，极大的提高了硅片成品率。

；而这些石英砂若被加工成浮法玻璃、熔融石英、硅微粉、碳化硅、太阳能玻璃、石英管、多晶硅、单晶硅后，其身价可从 2000元/吨一路飙升至300万元/吨。精美的石英会发光据了解，目前，我市
；并围绕光伏产业配套引导发展太阳能光伏电池基板用超白玻璃、太阳能半导体配套元器件等产品项目。三是突出太阳能光伏发电示范功能，建设一批与河源城市建筑一体化的并网太阳能光伏发电站和景观

大功率风力发电和太阳能发电与我们平常所熟悉的便携式电子设备的一个最大不同是，它需要能在高达几千伏电压和上千安培电流的环境下正常工作的大功率器件，它带来的技术挑战也与消费电子设备完全不同，为了更好地
帮助读者了解这一特殊应用领域的独特技术挑战和把握这方面的商机，本刊特别采访了目前在IGBT和MOSFET等大功率器件领域全球领先的供应商IXYS的副总裁Bradley Green。当前随著中国政府加大对

技术快速发展以前，西北地区的硅石只能生产铁合金、碳化硅等低附加值产品，没有多少经济效益可言。现在，中国已经有５０多家企业到硅产业领域投资，规模已经达到１００多亿美元，以前每吨只能卖２美元的硅石，经过
，在技术上逐步从生产太阳能电池级多晶硅向电子器件级多晶硅转化。巨大的资源优势不仅使中国西北地区的硅石资源成为香饽饽，还为中国的绿色环保发电提供了条件。目前中国多晶硅的产能已经达到１０万吨，一些企业正在

采用吸杂、钝化、背场等技术。近年来吸杂工艺再度受到重视，包括三氯氧磷吸杂及铝吸杂工艺。吸杂工艺也在微电子器件工艺中得到应用，可见其对纯度达到一定水平的单晶硅硅片也有作用，但其所用的条件未必
一定量的氧，对大多数半导体器件来说影响不大，但对高效太阳电池，氧沉淀物是复合中心，从而降低材料少子寿命。区熔法可以获得高纯无缺陷单晶。常规采用内圆切割（ID）法将硅锭切成硅片，该过程有50％的硅材料损耗