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逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的 HELiA PECVD 及沉积电池正反面
正反面制绒 02、等离子体增强化学气相(PECVD) 沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，沉积反面沉积本征非晶硅膜( i-a-Si:H )和p型

异质结电池来说，藉由逐步使用薄片化硅片来达到提效降本的功能成为可能。工艺流程简单异质结电池的另一项优势在于工艺步骤相对简单，以梅耶博格所开发的整合沉积正反面非晶硅薄膜的
如下： 01、制绒清洗机：电池正反面制绒 02、等离子体增强化学气相(PECVD) 沉积正面本征非晶硅薄膜( i-a-Si:H)和 n型非晶硅薄膜( n-a-Si:H)，沉积反面沉积本征

(低于 200℃)，可降低制造流程中的能耗及对硅片的热损伤;6)温度系数低，在高温及低温环境下均具备较好的温度特性。以 N 型硅片为衬底，经过制绒清洗后，在正面依次沉积 5-10nm 本征非晶硅薄膜
和掺杂 P 型非晶硅薄膜，与硅衬底形成异质结，背面通过沉积 5-10nm 的本征非晶硅薄膜和掺杂 N 型非晶硅薄膜形成背表面场。在掺杂非晶硅薄膜表面沉积 TCO 透明导电氧化物薄膜，最后在正背表面

减少了扩散、刻蚀及烧结 3 个步骤，核心工艺为非晶硅薄膜沉积，PECVD 中非晶硅的生长可以看作是含硅的基团在衬底表面上的扩散与吸附，包括本征非晶硅的沉积与钝化以形成高质量的异质结面钝化层、掺杂非晶硅
沉积(N 型)以形成发射极和背表面场、TCO 沉积以提供高导电率的电荷输运通道。异质结整个生产工艺主要为制绒、非晶硅薄膜沉积、丝网印刷、分选四个步骤。 3、降本空间大使用

技术路线，是在N型单晶硅片上镀非晶硅薄膜来实现电池的高转换效率。目前，钧石能源实际量产规模为600MW，后续合作中大规模生产能否顺利进行，存在不确定性。异质结(HIT/HDT)是N型电池的技术路线
之一，在晶体硅上沉积非晶硅薄膜的独特构成，使其综合了晶硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率光伏电池的热点方向之一。目前行业内关注并研究异质结电池技术的企业有日本松下(量产规模1000MW)、美国

太阳能电池，是在晶体硅上沉积非晶硅薄膜，综合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率硅基太阳能电池的重要发展方向之一。HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。相比于传统的太阳能电池， HIT电池的在效率

薄膜太阳能电池的产品类型主要包括晶体硅薄膜太阳能电池、非晶硅薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池和CdTe 薄膜太阳能电池等。虽然这些太阳能电池占据了柔性薄膜太阳能电池大部分的市场份额，但这些
太阳能电池的光电转换效率都相对较低，在一个太阳常数条件下 (AM0)，就算是光电转换效率最高的晶体硅薄膜太阳能电池，其光电转换效率也很难突破 25%。而且材料本身特性对光电转换效率有限制作用，无论是

10GW的异质结电池生产线项目。山煤国际称，钧石能源HDT技术属于异质结电池技术路线，是在N型单晶硅片上镀非晶硅薄膜来实现电池的高转换效率。目前，钧石能源实际量产规模为600MW，后续合作中大
规模生产能否顺利进行，存在不确定性。异质结(HIT/HDT)是N型电池的技术路线之一，在晶体硅上沉积非晶硅薄膜的独特构成，使其综合了晶硅电池与薄膜电池的优势，是高转换效率光伏电池的热点方向之一。目前

。异质结电池结构和生产工序。异质结电池以N型硅片做衬底，先清洗干净制作金字塔绒面，然后再两侧分别沉积本征非晶硅薄膜，起到钝化硅片两侧悬挂键的作用，然后再接着沉积掺杂非晶硅，制成PN结，PN结就是
光伏电池的发电结构，由于非晶硅薄膜横向导电性不好，如果直接在非晶硅薄膜上印刷电极，会有部分电流无法收集，所以还需要在非晶硅薄膜两侧沉积一层金属氧化物导电层，英文缩写是TCO，说的简单点就是一层透光性很好的

转换效率突破25%：含本征非晶硅薄膜的非晶硅/晶体硅异质结(HIT/HJT)电池由于非晶硅薄膜优秀的钝化效果，转换效率近年在晶硅电池中位居前列，纯HJT电池的实验室转换效率已达到25.11%。异质结是
异质结电池则是指p-n结由非晶硅和晶体硅两种材料形成的电池，其中含本征非晶硅薄膜的异质结电池(Heterojunction with Intrinsic Thin-Layer，HIT/HJT，下称

不仅带来了额外的设备投资要求，还对生产电池片的良率和生产效率造成一定程度的影响。 HJT电池优于PERC电池的之处在于非晶硅薄膜的沉积，故也导致了两者制备工艺上最大的不同。虽然PECVD作为沉积镀膜的
200MW产线)。非晶硅薄膜沉淀设备：HWCVD设备主要厂商为ULVAC;PECVD设备主要供应厂商为梅耶博格、应用材料、理想万里晖、钧石。迈为股份和捷佳伟创已有CVD产品储备，仍在试验中。国内的

，并在电池顶部设计透明导电的TCO薄膜：(1)非晶硅层可有效降低表面悬挂键的密度，从而达到良好的界面钝化作用;(2)TCO薄膜可以实现导电、减少反射、同时保护非晶硅薄膜等重要作用。HJT电池具有开路
电压高、温度系数低、结构对称、能耗低、光照稳定性强、双面发电等优势，从而使得HJT电池具有更强的发电能力;在后续的优化中，HJT与IBC已经有了结合案例，未来与钙钛矿结合也值得期待。非晶硅薄膜沉积