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5月10日，记者来到徐州经济技术开发区江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，见到省双创人才、保利协鑫能源控股有限公司长晶事业部技术副总裁游达博士时，他正指导技术人员进行炉型升级，g6铸锭炉升级为g7新炉型
为主要因素，多晶技术仍然蕴藏巨大潜力。目前小众的单晶技术将受益于更大单晶炉型及热场的推广、电镀金刚线切割工艺的导通及在此基础上单晶硅片薄片化工艺、一炉三棒等先进工艺。这两年保利协鑫硅片产量提升的原因在于精细化

5月10日，记者来到徐州经济技术开发区江苏协鑫硅材料科技发展有限公司，见到省双创人才、保利协鑫能源控股有限公司长晶事业部技术副总裁游达博士时，他正指导技术人员进行炉型升级，g6铸锭炉升级为g7新炉
仍然蕴藏巨大潜力。目前小众的单晶技术将受益于更大单晶炉型及热场的推广、电镀金刚线切割工艺的导通及在此基础上单晶硅片薄片化工艺、一炉三棒等先进工艺。这两年保利协鑫硅片产量提升的原因在于精细化管理和工艺技术

近日，由中国工程院、中国有色金属工业协会主办的2016年（第三届）新能源材料高峰论坛在成都召开。保利协鑫长晶事业部研发总监汪晨在本次论坛的硅产业分会发表报告，对我国多晶硅片产业市场环境、技术走向及
接受程度的提升将成为主要因素。单晶硅片将受益于更大单晶炉型及热场的推广、电镀金刚线切割工艺的导通及在此基础上单晶硅片薄片化工艺，一炉三棒工艺预计会更加普及。汪博士以保利协鑫的技术进步作介绍

LID光衰情况。减少单晶原料的衰减可以考虑一下方法，A.模仿多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现
在高温时与硅溶液反应，生成SiO2，这样使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰

多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。　　4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了
使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤

原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚，石英坩埚在高温时与硅溶液反应，生成SiO2，这样使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子
寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。　　多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走

2015年5月也宣布将在宁夏投资10GW的单晶项目;全球规模最大的高效单晶产品量产化供应商隆基股份已在银川布局3GW单晶硅棒切片项目，并持续并购和更新建设单晶电池、组件生产线，在未来3-5年进一步扩展
对比数据【单晶VS多晶】一、材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与