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形式，到第二代非晶矽、砷化镓（GaAs）等其它半导体材料，以薄膜化或多接面串接来提升转换效率，逐渐进化到强调低成本、制程设备与原料取得容易，且可弯挠的第三代太阳能电池，而其中以「染料敏化太阳能电池
」（DSSC）发展最被看好。1991年第一个能源转换率8%的DSSC染料敏化太阳电池由Graetzel于Nature期刊上发表，其结构上大致是由两片ITO或FTO导电玻璃层内，以奈米尺寸的TiO2二氧化钛颗粒

，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P-N结。当光线照射太阳能电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅
太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。生产过程大致可分为五个步骤：a、提纯过程b、拉棒过程c、切片过程d、制电池过程e、封装过程。太阳能电池的应用上世纪60年代，科学家们就已经将太阳电池应用于空间技术

理论将显著改变未来太阳能电池的面貌，我们将生活在一个太阳能电池非常便宜而且高效的世界中。”　　上世纪60年代，砷化镓太阳电池就已经研制成功，当时的转化率不到10%。尽管几十年来技术一路改进，但单结
　　美国科学家通过与传统科学研究相反的新思路，用砷化镓制造出了最高转化效率达28.4%的薄膜太阳能电池。该太阳能电池效率提升的关键并非是让其吸收更多光子而是让其释放出更多光子，未来用砷化镓制造的

？索拉斯塔公司（Solasta）努力制造一种三维纳米结构（用于太阳电池板），这种结构本应有良好的物理性质，我认为，难点就在于制备。我们不能提出一种技术，以制备我们想要的设备。我们没有时间等待新技术来完成
，用的哪些经验是来自索拉斯塔公司？阿尔塔装置公司正在制作更传统的平板结构。阿尔塔装置公司一开始，就采用绝对完美的太阳能材料，就是砷化镓（gallium arsenide）。它具有的吸收光谱，对于太阳

显眼的头舱罩也加高，并采全透明设计，以压克力一体加工成型，车手视野无死角。受此次比赛新的规定限制，所有队伍皆扬弃以往使用的高单价卫星级砷化镓太阳电池，首次采用地面级的硅晶太阳电池参赛，阿波罗六号
太阳能车团队获友达光电赞助转换效率22%的单结晶背电极太阳电池，并采自行开发的轻质封装技术，应用在已切割的背电极电池模块封装，此关键技术堪称独步全国。此外，为减少风阻，重新开模制作更流线的轮罩及自动开合装置

于新建两条25兆瓦太阳能电池生产线及一条60兆瓦太阳能组件生产线，项目完成后，太阳电池产能将达到100兆瓦，组件产能达到80兆瓦，将成为国内主要太阳能电池生产厂商之一；　　、哈高科（600095
生产、加工设备领域中产品种类最齐全的企业之一。　　7.多元化合物薄膜太阳能电池　　多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。从

1.5亿元，注册资金将达到31300万元，公司增资3589.5万元，仍持有其23.93％股权。增资资金将用于新建两条25兆瓦太阳能电池生产线及一条60兆瓦太阳能组件生产线，项目完成后，太阳电池产能将达到
。 8 下一页余下全文　　7.多元化合物薄膜太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。从固体物理学上讲，硅材料并不是

各种薄膜电池，涵盖碲化镉电池（CdTe）、铜铟镓硒电池（CIGS）、非晶硅薄膜电池（aSi）、砷化镓电池、纳米二氧化钛染料敏化电池等，目前，前三种薄膜电池已实现产业化。　　1、碲化镉属于直接禁带
半导体，能隙值（1.45eV）位于理想的能隙范围内，同时具有很高的吸收系数，因此是高效率的理想太阳电池材料之一。目前工业化生产的模块效率已经达到12%（FirstSolar，2010年）。最近，通用电气

转化效率处于世界先进水平。其中，中电科十八所三结砷化镓太阳能电池组产品光电转化效率达到30%,尤尼索拉、津能三结非晶硅柔性电池组件光电转化效率达到8%,友达光电采用目前全球最成熟的光伏产品技术,其单晶硅N
的光伏产业研发实力和科研转化能力。在研发实力上，目前，新区正在组织有关科研机构开展转换效率20%以上的晶硅光伏电池技术攻关。而中电科十八所在太阳电池、电子控制器等领域的技术优势十分突出，并拥有国家级检测中心。

欧美国家，已通过了优惠的上网电价法，随着具有40%转换效率的Ⅲ-V族半导体多结太阳能电池的普及和成本下降，高倍聚光光伏电池市场进入快速增长期。与前两代电池相比，HCPV采用多结的砷化镓电池，具有宽光谱
效率，因此可以采用高倍聚光技术，这意味着产生同样多的电能只需要很少的太阳电池芯片。多结技术一个独特的方面就是材料——可选择不同的材料进行组合使它们的吸收光谱和太阳光光谱接近一致，相对晶硅，这是巨大的优势。后者

，随着具有40%转换效率的Ⅲ-V族半导体多结太阳能电池的普及和成本下降，高倍聚光光伏电池市场进入快速增长期。与前两代电池相比，HCPV采用多结的砷化镓电池，具有宽光谱吸收、高转换效率、良好的温度特性
只需要很少的太阳电池芯片。多结技术一个独特的方面就是材料——可选择不同的材料进行组合使它们的吸收光谱和太阳光光谱接近一致，相对晶硅，这是巨大的优势。后者的转换效率已近极限 (25%)，而多结器件理论上的

　　乾照光电周二在深交所上市公司投资者关系互动平台上表示，未来公司将继续加大对三结砷化镓聚光太阳电池的研发及生产。　　公司指出，目前很多太阳能电池采用硅、多晶硅为衬底，但硅、多晶硅的使用对资源破坏
%。　　此外公司表示，目前公司生产的三结砷化镓太阳电池主要供应于空间电源及地面聚光，但其产量尚不能满足国内市场需求，所以公司暂时没有考虑开拓国际市场。　　乾照光电主要从事半导体光电产品的研发、生产和销售业务。

世界纪录的Pluto晶体硅太阳能电池2009年8月尚德电力投入生产的Pluto高效太阳能电池，突破了太阳电池常规制造工艺的关键技术瓶颈，打破了沉寂多年晶体硅太阳电池光电转换效率世界记录，经权威的德国
同类产品中唯一成熟工艺。所有设备达世界领先水平。（十）台湾禧通科技：砷化镓太阳能电池聚光型晶片转换效率可达40%以上中国太阳能光伏技术取得的巨大成果，为太阳能产业的发展奠定了良好的基础。作为发展势头良好

的生产工艺上，但效果非常有限。从技术上解决光伏发电的成本问题，已经成为制约行业发展的根本性问题。　通过减少太阳电池在光伏系统中占比的方式来降低成本，也就是聚光光伏技术，被寄予厚望
倍数能超过300倍的话，那么，聚光电池的成本也就与晶硅电池的成本打平了。所以，各企业都在研究放大倍数更高的聚光光伏产品，这样可以节省更多的材料。　聚光光伏发电中的砷化镓聚光电池(也叫多结

太阳能电池转换效率最新的世界纪录是多少？　　42.3%。这是2010年10月6日，美国Spire半导体公司宣布的最新成果。该公司研发的三结砷化镓（GaAs）太阳电池峰值效率达到了42.3
2009年8月生产出的一款实验电池，转换率达到41.6%。　　2010年11月22日，另一项新纪录诞生。Spectrolab宣布，其开发的最新型地面用太阳电池C3MJ+已经开始批量生产，该系

国院士说：70年代末，我国与国际同期开展了砷化镓太阳能电池研究，该电池具有很高的光发射和光吸收系数，1999年，22cm2电池的转换效率达22％。　　1975年宁波、开封先后成立太阳电池厂，电池制造
在15%，同国际水平相差不大。　　1968年至1969年底，半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射

太阳电池低廉而发展迅速。李宗樵指出：为降低太阳能发电系统的价格，增加太阳光强是一个好的解决办法。要想增大光强需要用凸透镜、反光板等把光聚集起来，这样就能大大降低硅与砷化镓的使用量，从而降低太阳能发电系统的
可达26%。据了解，世界上已商业化并开始规模化推广应用的太阳能发电技术主要有4种：硅基太阳电池、薄膜太阳电池、太阳能聚光光伏发电和太阳能聚光光热发电。其中，聚光光伏发电技术因转换效率高、成本低、环保等