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元订单未公告，公司在6月10日停牌一天。复牌后称，公司于2013年4月6日、2013年10月13日与那拉提公司签订了《设备采购及供应协议》，那拉提公司拟向公司采购DRF85A全自动直拉式硅单晶炉106
台、DRF95E全自动直拉式硅单晶炉74台，两次合同的金额共计达1.33亿元，并且，天龙光电已分别于2013年5月、12月发货。　　然而，截至今年6月10日，天龙光电仅收到总计2400万元货款

DRF85A全自动直拉式硅单晶炉106台、DRF95E全自动直拉式硅单晶炉74台，两次合同的金额共计达1.33亿元，并且，天龙光电已分别于2013年5月、12月发货。然而，截至今年6月10日，天龙光电仅
。天龙光电在2012年7月22日与内蒙古锋威光伏科技有限公司(以下简称锋威光伏)签订了《设备采购与供货协议》，规定天龙光电向锋威光伏供应直拉式硅单晶炉、多晶硅铸锭炉等产品，合同的总金额为1.17亿元(含税价

多晶硅片占54.4%，直拉单晶硅片占34.3%，再加上带硅，三者占有总量的85%到90%。转换效率上，薄膜电池较低，其他材料如异质结、多结、背结、高倍聚光电池等虽然其光电转化效率能达到40%以上，但受制
于成本限制等原因，尚难大批量采用。而多晶硅为15%-18%；直拉单晶为18%-20%；区熔法制单晶电池能达到25%以上。但区熔法制单晶电池成本较高，不宜推广。值得一提的是，天津中环半导体股份公司推出的

做到84度电/每公斤。下一步生产线还应加强综合利用。另外，从电池自身的发展来看，主流还是晶硅电池。其中多晶硅片占54.4%，直拉单晶硅片占34.3%，再加上带硅，三者占有总量的85%到90
%。转换效率上，薄膜电池较低，其他材料如异质结、多结、背结、高倍聚光电池等虽然其光电转化效率能达到40%以上，但受制于成本限制等原因，尚难大批量采用。而多晶硅为15%-18%；直拉单晶为18

多晶硅片占54.4%，直拉单晶硅片占34.3%，再加上带硅，三者占有总量的85%到90%。转换效率上，薄膜电池较低，其他材料如异质结、多结、背结、高倍聚光电池等虽然其光电转化效率能达到40%以上，但
受制于成本限制等原因，尚难大批量采用。而多晶硅为15%-18%；直拉单晶为18%-20%；区熔法制单晶电池能达到25%以上。但区熔法制单晶电池成本较高，不宜推广。值得一提的是，天津中环半导体股份公司推出

潜心研发的高效单晶硅技术，即便能实现效率的跨越式提升，最终也可能无法伴随成本的下降。按照中环股份方面的对外介绍，中环股份核心的技术优势是将制造单晶硅片传统的直拉（CZ）技术与公司固有的区熔
（FZ）技术成功耦合成其独创的直拉区熔技术（CFZ），在实验室状态下已实现24%到26%的光电转换效率，并且利用这一优势再与Sunpower已推广应用的C7低倍聚光光伏发电系统融合，在降低系统成本中实现

也可能无法伴随成本的下降。按照中环股份方面的对外介绍，中环股份核心的技术优势是将制造单晶硅片传统的直拉（CZ）技术与公司固有的区熔（FZ）技术成功耦合成其独创的直拉区熔技术（CFZ），在实验室状态下已
直拉单晶和多晶技术提升了效率，但由于其工艺多出了一道工序，则相应增加了设备的产能利用率以及单位单晶硅片的生产能耗。这个道理直观来讲，以前一台炉子能熔炼出一定量的硅片，现在需要两台炉子，产能就相当于下降

研发的高效单晶硅技术，即便能实现效率的跨越式提升，最终也可能无法伴随成本的下降。　　按照中环股份方面的对外介绍，中环股份核心的技术优势是将制造单晶硅片传统的直拉(CZ)技术与公司固有的区熔
(FZ)技术成功耦合成其独创的直拉区熔技术(CFZ)，在实验室状态下已实现24%到26%的光电转换效率，并且利用这一优势再与Sunpower已推广应用的C7低倍聚光光伏发电系统融合，在降低系统成本中实现

高效单晶硅技术，即便能实现效率的跨越式提升，最终也可能无法伴随成本的下降。按照中环股份方面的对外介绍，中环股份核心的技术优势是将制造单晶硅片传统的直拉（CZ）技术与公司固有的区熔（FZ）技术成功耦合成其
独创的直拉区熔技术（CFZ），在实验室状态下已实现24%到26%的光电转换效率，并且利用这一优势再与Sunpower已推广应用的C7低倍聚光光伏发电系统融合，在降低系统成本中实现发电量的提升。尽管

，最终也可能无法伴随成本的下降。按照中环股份方面的对外介绍，中环股份核心的技术优势是将制造单晶硅片传统的直拉（CZ）技术与公司固有的区熔（FZ）技术成功耦合成其独创的直拉区熔技术（CFZ），在实验室
于传统直拉单晶和多晶技术提升了效率，但由于其工艺多出了一道工序，则相应增加了设备的产能利用率以及单位单晶硅片的生产能耗。这个道理直观来讲，以前一台炉子能熔炼出一定量的硅片，现在需要两台炉子，产能就

GT Advanced Technologies Inc.近日宣布，其公司专有的新一代HiCz连续加料直拉技术赢得了一个新项目，可望促进太阳能产业向更高效率及更低成本的太阳能材料过渡。公司与
n型太阳能电池片。HiCz是GT专有的新一代光伏行业的单晶直拉炉，可生产p型及n型单晶晶棒。 HiCz连续加料长晶工艺比传统的间歇式Cz熔炉更具明显优势，使得其更适合n型硅锭生产。HiCz长晶工艺生产

GT Advanced Technologies Inc.（纳斯达克代码：GTAT）今日宣布，公司专有的新一代HiCz连续加料直拉技术赢得了一个新项目，可望促进太阳能产业向更高效率及更低成本的
200熔炉可望生产效率超过22%的优质n型太阳能电池片。 HiCz是GT专有的新一代光伏行业的单晶直拉炉，可生产p型及n型单晶晶棒。 HiCz连续加料长晶工艺比传统的间歇式Cz熔炉更具明显优势