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初期，打开隔热笼，边角长晶速度相对比中心长晶速度快，固液界面呈凹状，熔体中杂质在硅锭中心底部沉积，造成硅锭红外探伤图上出现阴影。通过多晶铸锭炉热场结构的改进及工艺的优化，使得晶体生长初期边角长晶速度变慢
，固液界面的凹度变小，甚至使固液界面变平或微凸，底部杂质向硅锭四周扩散，可消除多晶硅锭中心区硅棒阴影。目前，主流单晶电池企业通过提升单晶硅片发电效率，减小相对多晶的成本劣势，使多晶硅片的主导地位

，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。据介绍，TS+系列硅片由于性价比的显著提升，使其具备很大的应用推广价值。采用TS+黑硅片的电池平均转换效率可达19.0%，组件(60片型)输出功率达275W以上
副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化

电池平均转换效率可达19.0%，组件（60片型）输出功率达275W以上，金善明表示。相比常规多晶组件，基于TS+黑硅片制备的60片组件，其组件功率提高5W以上，降本幅度可达 6.5分/瓦，性价比十分
独特工艺，同时具备优良的表面陷光性能和更优的背面钝化效果，效率更高而成本更低，性价比显著提升。TS+黑硅片正面采用第二代湿法黑硅制绒技术，继承了第一代黑硅片优良的绒面结构，而陷光性能更优。经验

实施提供可靠的材料基础，大大降低多晶PERC工艺的背抛光成本。据介绍，TS+系列硅片由于性价比的显著提升，使其具备很大的应用推广价值。采用TS+黑硅片的电池平均转换效率可达19.0%，组件（60片型
、首席技术官万跃鹏、高级副总裁郑雄久、副总裁胡晓君等出席发布会，保利协鑫副总裁吕锦标主持发布会。金善明报告指出，保利协鑫TS+系列黑硅片，开创性地采用了正面制绒+背面抛光的独特工艺，同时具备优良的表面

产业产业化技术的持续进步的主旨演讲。以下为发言实录：杨立友：题目我改稍微了一下，N型的电池应该大家都觉得它的长远的前景还是比较突出，主要是它的效率比较高。所以从摩尔定理来讲，也是比较核心的技术的来源。从
走势，我们从电池的组建这个成本来看，我们觉得这个N型的，异质结电池的潜力非常大，在2020年左右，它会显示出更强的竞争优势。我们对比N型几种流电视，异质结和背接触，这三种，从量产效率，一直节起步应该是