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异质结电池兼具有薄膜钙钛矿生产工艺和硅基异质结电池的性能。双端结构让电极数量更少，减少了电池本体吸收损失的光，比四终端电池的生产成本更低。科学家们在钙钛矿电池中使用的二氧化钛(TiO2)电子选择层中
介观钙钛矿电池，通过在两个子电池之间的接触区域施加大约1公斤/厘米2的压力，机械地堆积在硅底电池上。再采用磁控溅射法在空穴选择层上沉积氧化铟锡对电极，并作为顶电池的后接触电极。研究人员声称已经找到

亿元，持续上升。此外，易成新能通过并购全力拓展石墨电极业务。2018年11月，易成新能通过发行股份的方式启动对控股股东平煤神马旗下的开封碳素的收购。开封炭素主要业务为超高功率石墨电极的研发、生产及
销售，主要用在电弧炉炼钢，也可用在工业硅炉、黄磷炉、刚玉炉等作导电电极。 2019年9月，易成新能完成了开封碳素100%股权的过户手续及相关工商变更备案登记，开封炭素成为公司的全资子公司并纳入合并

光伏电池的发电结构，由于非晶硅薄膜横向导电性不好，如果直接在非晶硅薄膜上印刷电极，会有部分电流无法收集，所以还需要在非晶硅薄膜两侧沉积一层金属氧化物导电层，英文缩写是TCO，说的简单点就是一层透光性很好的
导电膜，最后在TCO上丝网印刷电极，再固化，光再生，就制成了HIT电池。因此从工序上来讲，HIT电池核心工序就4步，清洗制绒、非晶硅镀膜、沉积TCO、丝网印刷，是所有电池工艺中步骤最短的。 2

浓度不够，造成隔离岛间漏电流大（严重时为穿通）；（6）基区扩散前有残留氧化膜或基区扩散浓度偏低，在发射区扩散后表现为基区宽度小，集电极－发射极间反向击穿电压低，漏电流大；（7）发射区扩散表面浓度
窄或发射区扩散后造成发射极和集电极短路，会使击穿电压降低，甚至为零。造成这种现象的工艺原因是基区扩散浓度过低或发射区扩散结深过深，发射区再扩散时Hfe调整过大也会使击穿电压降低；（4

氧化物薄膜(TCO)，最后通过丝网印刷或电镀技术在电池两侧的顶层形成金属集电极，其结构具有对称性。 HJT电池转换效率已在晶硅光伏电池中位居前列：HJT电池量产之后，日本Sanyo/松下仍在持续研究
%：在高效光伏电池领域，IBC(Interdigitated Back Contact，交叉背接触)电池在产业中也颇受关注，其结构特点是p-n结和金属电极接触都位于电池背部，电池正面避免了金属栅线电极的

包括日夜的光/暗态循环、冷/热温度循环、极端高温高湿环境、环境水汽以及恶劣天气状况下的机械冲击等因素的影响。另一方面，组成钙钛矿太阳能电池及组件的其他功能性材料如电子传输层、空穴传输层、电极以及封装
材料与金属电极等功能性材料相关。 4. 提升钙钛矿太阳能电池稳定性的策略最后，基于钙钛矿电池性能衰减机制的讨论，我们综述了提升钙钛矿太阳能电池及组件稳定性的策略。主要包括了设计合成不含有不可逆降解

整个电池制作前道过程的工艺温度均不超过400℃。如使用与晶硅电池一致的高温银浆制作电池的正/负电极，该银浆成型所需要700℃以上高温将对HJT电池的薄膜结构造成非常大的损伤。因此需要一款针对HJT电池
工艺开发的低温银浆，其要求是： ①电极成型温度低于200℃ ②电极体电阻率低于10-5cm ③该电极无需与硅形成欧姆接触，但与TCO导电层的接触需足够低 ④可以经受电池串焊时200-350℃的

a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。图表1：HIT太阳能电池结构
示意图资料来源：OFweek行业研究中心 2、HIT电池工艺流程 HIT电池的一大优势在于工艺步骤相对简单，总共分为四个步骤：制绒清洗、非晶硅薄膜沉积、TCO制备、电极制备。图表2

太阳能充电装置的设计包括了一个能量收集模块(即柔性太阳能电池)、一个能量存储模块(即在聚酰亚胺基板上打印准固态非对称超级电容器阵列)和一个塑料薄膜覆盖层。其中，准固态非对称超级电容器是以氮化钒为负电极，锰
氧化物为正电极、聚丙烯酰胺凝胶为电解质组装而成。这种可穿戴太阳能自供电系统还采用丝网印刷技术构筑了微型的镁离子基非对称超级电容器，与商业的太阳能电池进行集成，形成了高柔性、高集成度、高安全性以及高循环