上升通道。
在过去十年的行业发展过程中出现过两次跳跃间断点。第一次是2009-2010年冷氢化西门子法制硅料,硅料价格的雪崩导致a-si、CIGS和镝化镉等等薄膜路线的退出(first solar 已经转型为美国封闭市场的电站EPC和运营商,镝化镉产品没有竞争力),奠定了晶体硅路线是面向未来主流路线的基础。
第二次是2013年至今单晶硅片替代多晶硅片,直拉单晶和金刚线工艺的导入将多晶市场份额逼退
上升通道。
在过去十年的行业发展过程中出现过两次跳跃间断点。第一次是2009-2010年冷氢化西门子法制硅料,硅料价格的雪崩导致a-si、CIGS和镝化镉等等薄膜路线的退出(first solar 已经转型为美国封闭市场的电站EPC和运营商,镝化镉产品没有竞争力),奠定了晶体硅路线是面向未来主流路线的基础。
第二次是2013年至今单晶硅片替代多晶硅片,直拉单晶和金刚线工艺的导入将多晶市场份额逼退