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综合

采用MCZ法，抑制了熔体的热对流，起到了在宇宙空间中生长晶体的效果。采用MCZ设备生长晶体，成本(包括电力消耗和设备折旧费)提高不到3%。
今后MCZ法的应用范围将会进一步扩大:例如:1.液面稳定，可用于带状硅晶体的生长;2.由坩埚所带来的沽污少，又可用于正一V族晶体的生长;3.没有热对流，还可用于难于获得均匀的其它化合物半导体和合金的生长

很早以前就知道磁场能抑制导电流体的热对流o .1937年，Hartmann用水银研究了导电流体与磁场的关系。到四十年代，在天体物理学中，用电磁流体力学来研究天体中等离子体的运动。
这是由于磁场方向与加热电流方向平行所致; 3. 1000高斯的磁场强度就能有效地抑制热对流，相当于TMCZ磁场强度的三分之一; 4.晶体乳增祸的旋转条件可自由选择，以实现生长界面的热对称和控制氧浓度

二、原理众所周知，用CZ法拉制单晶时会发生如图1所示的热对流。这种热对流的驱动力可用无量纲瑞利数NRa来表示，加热器热对流氧硅熔体石英坩埚。
在CZ晶体的生长期间，由于熔体存在着热对流，使微量杂质分布不均匀，形成生长条纹。因此，在拉晶过程中，如何抑制熔体的热对流和温度波动，一直是单晶生产厂家棘手的问题。