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：6个氧原子的八面体中心位置和4个氧原子的四面体中心位置。在PECVD生长的Al2O3薄膜中，这两种形态的Al2O3同时存在。经过高温热处理过程，八面体结构会转换为四面体结构，产生间隙态氧原子，间隙态
40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的WCT120设备检测硅片的少子寿命。使用Despatch公司生产的高温烧结炉进行高温快速热处理。 2.1Al2O3厚度对硅片少子寿命的影响为了

组分为无机氧化物和二氧化钛。在玻璃表面喷涂SSG，可不经过热处理快速形成无机纳米结构的膜层。该膜层不但能增加玻璃的透光率，提高组件的发电效率，还能使光伏组件玻璃表面拥有超亲水能力和自清洁能力，消除灰尘和

/Si界面处钝化此处的悬挂键，大幅度降低了界面态密度。经过不同温度热处理后发现，300℃为a-Si∶H/SiNx薄膜的最佳热处理温度，因为此时界面处的结构重构与扩散至界面的氢原子共同作用，使界面处的态
密度最低。在300℃热处理下，a-Si∶H/SiNx薄膜的钝化效果能在至少90min以内始终保持优于a-Si∶H薄膜的钝化效果。以上结果对于a-Si∶H/SiNx薄钝化膜在晶体硅太阳电池产业中的

四面体中心位置。在PECVD生长的Al2O3薄膜中，这两种形态的Al2O3同时存在。经过高温热处理过程，八面体结构会转换为四面体结构，产生间隙态氧原子，间隙态氧原子夺取p型硅中的价态电子，形成固定负电荷
WCT120设备检测硅片的少子寿命。使用Despatch公司生产的高温烧结炉进行高温快速热处理。 2.1Al2O3厚度对硅片少子寿命的影响为了研究Al2O3薄膜厚度对硅片少子寿命的影响，我们制备

min 的环境下，对电池片进行热处理。 2.1 不同退火时间对暗片的影响为了探究EL 暗片与退火时间之间的关系，选取同一批次300 片p 型原硅片，固定退火温度为500 ℃，分别使用退火5 min
、10 min 和15min 的工艺对ALD 后的电池片进行热处理，结果如表2 所示。表3 为500 ℃退火温度、不同退火时间的电池片电性能参数。实验结果表明，退火在恒温500 ℃的情况下

　　 Al2O3中铝原子存在两种配位方式：6个氧原子的八面体中心位置和4个氧原子的四面体中心位置。在PECVD生长的Al2O3薄膜中，这两种形态的Al2O3同时存在。经过高温热处理过程，八面体结构会
PECVD设备制备，高频信号发生器频率为40kHz。采用西安隆基M2单晶硅片。使用Sinton公司的WCT120设备检测硅片的少子寿命。使用Despatch公司生产的高温烧结炉进行高温快速热处理