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Industries）宣布，该公司在开发成功的UltraFlex(TM)产品组合UltraFlex(TM)双向烧结炉和干燥机上取得最新进展。在单向UltraFlex(TM)的市场应用空前增长的情况下，迪斯派奇创造了
设备几乎不用在生产点进行维护。　　迪斯派奇的烧结炉技术一直被认为在业界具有最高水平。公司的金属镀膜烧结炉目前市场占有量位居第一，仅在中国就售出200多部，向全球销售的烧结炉生产能力超过10GW

，曾用压片烧结、涂敷、喷涂热分解制备各种CdS电极并用RuS2进行光谱敏化，将吸收截止波长由517nm延长至890nm，但转换效率都很低，因此研究的重点是CdSe和CdTe电极。用涂敷法在各种金属基底
关键因素，通过离子特性吸附和表面活性剂处理都能明显提高光电流和光电压，FeS2电极则可通过界面配位化学途径来改善其光电性能。在三元半导体化合物中研究了CuInS2和CuInSe2及其固溶体的烧结多晶电极

日前，国产功率超高温SPS快速放电等离子烧结炉在晨华公司完成测试运行，各项指标达到设计要求，可以正式投产。 SPS炉—快速等离子烧结炉，是利用直流脉冲电直接加热模具，在高温大电流
作用下，模具内的原料颗粒之间有可能形成等离子体，进而提高烧结温度缩短烧结时间。我们用60mm的试样在15分钟内升温到2400度，保温15分钟后降温，烧结出一块超高温碳化物陶瓷。 SPS是日本

减反射膜，具备较宽的印刷烧结工艺窗口。此系列浆料能够在55-70高方阻硅片形成良好的欧姆接触，其优异的流变性能够满足客户栅线的高宽比需求。该系列产品和福禄的背银浆料，无铅低弯曲铝浆具有更高的匹配性。NS
μm厚150 x 150-mm的硅片，此种低弯曲使太阳能电池制造商大大降低了硅材料的用量和成本。该产品在烧结过程中有效的避免了铝包的形成，烧结条件比较宽，具备和正面银浆相匹配的共烧条件。AL

，然而关键制程如化学器气象沉积(PECVD)、烧结炉(Firing Furnace)、扩散炉(Diffusion)等仍技术不足。　　晶硅与薄膜制程　　回归到制程设备来看台湾厂商的发展现况，首先谈较
半导体，经由蚀刻(etching)将n型边缘除去，才能彰显出p-n二极管的结构，接着经过电浆镀膜(SiN-coating)、金属镀膜(Metallization)等方式在晶圆上印出导电电极，再经烧结