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纯卤化物低维钙钛矿具有较大的激子结合能和可调谐带隙，在高效深蓝色钙钛矿发光二极管(PeLED)方面显示出巨大的潜力。然而，它们的效率，特别是在低n值相域(“n”代表八面体片的数量)，落后于同类的
钙钛矿发射器。研究证明，低n值相中边缘悬挂八面体的振动会激活臭名昭著的激子-声子(EP)耦合，从而降低效率。鉴于此，2024年11月6日南开大学姜源植&袁明鉴于AM刊发管理低维钙钛矿的边缘态以实现高效

相FAPbI3钙钛矿，其具有高激子结合能，有效加速了辐射复合过程。(4)通过双添加剂方法制备的三维钙钛矿LEDs，获得了峰值外部量子效率(EQE)达到32.0%的记录，即使在高达100 mA/cm²的高
选择具有增加的激子结合能的3D钙钛矿作为光发射材料，实现了近乎完美的PLQE，从而有效地减少了非辐射复合的影响。其次，通过促进四方相FAPbI3钙钛矿的形成，加速了辐射复合的速率，进一步提高了LEDs的

传输层(HTLs)之间形成大的空穴注入势垒，导致QDs层中载流子注入不平衡，进而降低QLEDs的效率。因此，为了实现蓝光QLEDs中高效的激子辐射复合，迫切需要开发能够同时钝化蓝光QDs缺陷和优化器件
产生强的相互作用(图2)。钝化后，蓝光QDs表现出高效的激子辐射复合行为(图3)，其薄膜的光致发光效率(PLQY)达84%，远高于钝化前QD薄膜的43%。此外，钝化后的蓝光QDs具有更浅的价带，为高效

减小的现象被观测到。这是带隙重整化效应的体现：光生载流子在能带填充的过程中，由于电子和空穴载流子间的库伦相互作用和多体相互作用，使得带隙发生重组效应而减小。通过同时计入带隙重整化效应和能带填充效应，激子

3TT-C2-F、3TT-C2-Cl和3TT-C2。将F或/和Cl原子引入分子结构(3TT-C2-F和3TT-C2-Cl)增强了π-π堆积，提高了电子迁移率，并调节了共混膜的纳米纤维形貌，从而促进了激子的产生
解离和电荷传输。特别是，基于D18:3TT-C2-F的共混薄膜表现出高电荷迁移率、延长的激子扩散距离和良好形成的纳米纤维网络。这些因素使得器件的功率转换效率 (PCE) 达到 17.19%，超过

高能量光子的高效利用来实现，也就是在电池表面叠加具有单重态裂变特性的新型光电转换薄膜材料，入射太阳光谱的光子将材料中单重态激发转化为两个三重态激发，构成了一个激子倍增生成过程，使太阳电池的量子效率超过