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海电气国轩新能源科技(南通)有限公司上海电气国轩储能系统基地5Gwh电芯产线项目的下列货物和有关服务提交密封投标：包号设备品名总效率要求 01包正极合浆系统 3.4T/h 负极合浆系统 2.2T/h
02包正极涂布系统 150m/min 负极涂布系统 150m/min 03包正极辊压分切 150m/min 负极辊压分切 150m/min 04包制片卷绕A 50PPM 制片卷绕B

断完善 ● 面向高度钝化技术(如钝化接触(PERL、PERT)和HJT)的设备技术梅耶博格系统案例：实现从铝背场至PERC的技术升级迄今为止，采用梅耶博格技术完成PERC升级的机台总产能超过了30
GW。 PERC工艺(通过2个生产系统完成升级)：完整的PERC生产线 A：硅片检测;B：损伤层去除/制绒;C：扩散;D：去PSG(磷硅玻璃);E：MAiA背面沉积;F：SiNA正面沉积

200~350C的加热条件下使用高强度激光照射单晶电池，使户外曝晒下缓慢发生的再生过程在几秒钟内完成，B-O等缺陷被钝化，从而解决PERC技术带来的更高光衰问题，处理后的单晶PERC电池光衰明显低于
最大。2017年4月，隆基与新南威尔士大学、帝尔激光联合对外宣布向行业公开低衰减技术LIR(光致再生)技术，可有效控制单晶PERC电池的光衰。一年后，隆基进一步公开解决方案，并承诺帮助单晶硅片客户将

利用到高强度的光照(如激光)以在几秒钟内完成再生过程。如下报告列举了5家提供光致再生(LIR，Light induecd regeneration)设备的企业，其设备均有很好的处理效果
1.晶硅组件的光衰硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出

(PECVD) 工艺。而前表面SiNx ARC也同样是采用管式PECVD 工艺完成的。在进行激光电极开窗操作之后，采用丝网印刷和共烧结工艺完成金属电极制作。随后对所有完成烧结的多晶硅PERC
传统多晶硅电池技术高出0.9%。图二：(a)多晶硅PERC电池的效率分布。(b)60 片和120片多晶硅PERC组件的功率分配。表一比较了多晶硅PERC和传统黑硅多晶硅电池的I-V特性

全面印刷铝背场结构，但PERC 电池背面采用钝化膜钝化后再通过激光开槽的方法形成局域接触结构，其钝化膜可以降低接触电阻，提高转化效率. 大量研究表明， PERC 电池的电性能主要与原材料的种类
工艺下PERC 铝浆对电池片填充率、BSF 厚度和电性能的影响。 1 实验部分 1.1 实验设备及原料 HSH2503-0510Z 型红外快烧网带炉，合肥恒力电子装备公司;BT-9300ST

光伏电池产品，光伏建筑一体化方案：发电墙、汉瓦、发电玻璃，薄膜发电产品，Solibro的CIGS薄膜发电技术，CIGS共蒸发技术，小尺寸组件的转换效率：1cm2电池转换效率达到21.0%，硅基薄膜生产设备
各种应用形式。爱康科技提出以高效 HJT 异质结电池+高效叠瓦组件为核心的产品技术路线。新一代迭代技术光伏组件生产项目落地，光伏核心设备制造研发，同时在能源互联网领域发力。协鑫集成在

技术，CIGS共蒸发技术，小尺寸组件的转换效率：1cm2电池转换效率达到21.0%，硅基薄膜生产设备以及流程，柔性光伏组件，透明导电氧化玻璃(TCO，掺杂或本证氧化锌膜层)镀膜工艺。PECVD，PVD和低压
技术光伏组件生产项目落地，光伏核心设备制造研发，同时在能源互联网领域发力。协鑫集成在光伏电池和组件产品坚持多晶与单晶技术路线并举，提供满足客户需求的高效定制化产品，其中多晶黑硅PERC电池量产

包括904nm的激光注入产生电子-空穴对(Fig.2-3a)，导致样品的电导率增加，当撤去外界光注入时(Fig.2-3b)，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反应少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测
电导率随时间变化的趋势得到载流子的寿命。 Fig.2-3a激光激发 Fig.2-3b微波探测 2.4方块电阻扫描(SHR) SHR测试探头在中心有一个激光源(Fig.2-4

技术(如钝化接触(PERL、PERT)和HJT)的设备技术案例：利用梅耶博格系统实现从铝背场至PERC的技术升级迄今为止，采用梅耶博格技术完成PERC升级的机台总产能超过了30 GW
。 PERC工艺(通过2个生产系统完成升级) 完整的PERC生产线(A：硅片检测;B：损伤层去除/制绒;C：扩散;D：去PSG(磷硅玻璃);E：MAiA背面沉积;F：SiNA正面沉积;G

，其发电功率、安全性、容灾能力均达到三代核电的技术要求，技术指标国际领先。理光(2H42、2H45)将展示DSSC(色素増感太阳电池)、4K全天球直播相机、便捷打印机、激光打印系统、3D
电动汽车充电连接器、高压连接器、叠层母排、软母排、高压继电器、高压配电单元、驱动电机控制器及多和一控制器、维修开关、动力电池箱、充电设备等关键部件、设备。 (巴斯巴部分产品设备图) 陆芯

; 5) 硅片正面沉积SiNx 减反射膜：SiNx 薄膜厚度78 nm，折射率2.08; 6) 硅片背面激光开窗：180 根线，线宽为40 m; 7) 印刷电极; 8) 高温烧结; 9) 测试分选
。实验中采用semilab RT-100 设备测量硅片电阻率，四探针法测试扩散后硅片方块电阻，使用semilab WT-1200 设备测试少子寿命，选用BERGER 在线I-V 测试系统，在25

一条线3.3GW、12月投产合肥通威投产一条电池线2.4GW;隆基保山产能三季度完全投产合计新增6GW;大全新能源3B的1.3万吨硅料产能10月点火投产;中环股份的四期项目炉子也在7~8月大批量到位。由于
274瓦的水平，但是根据规则274瓦的组件只能标定为270组件，不符合诸多电站业主的设计要求。结果就是这样的组件没人要，甚至只能按照B级电池片出售，价格仅为正常电池的8折。由于行业内大量的多晶电池

2.5万吨硅料产能9月投产、乐山2.5万吨硅料产能10月投产;通威电池产能10月投产一条线3.3GW、12月投产合肥通威投产一条电池线2.4GW;隆基保山产能三季度完全投产合计新增6GW;大全新能源3B的
甚至可以做到274瓦的水平，但是根据规则274瓦的组件只能标定为270组件，不符合诸多电站业主的设计要求。结果就是这样的组件没人要，甚至只能按照B级电池片出售，价格仅为正常电池的8折。由于行业内大量的

28KHz的电能转换为机械震荡波，声波传入Q352-B碱性清洗剂、活性剂、去离子水=0.2：1：10的化学清洗液中，在45℃环境下清洗硅片3min，硅片直径10cm，厚度600m。高频声波在化学清洗液中
瓦尔斯键断裂，杂质脱离硅片表面。在此理论的基础上，超声波束流清洗技术得到了空前的发展。WDjiang等人利用KrF准分子激光器对硅片表面的Al2O3杂质进行了清洗试验和理论分析。利用248nm

恢复。经过几年的联合研究，通过大量的实验清楚的认识了Cz-Si光衰减的缺陷，证实了引起Cz-Si光衰减缺陷的主要成分是硼和氧。研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅
中的间隙氧原子。同时，由两个间隙氧原子组成的双氧分子O2i与替位的硼原子结合，从而形成B-O复合体。这种观点已得到Adey等的理论计算支持，并提出了如下反应的B-O形成机制模型。 2 改进