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溅射镀膜等，还备有一些常规的半导体、薄膜及太阳电池测试分析手段，如四探针Hall效应测试仪、高频、准静态C-V 测量仪、太阳电池I-V特性测量仪、椭圆偏振光测厚仪等。自行研制的太阳电池组件测试仪和优质

偏离测试样片会给出错误的读数。　　4.2.6本测试方法的扫描方式是按规定的路径进行扫描，采样不是整个表面，不同的扫描路径可产生不同的测试结果。　　5仪器设备　　5.1接触式测厚仪
　　测厚仪由带指示仪表的探头及支持硅片的夹具或平台组成。　　5.1.1测厚仪应能使硅片绕平台中心旋转，并使每次测量定位在规定位置的2mm范围内。　　5.1.2仪表最小指示量值不大于1m

对被测硅片的损伤。成功解决了当前行业检测硅片电阻率必须先检测厚度的烦琐问题。备注：传统测量硅片电阻率必须先用测厚仪测试硅片厚度,再用四探针法去检测电阻率,这种方法既占用时间又容易损伤被测物。 PHYS-R80无接触硅片厚度电阻率测试系统