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器件，目前常规产业化晶体硅电池前表面主要是由产生光电流的氮化硅受光区域与收集电流的金属栅线电极组成，栅线是电池的重要组成部分，它负责把电池体内的光生电流输运到电池外部，而由于电池串联电阻引起的电学损失
硅片表面的区域，磷杂质浓度超过硼杂质浓度，从而制得一层薄的、重掺杂的n型区。之后去除电池片的氧化层和侧面及背面的结。再通过化学气相沉积法制成一层减反射膜氮化硅膜。最后用丝网印刷的方法印刷电极并烧结

晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构
SiO2钝化电池表面，并取得不俗的开路电压和效率。SiNx：H 第一次进化90年代，科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备含氢的氮化硅(SiNx：H)薄膜用作电池

钝化替代品需要拥有和SiO2相同的特性，这是在未来工业生产晶体硅高效太阳能电池所必须的。另一种主要研究的替代品是氮化硅（SiNx），一般用化学汽相淀积（PECVD）法在约400℃时生成，而且在P型硅上
具有和SiO2相同的SRVs 。但是当其应用于钝化极的背面和（PERC）太阳能电池的背面时，相比于SiO2钝化膜，短波电流密度减少的速度要快得多。这种影响归因于氮化硅膜中高浓度正电荷在氮化硅膜下的

了那家韩资企业，来到了新公司。要说在韩资企业最大的收获是什么，那就是学到了一定的管理知识。外资企业管理确实比民营企业好。远期目标：10年内，财务自由，成为一个职业投资者。（注：楼主在光伏行业做了3年研发，2年研发管理，现在所在的新材料还是光伏行业的辅材，主要是氮化硅粉、氮化硅陶瓷。楼主：按图索牛）

35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源
，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种

基本上就可直接判断为腐蚀过头了问题。也就是说这个银纳米胶体通道的多少及通道导电能力强弱是一个关键，这个关键对应玻璃来说就是溶银及控制银胶体生成的能力、对氮化硅腐蚀情况的控制能力了。玻璃体系的演化兼顾了
这两点，直到现在所谓的碲科技似乎就很好的满足了这两点。对氮化硅腐蚀情况的控制取决于玻璃体系自身的腐蚀能力和高温流动特性。对于腐蚀能力这个没有量化标准，只能以杜邦产品为标准，而对于高温流动特性则是不同腐蚀

腐蚀过头了问题。也就是说这个银纳米胶体通道的多少及通道导电能力强弱是一个关键，这个关键对应玻璃来说就是溶银及控制银胶体生成的能力、对氮化硅腐蚀情况的控制能力了。玻璃体系的演化兼顾了这两点，直到现在所谓的
碲科技似乎就很好的满足了这两点。对氮化硅腐蚀情况的控制取决于玻璃体系自身的腐蚀能力和高温流动特性。对于腐蚀能力这个没有量化标准，只能以杜邦产品为标准，而对于高温流动特性则是不同腐蚀能力玻璃体系都要遵循