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结构自始至终占主导地位，其它结构对太阳电他的发展也有重要影响。以材料区分，有晶硅电池，非晶硅薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，磅化镐（CdTe）电池，砷化稼电他等，而以晶硅电池为主导，由于硅是
。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可

多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极/衬底/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极，在电池入射光表面有氮化硅减反射膜，其特征在于：在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P
申请专利号 200610117155.9 专利申请日 2006.10.13 名称廉价多晶硅薄膜太阳电池公开（公告）号 CN1933185 公开（公告