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有效提高电池转换效率及生产效率，使太阳能成为更具成本竞争力的新一代能源产品。正面浅结银浆新产品系列，NS 33-510 ，NS 33-520 能够实现更高的转换效率，可有效穿透氮化硅
减反射膜，具备较宽的印刷烧结工艺窗口。此系列浆料能够在55-70高方阻硅片形成良好的欧姆接触，其优异的流变性能够满足客户栅线的高宽比需求。该系列产品和福禄的背银浆料，无铅低弯曲铝浆具有更高的匹配性。NS

。　　四结论　　目前，产业化的SiNx镀膜技术还在不断的发展，每一种技术都有其特性点，也都有其不足。太阳电池向着新型特种结构和工艺的方向发展，对氮化硅膜提出了一些新的要求。　　例如，有一种新型
太阳电池要求双面镀膜，正面镀氮化硅，背面镀二氧化硅和氮化硅，这种情况下，灵活的微波间接法就有较大的优势。另一些技术要求在制备出氮化硅薄膜后还进行湿法光化学金属镀膜工艺，这对氮化硅膜的密度和质量要求高了

,增强光的有效吸收,对电池表面进行钝化和通过改进电极的结构。在增强对太阳光的有效吸收方面采用了多种方法:如多层减反射膜,倒金字塔结构,机械和化学刻槽等。而随
前后由半导体氧化层或氮化硅层金属层所构成的电容值分别为CA 和C*A,则 CA=EiE0Ad C

。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n