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通过调节氮化硅减反膜厚度可制备出呈现各种颜色的彩色多晶硅太阳电池，但如何获得良好欧姆接触及拉脱力的电极是彩色多晶硅太阳电池制备的难点。本文通过在常规工艺路径基础上增加腐蚀开槽工艺解决了电极性能问题
硅片正面沉积蓝色、金黄色、紫红色和绿色的氮化硅减反膜，并通过腐蚀去除印刷区域一定厚度的氮化硅减反膜，然后清洗和甩干，再经过印刷烧结，分别制得蓝色、金黄色、紫红色、绿色共4 种颜色的彩色多晶硅太阳电池

有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量、改善PN结形成
所示。与IBC结构太阳电池相比，HBC太阳电池采用a-Si∶H作为双面钝化层，具有优异的钝化效果，能够取得更高的开路电压。在生长PN结的工艺中，他们采用区域型掩膜掺杂，降低了载流子的复合损失。与SHJ

。降低光学损失的有效措施包括前表面低折射率的减反射膜、前表面绒面结构、背部高反射等陷光结构及技术，而前表面无金属电极遮挡的全背接触技术则可以最大限度地提高入射光的利用率。减少电学损失则需要从提高硅片质量
，他们采用区域型掩膜掺杂，降低了载流子的复合损失。与SHJ结构的太阳电池相比，其前表面无电极遮挡，而且采用SiN减反层取代TCO，减少光学损失的优势更加显著(在短波长范围内)，结合前表面两点优势

常规的P型电池来实现。不论是N型电池还是P型电池，都需要在顶电池形成隧穿结以及一层(导电)光学层。底电池正面无需镀减反射膜，也无需金属化。由于底电池不导电，因此不适合采用标准氮化硅正面钝化工艺，可以
与双面电池相匹配的电流时，恰好可以选用最合适的钙钛矿种类。对于电子传输层(ETL)来说，PCBM聚合物是一个不错的选择，其次是用于横向导电并作为减反射膜的ITO层。金属化和电池连接钙钛矿

电池也需要将P接触层作为底层，这一点可以通过背结N型电池或常规的P型电池来实现。不论是N型电池还是P型电池，都需要在顶电池形成隧穿结以及一层(导电)光学层。底电池正面无需镀减反射膜，也无需金属化
。由于底电池不导电，因此不适合采用标准氮化硅正面钝化工艺，可以选择晶硅/氧化铟锡(a-Si/ITO)异质结技术，或选择带ITO覆盖层的多晶硅钝化接触作为光学元件。目前，钙钛矿沉积工艺还不适用于制绒

PECVD目的在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。镀膜原理光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一
膜的作用、简述膜的特性 1、氮化硅膜的减反原理光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一。如果在硅表面有一层或多层合适的薄膜，利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，这种膜称为太阳电

Al2O3厚度对电池特性的影响采用梅耶博格公司的玛雅2.1设备来制备Al2O3/SixNy薄膜与背面保护氮化硅薄膜，高频信号发生器频率为13.56GHz。所用气体为三甲基铝(TMA)、高纯氩气、高纯氨气
和高纯硅烷，实验时反应气体直接通入反应腔体内，反应腔体压力为10～30Pa，反应温度为300～400℃。正面氮化硅使用中国电子科技集团公司第四十八研究所PECVD设备制备，高频信号发生器频率为

摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。 1引言 氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体硅

氮化硅减反叠层膜设计模拟及多次实验对比，在保证电池钝化效果同时逐步降低双面电池背面反射率，提升背面吸收率。背面网板设计、浆料选择双面电池关键点在于背开槽激光与丝网二道铝浆对准，在激光与丝网厂商
保障。双面制绒双面电池采用氢氧化钾碱刻蚀双面制绒体系，背顿化双面电池小批量量跑，对比酸刻蚀，正面效率下降0.06%，背面效率提升1.08%，双面率达81.2%。叠层背减反膜双面电池背面

良好的传导性，因而TOPCon电池具有高的开路电压和填充因子。2015年FraunfhoferISE采用N型区熔硅片，正面采用金字塔制绒，硼扩散，氧化铝加氮化硅叠层膜起钝化和减反作用，背面采用
双面氮化硅膜沉积和烧结处理。使用Sinton测试仪测量这三种样品的ImpliedVoc(mV)，测试结果如图2所示。从图2可以看出双面SiOx/polySi钝化后ImpliedVoc可以

摘要:研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响，测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数。结果表明，多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气，并
环境更有利于高折射率的获得。此外，还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论。 1引言 氮化硅薄膜制备在太阳能电池生产中起着减少硅片表面的反射、进而增加光的利用率的作用，是晶体硅