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，另一种是采用国际领先的干涉膜专利技术制造的真空管。制造真空管的材料主要有单靶机和三靶机两种，其中三靶机的质量较好，消费者在选购时可以通过外观鉴别。单靶机真空管色泽呈灰蒙蒙状、有色差、同时真空管的内壁为浅
得热量不合格的主要原因是：一些生产企业为了节省成本，使用劣质的全玻璃真空太阳集热管，导致水温升不上去，最终导致日有用得热量不合格。据了解，目前市场上有两种真空管，一种是采用传统渐变膜工艺制造的真空管

。选择热CVD是因为它的生长速率高，而且可以获得高质量的晶体。然而这样的选择却限定了只能使用陶瓷等耐热衬底材料。这项技术还不像其它薄膜技术那样成熟，但已经表现出使成本降低的巨大潜力。　　采用薄膜
丝网印刷外延电池的Jsc达到30 mA/cm2，效率达到13.8%。　　对这些结果有贡献的第一项改进是采用氟基等离子体粗糙处理得到的表面光散射（图3）。理想情况下，这种经过粗糙处理的有源层表面会使光

。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可
5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅

5．新技术探索为了提高非晶硅太阳电池的初始效率和光照条件下的稳定性，人们探索了许多新的材料恰工艺。比较重要的新工艺有：化学退火法、脉冲虱灯光照法、氢稀释法、交替淀积与氢卫法、掺氟
、本征层掺痕量硼法、等。此外，为了提高a-Si薄膜材料的掺硼效率，用二基硼代替二乙硼烷作掺杂源气。为了获得a-Si膜的高淀积速率，采用二乙硅炕代替甲硅烷作源气。所谓化学退火，就是在一层一层

缺陷更多。膜中硅与锗原子并不是均匀合分布的。氢化时，氢择忧与硅键合。克服这些困难的关键是，采用氢稀释沉积法和掺氟。些材料的光电子特性可以做得很好。但氢含量通常偏高，材料的光致衰退依然存在。叠层构在一定程度上抑制了它对电池性能的影响。