光伏咨询搜索-索比光伏网

情况。虽然2017版路线图对多晶硅和硅片技术做了详尽阐述，但最让人期待的还是电池和组件，因为在2016版路线图中，VDMA预测PERC、PERT、PERL电池技术、n型单晶硅晶片和电池技术和铜丝键合技术
路线图预测到2018年将增至12%，到2020年达到21%，同时p型单晶硅和传统p型多晶硅产品的市场分额会缩小。性能较好的多晶硅太阳能晶片有望保持较大的市场份额。不过，最有趣的要数VDMA对电池连接技术

技术、N型单晶片电池以及铜线互连技术的市场份额都将增长。2015年，PERC及其两项相关技术PERT和PERL光伏电池在光伏电池技术市场仅占10%的市场份额，但2016年市场占比增至15%，预计
多晶硅市场份额将收缩。高性能多晶硅晶片预计将保持健康的市场份额。ITRPV预计到2018年，4根母线电池互连技术市场份额将超过3根母线，5根母线设计市场占比也在提升。同时，铜线互连技术市场份额未来也将不

引起的位错形成、硅片破裂等可能性。硅切片的损伤层深度直接受晶体切割工艺影响，并影响着后续的晶片研磨工序的去除量。此外，切片的几何参数也间接影响着研磨工序的去除量。因此，本文从降低切片损伤层深度、控制
还产生了浅径向裂纹;外力卸载后残余压力组成的弹塑性区域可能导致表面产生平行横向裂纹。当裂纹到达表面后，碎屑材料即被移除。然而放射状裂纹和中心状裂纹仍然存在且直达表面，这就是多线切割工艺中晶片表面损伤层