光伏咨询搜索-索比光伏网

采用晶体管(IGBT)技术的高频在线互动式UPS的满载效率可达到95%-97%。更加高效，热量更少当今的UPS的能源效率提高了15%，而冷却需求却在下降，提高了其可靠性。模块化UPS的平均故障间隔时间
更节能高效采用经济模式运行的UPS，具有极大的优势，但最新开发的碳化硅技术可能会抵消经济模式的优势，目前晶体管制造都是传统可控硅器件，对于UPS来说，绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的功能越来越强大且

晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型普通
晶闸管即属于这一类;后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器

单端式逆变器，推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型
，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。 6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器(VSI)和电流源型逆变器(CSI)。前者，直流电压近于恒定，输出电压为交变方波;后者，直流电

晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型普通
晶闸管即属于这一类;后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器

H. Sargent(通讯作者)等人制备了一种用硅实现电荷输运的光伏场效应晶体管，由于加入了量子点光吸收体，该晶体管可以实现对红外光的响应。器件工作时，光伏效应产生于硅和量子点的界面处，结合硅的高
跨导特性，可以使器件具有高增益(1500 nm波长处，104 电子/光子)、快时间响应(小于10微秒)、可调的宽光谱响应性等优良特性。相比之前报道的硅基红外探测器，本工作中制备的光伏场效应晶体管在

实现电荷输运的ink"光伏场效应晶体管，由于加入了量子点光吸收体，该晶体管可以实现对红外光的响应。器件工作时，光伏效应产生于硅和量子点的界面处，结合硅的高跨导特性，可以使器件具有高增益(1500 nm
波长处，104 电子/光子)、快时间响应(小于10微秒)、可调的宽光谱响应性等优良特性。相比之前报道的硅基红外探测器，本工作中制备的光伏场效应晶体管在1500 nm 波长处灵敏度提高了5个数量级。更重

形式分，可分为单端式逆变器，推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可
称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。 6.按直流电源分，可分为电压源型逆变器(VSI)和电流源型逆变器(CSI)。前者，直流电压近于恒定，输出电压为交变方波

强度、超高热导率以及超强导电性而最引人瞩目。使用石墨烯作为基质生产出的处理器能够达到THz(即1000GHz)，IBM已经在2010年研制出运行速度超快的石墨烯晶体管，其最大频率可以达到230GHz，远远
超过现在的硅基晶体管运行速度。IBM在2014年7月宣布将再投入30亿美元进行包括石墨烯在内的碳芯片技术的研发。石墨烯未来很有可能取代硅成为半导体行业的基础材料。无人驾驶技术方兴未艾，其需要超强、超快的计算