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外，还以太阳能利用和水净化等环境能源领域为主要研究对象。这里的研究内容除了针对未来的探索性研究外，还包括计划在近期内实用化的研究。　　该基地的研究重点之一是，探索可代替现有晶体管的新一代开关
元件。据悉，其目标是推出能源效率比现有晶体管高10倍的元件。此外，还正在推进超微细构造的制作方法实现实用化，例如采用扫描探针的纳米光刻以及自组织化等。来自立陶宛共和国多所大学的研究人员也预定今后来此工作。该项

应用材料公司计划以49亿美元的价格收购离子注入设备巨头维利安半导体设备公司(Varian Semiconductor Equipment Associates) 。随着芯片工艺日趋复杂和晶体管体积的
缩小，半导体行业对全功能集成三维离子注入设备的需求不断高涨，此次收购据称将增强应用材料在晶体管和半导体前端工艺的技术储备。为扩大离子注入技术的市场机遇，维利安半导体近几年还加大了在太阳能、显示技术和

宣布将以每股63美元的现金收购Varian Semi，支付总额达49亿美元，此举将增强其用于移动设备和太阳能产品的技术性能。该交易在第一年将对应用材料非GAAP盈馀做出贡献，两家公司一致通过合并交易。应用材料对Varian的“离子注入”系统很感兴趣，该技术用于制造芯片技术的关键部分——晶体管。

“夏普”)已于今日签署专利交互授权合约，双方各自同意彼此授权其所拥有的特定专利。友达及夏普皆于薄膜晶体管液晶显示器领域中投入大量研发资源于先进显示技术，且各自建立强而广的专利组合。基于尊重
彼此智慧财产权，双方同意授权另一方各自所拥有的特定专利。双方将可透过此交互授权使用对方之特定专利技术以创新及发展更先进的薄膜晶体管液晶显示器技术。双方于签署专利交互授权合约后将各自撤销先前针对对方所提出之所有诉讼。

全球供应的60%左右。如果日本的物流和基础设施问题导致这种供应中断，不仅会影响NAND闪存、DRAM、微控制器、标准逻辑、LCD面板和LCD元件，而且会影响分立器件等产品，如MOSFET、双极晶体管和
小信号晶体管。　　虽然实际尚未发生短缺，但由于天灾造成的心理影响，元件价格已经受到影响。高密度NAND闪存的价格在现货市场上涨了10%左右，买家通常的现货市场购买量通常相对较少。但是，市场调研公司

。以螺旋状的In2O3纳米线为活性层材料研制的场效应晶体管显示了优异的性能，其电子迁移率可达243cm2/vs。该研究成果于2011年2月18日正式发表在美国化学会期刊ACS Nano的网络在线版上
领域有着非常广泛的应用前景。全透明电子学的发展离不开高性能纳米材料的开发与应用。采用气相沉积法，研究人员制备了点缀Ag纳米粒子的单晶ZnO纳米线，并用光刻技术研制了基于单根纳米线的晶体管器件。发现该材料

。元件特性的劣化几乎不再出现。　　“载流子迁移率在1年多后丝毫未降低”（Kipperlen）。即使反复进行2万次以上的晶体管导通截止，或者在通过大电流的同时持续施加偏置电压，以及放入等离子真空装置5
分钟以上，也未见劣化。虽然将元件浸入丙酮溶液中特性最终还是会下降，但即便如此晶体管仍可工作。　　Kipperlen分析认为，得到这一结果的原因在于两种栅极绝缘膜相互抵消了各自的缺点。“在两种材料

，晶闸管SCR的诞生为正弦波逆变器的发展创造了条件；第二阶段：20世纪70年代，可关断晶闸管GTO及双极型晶体管BJT的问世，使得逆变技术得到发展和应用；第三阶段：20世纪80年代，功率
场效应管、绝缘栅型晶体管、MOS控制晶闸管等功率器件的诞生为逆变器向大容量方向发展奠定了基础。第四阶段：20世纪90年代，微电子技术的发展使新近的控制技术如矢量控制技术、多电平变换技术、重复