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与第二代、第一代发电的技术又有什么差别?第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多
的薄膜电池，优点是材料用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。1

技术又有什么差别？第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点
是材料用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。　　1、为克服

。1918年波兰科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔（Nobel）物理奖。1930年B.Lang研究
P.Pappaport，J.J.Loferski和E.G.Linder发表锗和硅p-n结电子电流效应的文章。1957年Hoffman电子的单晶硅电池效率达到8%；D.M.Chapin，C.S.Fuller和

索比光伏网讯:第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是
材料用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。(1)为克服第一代

第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是材料用量少
，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。（1）为克服第一代，第二代光伏发电

光电池却缓慢上升，十年来仅停留在20.3%，远远落后于单晶+聚光的硅光电池。但是，除异质结硅电池可高达23.0%外，至今未见有多结硅基光电池的报导。 c）紧随晶体硅光电池之后的是铜铟镓硒，其实验室中
要比晶体硅电池低出很多，其光学成本还有大幅度降价空间。 d）国外更看好的是跟踪+高倍聚光+高效砷化镓聚光电池的技术路线。理由是砷化镓有更高的转化率，这当然十分有理。但砷化镓的市场价格太贵，必需

电池之间建立串联连接结构非晶硅薄膜太阳能电池简目前可生产的太阳能电池主要有多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池。多晶硅太阳能电池和单晶硅太阳能电池受上游晶体硅材料供应的短缺，导致
越来越多的晶硅太阳能电池生产设备产量不足，不断上涨的晶硅价格也限制了晶硅太阳能电池的发展。仅以硅原材料的消耗计算，生产1兆瓦晶体硅太阳电池，需要10～12吨高纯硅，但是如果消耗同样的硅材料用以生产

晶硅电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti
硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒金字塔技术

索比光伏网讯:晶硅光伏电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳能光伏电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的光伏电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅
结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒

索比光伏网讯:晶体硅电池是光电转化的核心器件，但是由于单片电池片的电压、电流、功率有限，所以要将电池片并联起来，使它具有满足用电设备和工业化用电要求的电压、电流、功率。但是，由于晶体硅电池物理脆性
不同的情况下，比较大组件和小组件之间的性价比（透光率/成本（元/W））的变化趋势。其中，a随着组件的功率增大，而减小。B基本不变。所以，在电池片功率型号一定，透光率一定，电池片数量不同的情况下，大组件

发布《太阳能发电科技发展十二五专项规划》，在太阳能发电规划中，我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以与常规能源竞争作为十二五规划的总体目标。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大
技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率达到20%以上，硅基薄膜电池效率达到10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用，装机成本达到1.2万元到1.3万元/千瓦，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网

流量是和电池转换效率密切相关的事实，可以让大家进一步明白电池转换效率与膜性能的密切联系。这个分析也可以适用于平板型PECVD技术。对进一步提高晶体硅电池的转换效率，对我国晶体硅电池产业获取更大的利润或降低生产成本都有直接的帮助。（作者李军阳）

现在硅材料太贵，而晶体硅的用硅量太多，比如现在常用的多晶硅电池片的厚度通常最薄也在160微米左右，而薄膜硅的厚度只有2~3微米，因此，似乎可以省去许多材料。薄膜是要进行CVD沉积的，目前从工艺效率和
薄膜电池所用的硅烷气的成本。由于晶体硅电池的光电转换效率高，因此，在后续的电池成本、组件成本和安装成本的较量中，晶体硅还会占些上风。因此，只要多晶硅的成本下来，在成本方面是不必惧怕薄膜太阳能电池的

，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程。P型晶体硅经过掺杂磷可得N型硅，形成P-N结。当光线照射太阳能电池表面时，一部分光子被硅材料吸收;光子的能量传递给了硅
原子，使电子发生了越迁，成为自由电子在P-N结两侧集聚形成了电位差，当外部接通电路时，在该电压的作用下，将会有电流流过外部电路产生一定的输出功率。这个过程的实质是：光子能量转换成电能的过程。晶体

。目前已有产业化的晶体硅(单晶硅、多晶硅)太阳能电池，部分投产的薄膜电池(非晶/微晶硅硅基薄膜、碲化镉和铜铟镓硒)，以及主要处于研究中的染料敏化电池、有机薄膜电池等。一种叶绿素太阳能电池，因为尽可能模仿了
利用变得普遍。1950年代，太阳能利用领域取得两项重大技术突破：一是1954年美国贝尔实验室研制出6%的实用型单晶硅电池，二是1955年以色列Tabor提出选择性吸收表面概念和理论并研制成功选择性太阳

密切联系。这个分析也可以适用于平板型PECVD技术。对进一步提高晶体硅电池的转换效率，对我国晶体硅电池产业获取更大的利润或降低生产成本都有直接的帮助。当然，在此没有进一步通过理论对实验进行分析是
我国的太阳能电池转换效率进一步提高提供一条途径。　　关键词：等离子体增强化学气相淀积；PECVD，太阳电池；氮化硅　　0引言　　氮化硅膜作为晶体硅太阳能电池减反射钝化膜是目前太阳能电池制备的主流

、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池和薄膜晶体硅电池。单晶硅电池具有电池转换效率高，稳定性好，但是成本较高；非晶硅太阳电池具有生产效率高，成本低廉，但是转换效率较低，而且效率衰减得比较快；多晶硅
太阳能电池则具有稳定的转换效率。而且性能价格比最高；薄膜晶体硅太阳能电池近年有了快速发展，但现在还占不到光伏发电的6%。从目前来看，薄膜电池虽有很好的发展潜质，但单晶硅与多晶硅电池仍是较长时间内的主流产品

、电流、功率。但是，由于晶体硅光伏电池物理脆性，容易碎裂，因此需要将电池片封装，做成光伏组件进行保护。晶硅光伏组件主要分为：常规光伏组件（组成：玻璃、EVA、晶硅电池、背板、铝框、接线盒等）；透明
索比光伏网讯:前言晶体硅是光伏" title="光伏新闻专题"光伏发电转化的核心器件，但是由于单片电池片的电压、电流、功率有限，所以要将电池片串并联起来，使它具有满足用电设备和工业化用电要求的电压