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(2)行业逐步由B2B转向B2C，分布式光伏发电未来可期光伏电站主要分为集中式光伏电站和分布式光伏电站两种。
在晶体生长这个环节中，原生多晶硅在单晶炉内会生产成单一晶向、无晶界、位错缺陷和杂质密度极低的单晶硅棒。而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，其本质就是大量的小单晶的集合体。

P型多晶硅电池的衰减则因氧含量相对少而恢复过程不明显，该衰减被认为不仅与B-O对相关，同时也与金属杂质相关。
4.总结 A.P型PERC电池的光衰明显高于常规BSF电池，因此需要进行再生处理; B.单晶PERC电池的光衰以B-O光衰为主，原理上可通过光注入、电注入及掺Ga来解决，但对制造商技术水平提出更高要求

研究指出在晶体硅中硅的原子半径要比B的原子半径大25%，故后者更易于吸引硅中的间隙氧原子。同时，由两个间隙氧原子组成的双氧分子O2i与替位的硼原子结合，从而形成B-O复合体。
闻震利等人发现在含B和其它杂质含量都比较高的硅材料中，通过掺入P补偿过多的B，可以延长少数载流子的寿命、提高低质量硅片的电阻率，从而提高电池效率，同时还能够达到抑制光衰减的目的。

单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减。而多晶PERC的光致衰减还未研究清楚。
PERC光伏电池的光致衰减虽然P型晶体硅电池普遍有光致衰减作用，但PERC电池相较其他晶体硅电池有更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。

实验二:在生产前对原硅片进行分选，实验分为3组，每组400片;分别采用不同正银浆料，实验A组使用帝科正银浆料，实验B组使用杜邦正银浆料，实验C组使用晶银正银实验浆料，其他工艺不变。
同时比较帝科、杜邦、晶银三家正银浆料，结果显示，杜邦与晶银对提效非常明显，但是在印刷性能上晶银优于杜邦浆料。采用晶银正银浆料，增加透墨性，流平性较好，在提高电池转换效率的同时印刷性能最佳。

公司新增产能全部采用金刚线切工艺，以匹配公司领先的高效湿法黑硅电池生产技术，减少硅料消耗，降低生产成本。
阿特斯计划将其位于美国北卡罗来纳州的92兆瓦IS-42电站项目的99%的B类股权出售给法尔克可再生能源公司，交易最终合同预期将于2017年11月份完成。

索比光伏网讯:摘要:目前P型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。然而，不断追求效率提升和成本降低是光伏行业永恒的主题。
与传统的P型晶硅电池相比，N型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势，具有更大的效率提升空间和潜力，是高效电池技术路线的必然选择，而且随着电池新技术的引入，N型晶硅电池的效率优势会越来越明显。

其中，多晶硅电池组件转换效率不低于15.5%，单晶硅电池组件转换效率不低于16%。目前，市场上一线品牌的多晶硅组件转化效率一般达到16%以上，单晶硅的转化效率一般在17%以上。
往期精彩瞬间此次，365光伏邀请隆基乐叶、锦浪科技、固德威、首航新能源、三晶电气、泰坦光伏、史陶比尔、雷乐电子、晶科能源等光伏产业链领先企业、中小微开发商与建设商，保险、检测认证等第三方机构，结合各自的真实案例

单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关，通过降低硅片中的氧含量，采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减。而多晶PERC的光致衰减还未研究清楚。
PERC电池的光致衰减虽然P型晶体硅电池普遍有光致衰减作用，但PERC电池相较其他晶体硅电池更高的衰减，尤其是多晶PERC电池，较多晶常规电池的光致衰减高6~10%。

贺利氏全新的SOL9641B系列可适用于ULDE和PERC单晶硅和多晶硅电池，该系列采用改良的副栅线设计，可显著提升电池效率（最多可提升0.2%）。优良的接触性能和更大的吸光面可确保效率的大幅提升。
两次印刷正银浆料组合9642A/9642B兼顾上一代产品的所有优势。升级版两次印刷的SOL9642A和SOL9642B正银浆料组合，兼顾了SOL9641A和9641B系列的所有优势。

因此在无网结浆料设计上，贺利氏光伏的研发团队和PML紧跟市场动向，选择了SOL9641B这一强大产品平台，更是荣幸的能和亿晶光电战略合作，开发出SOL9641BX无网结网版浆料这一成功的定制服务案例。
亿晶光电着重拓展单晶PERC产能，目前拥有700兆瓦PERC单晶产能。亿晶光电的单晶PERC组件量产输出功率集中在295W~305W。

并有在长期热胀冷缩的运营环境下，材料与硅电池的“热匹配”性，以防止晶硅电池产生微裂。
保利协鑫的公告中称，收购能够“大幅改善其单晶锭生产的拉晶效率和质素”，如果这一技术能够量化为产能，那么保利协鑫单晶硅生产的成本优势就能显现。

太阳能电池，是基于光生伏特效应开发出来的一种光电转换器件，日前国际光伏市场上的太阳能电池主要有晶体硅（包括单晶硅、多晶硅）、非晶／单晶异质结（HIT）、非晶硅薄膜、碲化镉（CdTe）薄膜及铜铟硒（CIS
HIT电池特点有：1、结构对称，相比传统晶体硅电池，HIT电池的工艺步骤更少；2、低温工艺，其最高工艺温度不超过200℃；3、高开路电压，其Voc达到了750mV；4、温度特性好；5、光照稳定性好，HIT