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日本在InGaN中形成量子点，为利用所有波长太阳光开辟道路

来源：索比光伏发布时间：2018-01-23 16:51:02

索比光伏网讯:日本物质与材料研究机构2013年12月6日宣布，通过在太阳能电池材料氮化铟镓（InGaN）中形成多重量子点（中间带），成功利用了波长为450～750nm的太阳光。

来源：索比光伏发布时间：2014-07-04 08:16:49

在GaNAs上生长InAs时，自组织生成高为3～4nm、直径为20～30nm的量子点。同时，超晶格结构导致量子点之间产生结合后，在传导带上形成微带，使各种波长的光吸收成为可能。

来源：索比光伏发布时间：2014-07-04 00:00:00

来源：索比光伏发布时间：2013-12-23 14:03:00

日本物质与材料研究机构2013年12月6日宣布，通过在太阳能电池材料氮化铟镓（InGaN）中形成多重量子点（中间带），成功利用了波长为450～750nm的太阳光。

来源：索比光伏发布时间：2013-12-18 07:21:33

来源：索比光伏发布时间：2013-12-18 00:00:00

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