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综合
陕西西安：“十四五”加快PERC+、TOPCON、HJT等新兴技术研发
来源：索比光伏
发布时间：2022-10-25 22:00:51
整合现有科研院所及高校资源，联合芯片设计和制造企业，积极
推进
SiC
、GaN等第三代半导体技术研发和产业化。2．智能终端。
高标准
推进
国家新一代人工智能创新发展试验区建设。
陕西光伏市场
富士
电机
推进
SiC
MOSFET实用化，首先用于光伏逆变器
来源：索比光伏
发布时间：2014-06-03 00:00:00
索比光伏网讯:
富士
电机
开始
推进
SiC
MOSFET的实用化。最初打算用于该公司2014年8月开始量产的大型光伏电站用逆变器，该逆变器的输入电压为DC1000V、输出功率为1000kW。
富士
电机
推进
SiC
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