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导读：太阳能电池是一对光有响应并能将光能转换成电力的器件。能产生光伏效应的材料有许多种，如：单晶硅，多晶硅，非晶硅，砷化镓，硒铟铜等。它们的发电原理基本相同，现以晶体为例描述光发电过程
贡献。能量大于禁带宽度Eg的光子才会对电池输出贡献能量Eg，大于Eg的能量则会以热的形式消耗掉。因此，在太阳能电池的设计和制造过程中，必须考虑这部分热量对电池稳定性、寿命等的影响。有关太阳电池的

、中国工程院院士、冶金法太阳能级多晶硅产业技术创新战略联盟理事长、上海普罗新能源有限公司总裁、爱国志士闻一多先生的堂侄，于2010年逝世，享年74岁。 1999年当选为中国工程院院士，长期从事等离子体
人才，对我国光伏产业的发展做出的杰出的贡献有：《太阳能工程技术》，兰州大学出版社，2001年《电力百科全书核能与新能源分册》，2001年《太阳电池及其应用》，科学出版社，1985年

导读：据台湾媒体报道，经济部能源局昨天公布由工研院研发的金属贯式背电极太阳电池，将多晶硅太阳能电池效率推到17.2%，挤入全球第四名。据台湾媒体报道，经济部能源局昨天公布由工研院
研发的金属贯式背电极太阳电池，将多晶硅太阳能电池效率推到17.2%，挤入全球第四名。工研院绿能与环境研究所副所长陈秋麟表示，过去传统的多晶矽太阳能电池电极是做在太阳能板的正面，正面会看到一条一条的

，这将为下一个黄金十年期的开启奠定基础。从2017年光伏全产业链各个环节来看:我国硅料产量为24.2万吨，占全球多晶硅产量比重为54.8%,有6家企业进入世界前10位;我国硅片总产能为105GW
明显的降价的空间。硅片:金刚线切割渗透接近尾声硅片的工艺分为两个方面: 一是长晶工艺，包括单晶硅的直拉法和多晶硅的铸锭法，对应设备分别为单晶硅生长炉和多晶硅铸锭炉。二是切片环节，目前

取得世界晶硅电池的最高效率。 2.5 隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池 德国Fraunhofer研究中心在电池背面利用化学方法制备一层超薄氧化硅(～1.5nm)，然后再沉积一层掺杂多晶
提供了一种选择。 2.6 多晶硅氧化物选择钝化接触(POLO)太阳电池 德国哈梅林研究所(ISFH)Peibst等致力于P型单晶硅太阳电池的研究，结合多晶硅和氧化从而形成全钝化接触，称之为POLO

，硅片环节主流技术路线为多晶硅片。单晶硅片由于成本较高被视为硅片中的高端产品。在生产过程中，多晶硅片主要是将原材料多晶硅料进行铸锭后切片形成的硅片，相较于采用拉晶技术的单晶硅片杂质较多，故而
光伏背膜主要产品包括FFC、TPT、TFB、KFB等结构背膜，同时成功研发了透明太阳电池背膜、1500V系统电压太阳能背膜、黑色红外高射太阳电池背膜等多种性能的背膜产品，满足不同组件以及应用场景的需求

市场，德国及后来整个欧洲市场，主要采用德国设备。引导太阳电池国内发展潮流，同时带动超白玻璃、银、铝浆料、EVA、背板等相关产业。单、多晶硅片(2006-2009)- 赛维LDK、晶龙、隆基、中环
沈辉教授介绍，我国光伏产业从2003年发展至今，经历了突飞猛进的四部曲。晶体硅太阳电池、组件(2003-2007) - 尚德、天合、英利、晶科、阿特斯、林洋等，背景：光伏灯具等应用产品，我国西部

，这将为下一个黄金十年期的开启奠定基础。从2017年光伏全产业链各个环节来看:我国硅料产量为24.2万吨，占全球多晶硅产量比重为54.8%,有6家企业进入世界前10位;我国硅片总产能为105GW
和多晶硅的铸锭法，对应设备分别为单晶硅生长炉和多晶硅铸锭炉。二是切片环节，目前主要采取金刚线切割的方式，对应的设备和耗材分别为切片机和金刚石线。从成本端来看，扣除硅料的影响外

。这就为太阳能电池表面钝化技术提出了挑战，为了在硅片薄化的过程中仍然保持电池的高转化效率，对晶体硅太阳电池表面钝化技术的研究是必不可少的。因此，无论是提高太阳能电池的转换效率，还是降低太阳能电池的
的氧化层和重掺杂的多晶硅层组成，可以实现载流子的选择性通过，多子可以穿透这两层钝化层，而少子则被阻挡，可以实现电池整面的钝化接触，提高电池的转换效率。基于TOPCon结构的电池，Fraunhofer在

1MW屋顶光伏发电站所需电池板面积一块235W的多晶太阳能电池板面积1.65*0.992=1.6368㎡， 1MW需要1000000/235=4255.32块电池，电池板总面积1.6368
=1895953.86KWH =189.6万度实际发电效率 太阳电池板输出的直流功率是太阳电池板的标称功率。在现场运行的太阳电池板往往达不到标准测试条件，输出的允许偏差是5%，因此，在分析太阳电池

十年间，中国光伏产业由两头在外发展成为掌握全产业链核心工艺和设备，这将为下一个黄金十年期的开启奠定基础。从2017年光伏全产业链各个环节来看:我国硅料产量为24.2万吨，占全球多晶
新建硅料产能逐步向电价较低的西部地区转移，长期来看硅料仍具备明显的降价的空间。硅片:金刚线切割渗透接近尾声硅片的工艺分为两个方面: 一是长晶工艺，包括单晶硅的直拉法和多晶硅的铸锭法

，但是，中国的优秀企业家消化国外的先进技术，推动了中国光伏发展步伐领先全球。目前半导体材料技术、晶体硅生产工艺基本原理很难被颠覆，万变不离其宗。异质结等新型硅基太阳电池有更大的发展空间，也是
开始的，这是没有疑问的，首先是贝克勒尔19岁的时候做电化学实验，就发现了光电流现象，然后就是德国的赫兹做无线电发现了光电效应。我们搞太阳电池是跟爱因斯坦有巨大关系的，因为爱因斯坦给了光子的概念

，年化产能利用率仅有74.6%，低于上下游的多晶硅和电池片环节。尽管面临过剩，由于新产能的生产成本较既有产能有明显优势，2018年硅片的产能仍在大举扩张，其中单晶硅片从46GW增加至73GW，同比
增长60%，增量主要来自隆基、中环等龙头企业的扩张，多晶硅片从98GW增加至114GW，同比增长17%，主要来自金刚线改造带来的切片产能自然增加。过剩背景下，硅片行业的规模效应和马太效应

上市，后有英利被纽交所摘牌，高纯度多晶硅制造商新疆大全新能源股份有限公司也宣布撤离新三板，正式摘牌。不仅大陆的企业如此，台湾的光伏企业亦难独善其身。受531新政的波及，台湾老牌光伏企业茂迪太阳能也接连靠裁员关
太阳能组件和电池最多征收30%的关税。紧随其后，印度也宣布对中国太阳电池起征保障性关税。而2018年8月31日，国内的光伏企业也迎来了好消息，欧盟委员会宣布，对华光伏产品反倾销和反补贴措施将于9月3日

在光伏电池片的技术路线发展过程中，效率提高是永恒的主题。目前P型单多晶PERC电池片技术已成为市场上的主流，而选择性发射极技术(selective emitter, SE)因其提高转化效率、与
680mv，较非SE电池效率提升0.4%。摩尔光伏实验数据显示，通过优化激光掺杂选择性发射极太阳电池制备工艺，采用SE技术后，既降低了硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命