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以圆焊带、9根主栅、半片封装、单晶掺镓电池、166mm硅片为主、双面封装双面发电渐成主流，72片封装版型可实现功率450瓦且还有额外10%的背面发电增益，就是这短短的两年多一点的时间，我们在组件
一如既往，我先把本文的核心要点罗列出来，然后我们再逐步阐述 1、技术方面：过去两年是光伏技术进步最为迅速的时期(没有之一)，一块72版型组件的主流功率由2018年的325瓦提升至现在的450瓦

余电上网的并网模式，系统不设储能装置。光伏组件：双面PERC半片单晶硅...，逆变器按组件总功率的1.2及以上配比;逆变器数据通过GPRS、WIFI采集... 二、投标人的资格要求： 1.满足
13694829588 代理机构联系方式：代理机构：江西惠丰招标咨询有限公司代理机构联系人：高女士 15180617792 代理机构地址：九江市开发区长城路121号恒盛科技园12号楼B区

招标项目所在地区：陕西省一、招标条件本项目已通过审批，项目资金来源为企业自筹且已落实，招标人为永寿新能源公司。本项目已具备招标条件，现进行公开招标。二、招标范围：单晶双面440
光伏组件采购。投标方的工作内容包括：光伏组件、组件正负极的引出线、正负极专用插接件等的设计生产;供货范围内所有材料、元器件的选择、设计、制造、质检、试验(包括生产过程试验、出厂试验)等;根据项目进度

：Ingrid Repins) 标准更新内容包括： - 增加了对双面组件的特殊试验要求，包括对热斑、紫外、热循环、旁路二极管等试验及Gate No.1和Gate No.2判定的影响。其中，Gate No.2
样品保持相同的设计。 - 增加PID试验序列，测试方法参照IEC TS 62804-1标准。对于双面组件，PID试验后背面增加2 KWh/m2的光衰。 - 在UV测试后增加动态机械载荷试验，测试

。Sunfolding在美国和澳大利亚运营。10月，该公司完成了由G2VP和Macquarie Capital牵头的3200万美元B轮增长融资。 Array Technologies的改造和
RapidClamp Array Technologies是单轴跟踪器的祖父，事实证明它比某些较新的设计更具弹性。该公司最近使用DuraTrack HZ v3单轴太阳能跟踪器和双面面板为OCI

IEC 60891中适用的方法来对正面等效辐照度进行校准直至m1的不确定度符合要求。同时在进行Gate No.2 判定时, 不需要再进行双面系数的复测。 5. 对于双面组件的PID极化效应，背面
最高点附加连接一个合适的热电偶然后再次通1.35倍反向电流2h。测试结果判定中也增加了对于组件测试过程中最高温度的限制范围。 4. 由于双面组件的大量应用，不同于上次会议对于双面测试条件的讨论，此次

12.3A(表2.2)，叠加双面电池技术后短路电池更高，逆变器风险进一步增大。表2.3 不同尺寸硅片组件基本参数对比硅片薄化是未来趋势，M6更具优势目前主流硅片尺寸在180m，而硅片薄片化对于
中节能太阳能镇江)在大硅片尺寸组件上的探索。一、大尺寸已成行业趋势 (a)硅片尺寸发展历程硅片尺寸经历了三次主要的变革：第一阶段1981年-2012年，硅片尺寸以100mm、125mm为主

因素主要有三点，第一是水面电站可以降低组件表面的温度，减少温度对发电量的影响;其次，漂浮电站布局更紧凑，适配比地面电站小很多;第三，水面灰尘少，浮体有很好的光线反射作用，与双面组件的应用相得益彰。不过
，国内企业在海外市场多次中标大型水面电站项目，在全球市场扮演着重要的角色：2019年底，中国能建山西院和泰国B.Grimm公司联合中标了泰国最大水面浮体光伏项目，容量58.5MW。2020年2月杭州赛芳

/GW，转换效率24%+，良品率98%+，硅片厚度160m以下，MBB技术或SWCT技术，银浆国产化，靶材国产化)，HJT的非硅成本比Perc只高出0.15元/W左右。而HJT组件因温升系数、双面率
被打破，内生性的变量也会发生相应的变化。我们认为，主要的影响体现在： (1)全球新增装机量将出现大幅下滑。 (2)光伏组件价格及制造业各环节利润将出现大幅下跌。五、内生性变量的间接影响

一期领跑者项目中，居然出现了多晶60的265W，无他且唯一，是阳光电源B9阵列采用的阿特斯多晶组件。原因未知，敢和多晶270W以及单晶280瓦同场叫板，或许有其独门秘籍! 亮点3：能把单晶60做到285和
组件的A6阵列由于采用的双面组件，其衰减率由于背面发电导致计算结果为负值。【小结】如果仅从第三年的组件发电量衰减来看，由乐叶、晋能、正泰、阿特斯组件所安装的其中四个阵列实证监测衰减数据表现最为

左右，由于功率较高，能够有效摊薄组件和 BOS 成本，TOPCon 电池 23%的效率已经和 PERC 电池 22%效率的系统端成本持平，加上 TOPCon 组件高双面率、低衰减特性，综合
发电能力更强，已经成为更具有优势的选择;HJT(异质结)成本较 TOPCon 高 1.4 元/片，目前效率以及组件功率跟 TOPCon 相当，双面率和抗衰减能力也相当，性能相近的情况下系统端成本高

硅片产能，组件也有一小部分，主要做叠瓦的研发，这两个板块的布局考虑到验证我们自己产品性价比，做技术储备。我们内部跑出来，我们组件和硅片很多核心技术，如果量产还是有竞争优势的，如果全行业都做一体化的话，通威
也有优势，一体化大部分硅片往下游，或者组件往下游，一般到硅片端停止。但是我们有硅料环节的地位，我们更具有协同优势和产能优势，但是我们做好储备。我们仍然认为行业内专业分工为主，共同努力做下成本，促进终端