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实现了小批量生产，但规模量产仍需要一定时间。钧石能源起步较早，作为设备供应商有研发和量产硅基薄膜太阳能电池生产线的经验，于 2010 年开始研发高效单晶异质结电池，在 2016 年建成 100MW
结 PECVD 设备的开发，公司开发的设备具有抽屉式反应腔和双真空反应腔等优势，适用于从中试线的研发到产业化的全过程。2017 年 10 月，公司首台异质结电池量产型 PECVD 顺利交付、打破

项目。 ③太阳能电池将硅片加工为太阳能电池，是实现光电转换最为核心的步骤。太阳能电池制造环节是资本和技术双密集型行业，要求企业及时跟进最新的电池制造技术以提升电池效率，太阳能电池的转换效率
越高，生产成本越低，越有利于太阳能发电系统的应用。根据所用材料的不同，太阳能电池可分为三大类：第一类为晶体硅太阳能电池，包括单晶硅和多晶硅;第二类为薄膜太阳能电池，包括硅基薄膜、化合物类以及有机类

四大种类中的三大先进技术(另一为美国掌握的碲化镉技术)。目前，汉能的砷化镓薄膜电池转化率已高达31.6%，这一成果经过了美国国家可再生能源实验室认证验证为砷化镓双结电池转化率世界纪录。在十三五时期
新能源汽车五大领域，在各种光伏和清洁能源技术当中备受瞩目，汉能淄博铜铟镓硒薄膜电池项目也获得国家专项建设基金支持。此前，汉能通过极具战略性的海外并购，拥有了硅基薄膜、铜铟镓硒、砷化镓三种技术，占据了薄膜电池

硅材料目前是太阳能电池的主导材料，而非晶硅太阳能电池使用的硅材料约为晶硅电池的百分之一，大大降低了原材料成本。双结硅基薄膜光伏组件是由玻璃基板，透明导电层，半导体层等构成。双结硅基薄膜光伏组件可应用

(另一为美国掌握的碲化镉技术)。目前，汉能的砷化镓薄膜电池转化率已高达31.6%，这一成果经过了美国国家可再生能源实验室认证验证为砷化镓双结电池转化率世界纪录。在十三五时期，光伏产业有望迎来薄膜
清洁能源技术当中备受瞩目，汉能淄博铜铟镓硒薄膜电池项目也获得国家专项建设基金支持。此前，汉能通过极具战略性的海外并购，拥有了硅基薄膜、铜铟镓硒、砷化镓三种技术，占据了薄膜电池四大种类中的三大先进技术

的研发和创新体系，多年持续保持四项转化率全球领先地位。2016年，汉能旗下三家美国全资子公司均持续呈现良好的技术领先表现。其中Alta Devices砷化镓双结太阳能电池转化率达31.6%，这也
企业Solar Frontier去年新扩了150兆瓦铜铟镓硒产能。我国的汉能通过多年来持续的巨资投入及自主研发，囊括整合了硅基薄膜、铜铟镓硒、砷化镓（GaAs）等完整的薄膜技术路线，建立了全面

均持续呈现良好的技术领先表现。其中Alta Devices砷化镓双结太阳能电池转化率达31.6%，这也是该公司自2010年以来，第六次刷新世界纪录。Global Solar Energy的铜铟镓硒柔性
多年来持续的巨资投入及自主研发，囊括整合了硅基薄膜、铜铟镓硒、砷化镓（GaAs）等完整的薄膜技术路线，建立了全面的研发和创新体系，多年持续保持四项转化率全球领先地位。2016年，汉能旗下三家美国全资子公司

%。2016年旗下三家美国全资子公司均持续呈现良好的技术领先表现。其中Alta Devices双结太阳能电池转化率达31.6%的世界纪录，这也是Alta公司自2010年以来，第六次刷新
21.38亿及7.11亿港元，占上半年总收入的86%。技术价值得到持续释放在薄膜发电核心技术方面，汉能通过多年来持续的巨资投入及自主研发，囊括整合了硅基薄膜、铜铟镓硒(CIGS)、砷化镓

领先表现。其中AltaDevices双结太阳能电池转化率达31.6%的世界纪录，这也是Alta公司自2010年以来，第六次刷新世界纪录。GlobalSolarEnergy的CIGS柔性薄膜发电模块
86%。技术价值得到持续释放在薄膜发电核心技术方面，汉能通过多年来持续的巨资投入及自主研发，囊括整合了硅基薄膜、铜铟镓硒(CIGS)、砷化镓(GaAs)等完整的薄膜技术路线。建立了全面的研发和创新

良好的技术领先表现。其中Alta Devices双结太阳能电池转化率达31.6%的世界纪录，这也是Alta公司自2010年以来，第六次刷新世界纪录。Global Solar Energy的CIGS柔性
上半年总收入的86%。技术价值得到持续释放在薄膜发电核心技术方面，汉能通过多年来持续的巨资投入及自主研发，囊括整合了硅基薄膜、铜铟镓硒(CIGS)、砷化镓(GaAs)等完整的薄膜技术路线。建立了全面的研发

讲，当今和未来一段相当长时间，晶硅发电技术仍然占据太阳能发电主流，目前90%以上太阳能发电技术利用晶硅技术。在实际应用过程中，与双结硅基薄膜组件相比较，多晶硅组件的优点主要体现在： (1
)单位面积输出功率更高。1平米的双结硅基薄膜组件输出功率约为78Wp，而相同面积的多晶硅组件的输出功率约在147Wp。 (2)除组件外，其他配套产品的成本更低。因晶硅组件的单位面积出功率约为双结硅基薄膜