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布局，如中环与协鑫硅业、隆基与永祥的长期战略合作，在多晶需求持续低迷的情况下，预估2019年单晶占比将达到57%。旧产能搬移长晶设备新产能转产单晶今年初仍有降价空间的单晶硅片，为占取多晶硅片
电价较低的地区移动，与此同时企业选择的做法为直接转产单晶硅片项目。像是阿特斯除了将1GW多晶铸锭车间搬至内蒙包头，也有2GW单晶拉棒的产能;环太亦规划在内蒙包头兴建单晶厂，初期规划为1.5GW，二期再

，蒋文武表示。高效铸锭技术与黑硅技术引领硅片市场除了多晶硅环节，保利协鑫在硅片环节也在持续创新突破。保利协鑫晶切二部副总裁金善明在大会上表示，基于现有铸锭炉的升级改造，优化热场设计，多晶电池
效率可以提升0.08-0.10%;铸锭单晶与Cz单晶PERC电池的平均效率差在0.3%以内，由于面积及氧含量优势，组件功率甚至高于CZ单晶。 9月18日，协鑫集成宣布，以保利协鑫铸锭单晶硅片为材料的

*因应近期310W组件需求提升，PV Infolink自上周开始列出21.5%以上单晶PERC电池片价格价格说明新增之菜花料报价主要使用在多晶长晶，致密料则大多使用在单晶。 PV
前，硅片价格已经触底，低价成交也会随着开工率下修而随之减少。下周将观察单晶硅片在月底是否会调整价格，但由于本周开始下游的单晶产品需求变旺，因此目前认为价格调整的可能性较小。电池片受到欧洲市场的

加强。 10 大领跑者基地不同单晶技术路线中标项目资料来源：公开资料整理 1)硅片环节每片成本差距很小单晶这两年的降本，并不全是靠金刚线，拉晶技术的显著升级则是另一半重要因素，不管是
投料量、成晶率、提拉速还是耗电量均大幅改善提升。目前每公斤的拉晶非硅成本已不到50元。与铸锭非硅成本相比，每片差距0.3-0.4元左右。未来，铸锭成本已较低，下降空间有限;而拉晶保守还有30%的

来源：PVInfolink 硅料受到八月国内硅料厂商检修幅度进一步扩大的影响，本周多晶菜花料仍略显紧张，国内价格维持小幅上涨。单晶致密料则是拉货力道略显减弱，但在检修的影响下，现货不多，价格
已不复见。硅片硅片在本周仍是均价全面维持，但高、低价部分别有所变化的局面。单晶硅片方面，中环上周宣布180m厚度常规单晶硅片价格每片3.16元人民币、低阻单晶硅片每片3.23元人民币、高效低阻

第五代CCZ拉晶技术、硅烷流化床颗粒硅技术及其附属公司SunEdison ProductsSingapore、MEMC Pasadena和Solaicx的部分技术和资产。公开资料显示，江苏中能是
单晶硅片兼具了多晶铸锭硅片产品技术优势为高产能、低光衰、低封装损失的优势，以及Cz单晶产品转换效率高、位错密度低、可以采用碱制绒工艺的优势。在叠加PERC技术后，铸锭单晶与Cz单晶效率差仅为0.18

CCZ高效单晶技术在光伏产业中，技术的革新总是来得十分猛烈。2018年，一种叫做连续直拉单晶(CCZ)的高效单晶技术从象牙塔中走了出来。相比业界主流应用的多次拉晶(RCz)技术，CCZ技术生产
效率提升20%以上，综合生产成本降低10%以上。通过CCZ技术生产出来的产品轴向电阻率、氧含量都是均匀的，更加适用于P型PERC电池工艺及更加高效的N型电池工艺，并且是掺镓P型硅片最有效的拉晶技术

多晶硅生产工艺技术研究取得重大突破。据亚洲硅业(青海)有限公司副总工程师宗冰介绍，颗粒硅主要用于单晶硅连续拉晶加料、高效多晶硅铸锭铺底以及西门子法块状多晶硅填隙增加装炉量，高品质，低成本的产品
采用了新型反应器内衬设计及具有自主知识产权的高纯晶种制备工艺，产品质量达到流化床法颗粒硅国家标准GB/T 35307-2017(亚洲硅业参与制定)最高等级，满足单晶拉制要求。第四，该技术生产的

并购，也包括江苏中能此前收购的SunEdison第五代CCZ拉晶技术、硅烷流化床颗粒硅技术及其附属公司SunEdison ProductsSingapore、MEMC Pasadena和
事项，但基于公司认为本次交易有利于公司抓住太阳能电池用单晶硅材料、高效电池组件、半导体材料高速发展的历史机遇的判断，中环股份还是决定进一步修改、补充、完善发行股份购买资产并募集配套资金暨关联交易方案及相关

硅料本周硅料价格基本持平，并且由于不论海内外、一二线硅料厂的检修、减产幅度都加大，因此整体市场的供应逐步减少，低价的部分也因此些微垫高。目前看来多晶的需求有回温现象，拉货力道平稳，也将菜花料的
，因此保持在每公斤10美元上下。硅片硅片价格本周也几乎持平，单晶的价格基本无调整，虽然七月多晶需求回升，但单晶硅片也有一定的需求支撑。而多晶硅片方面，多数企业的库存已回到合理水位，因此均价方面些微

，效率和成本方面。目前，最新的全自动连续拉晶生长炉每月可以生产单晶硅圆棒4500公斤左右，每公斤单晶硅的非硅成本在30元以下，电费为0.75元/每度。目前，市场上的晶体生长炉每一个月可以生产单晶硅圆棒

电阻率，从而提高电池效率，同时还能够达到抑制光衰减的目的。 7)提高掺硼P型直拉单晶硅棒的质量。首先从多晶硅料的料源入手，避免掺入过多的其他不合格的次品硅料，如IC的废N型硅片或复拉的埚底料等，均会
激磁电源并配置磁场设备，增加了工艺难度与生产成本。降低硼的掺杂浓度，使用得到的高阻材料制作电池(如5-10cm)，但在制作背场时需要较高的工艺要求。 5)采用区熔单晶硅技术。区熔单晶硅技术不仅

实现采用P型提拉法硅片太阳能电池的大规模生产，平均效率超过20.5%。不仅如此，实验结果还显示，同样的技术应用在基于种晶定向凝固法制备得到的高质量多晶硅(多晶硅)片的太阳能电池上，并结合陷光技术后，其
方法与先进陷光方案相结合，同样可以将使用铸造型多晶硅片制造的PERC电池的平均效率控制在20%左右。实验详细信 PERC电池实验原料采用的是太阳能级硅片，由掺硼的P型提拉法单晶硅锭切割而成。这些