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(CZ 法)和区熔法(FZ 法)。CZ 法是利用旋转着的籽晶从坩锅中的熔体中提拉制备出单晶的方法，又称直拉法。目前国内太阳电池单晶硅硅片生产厂家大多采用这种技术。具体方法为将多晶硅料置于坩锅
中加热熔化，待温度合适后，经过将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤，完成一根单晶硅锭的拉制。 FZ 法的制备原理是对锭条的一部分进行熔化，熔化的部分称为熔区，当熔区从头到尾移动

单晶硅片领域渗透率为100%，在多晶硅片领域渗透率接近90%。光伏装机增长明确，推动金刚石线需求高增长。在全球碳中和进程持续推进及光伏发电成本持续下降背景下，预计至2025年全球光伏装机规模320GW
生产领域的规模及成本优势;此外，向上游延伸实现母线自供，公司与奥钢联合作开发钢材，并向其采购黄丝由子公司宝美升拉制为母线，2019年自供成本是外采的42%左右，降本优势明显。加速横向拓展突破行业天花板

近日，FerroTec银川工厂再创佳绩，成功拉制出620mm(24英寸)高品质大尺寸单晶硅棒! FerroTec集团是全球知名的半导体产品与解决方案供应商，集团在全球投资半导体相关材料、装备
大尺寸、高品质单晶硅棒拉制成功的重大突破。这也是多年来上海汉虹在半导体装备行业技术与经验积累的再一次全面提升，对有效提升Ferrotec集团在半导体产业的核心竞争力和我国半导体产业供应链的整体水平具有重要的战略意义。

合作方已完成颗粒硅单晶拉制批量应用，但是短期处于小批量应用状态，而且面临产能较低和成本高问题，未来如果产能成功扩大，下游大批量应用，届时将是硅料环节新一轮竞赛起点。 2.2、硅片、电池片、组件大规模
：硅片薄片化和大尺寸趋势明确，头部厂商进入新一轮扩产周期。隆基和中环在单晶硅片环节的产能占比高达70%以上，呈现双寡头垄断格局，市场亟需独立第三方供应商。假设21年Q1硅片总需求为36GW，210mm

，京运通过去是专业设备的供应商，现在把自家设备用作生产工具，向下游硅片环节渗透。京运通明确表示，新签的乐山项目将使用自家研发的1600型单晶炉拉制硅棒，适配210硅片生产线。上机数控同样是硅片新势力
的机会。记者了解到，京运通已成功研发JD-1600全自动软轴单晶炉，该炉型兼容32-40寸热场，最大投料量达900公斤，可拉制12英寸或以下的单晶硅棒。其中，12英寸硅棒可用于切制目前市场上最大

，京运通披露，与四川乐山政府方面签订了建设总投资约70亿元的24GW单晶拉棒、切方项目及相关配套设施。项目将使用1600型单晶炉拉制硅棒，适配210大硅片生产线。消息披露后，京运通股价当天涨停
210大硅片未来的供应和需求有信心。天合光能最近公告披露，20212025年，公司将每年向上机数控采购不少于4GW单晶硅片，对应210mm尺寸的单晶硅片4亿片，5年总计20GW，对应的210mm

人民政府指定高新投以产业资金(基金)在项目公司的出资金额不超过12亿元。公告显示，上述项目将使用1600型单晶炉拉制硅棒，适配210mm硅片生产线。将分两期实施，其中一期投资约40亿元。先期建设一期
成功拉制出首颗6英寸P型高阻区熔气掺单晶，该技术的突破提升了公司的技术水平;今年上半年高端装备事业部成功研发JD-1600全自动软轴单晶炉，JD-1600炉可拉制12英寸或以下的单晶硅棒，12英寸硅棒

) 解读协鑫的科研技术，要先从协鑫速度说起。如果从1959年我国成功拉制出硅单晶算起，我国硅材料产业经历近半个世纪的发展历程，到2005年全国多晶硅产量仅有60吨。相比较而言，全球多晶硅几大巨头的
用于单晶硅连续拉晶加料、高效多晶硅铸锭铺底以及块状多晶硅填隙增加装炉量。高品质、低成本的颗粒硅在目前市场供不应求。相比传统工艺，FBR不仅生产技术流程更短、后处理工序更少，还将使投资强度下降30%，生产电耗

技术进步主导价格下降，行业呈现轻资产高 ROE 属性技术进步成为驱动各环节成本下降的主要动能。光伏各环节技术更新迭代速度极快，从多晶到单晶，再到 PERC、PERC+，以及正在产业化导入阶段的
全产业链生产效率提升，降本增效效应明显。 1)硅片环节：大尺寸硅片单位质量方棒拉制成本较低，总成本具备优势。受益于拉晶环节成本优势，大尺寸硅片非硅制造成本较低。以 M9、M10、M12 为例，三类

合作方已完成颗粒硅单晶拉制批量应用，头尾寿命、尾碳、成晶率、单产、转换效率均领先行业水准，极大地满足下游客户需求。
用于单晶硅连续拉晶加料、高效多晶硅铸锭铺底以及块状多晶硅填隙增加装炉量。相比传统工艺，FBR不仅生产流程更短、后处理工序更少，还将使投资强度下降30%。同时，颗粒硅形似球状，流动性好，更好满足复投料尺寸