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索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失
会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的

处于很低水平时，电池的效率才会超过21%。当电池的厚度超过110m时，效率的提升幅度明显降低。2.实验　　2.1、PERC电池的制备工艺流程实验采用标准156mm156mmP型单晶硅片，扩散后方阻均为
的硅片原始厚度为180~190m，硅料消耗成本大幅降低，极大地促进了光伏产业的迅速发展。采用金刚线切割技术可以切割出厚度为100m的硅片，将超薄电池的工艺技术又推进了一步。Jan Hendrik

转化效率记录，大面积HBC电池最高效率已达到25.6%，展现了强大的发展潜力。　　图1 ITRPV2015晶硅电池效率预测　　图2 ITRPV2015不同类型硅片市场份额预测　　表1 部分机构N型单晶
型结构，在156*156mm2大面积单晶硅片上实现转化效率21.3%（Jsc=39.8mA/cm2，Voc=677mV，FF=80.5%），电池结构如图8所示。其正面发射结利用APCVD的方法沉积硼硅

索比光伏网讯:杜邦光伏解决方案(DuPont Photovoltaic Solutions)近日宣布与英利绿色能源(Yingli Green Energy)合作，协助其推出高效单晶组件。该组件采用
杜邦新一代正面导电银浆Solamet PV19B，大幅提升电池转换效率达19.8%，60片电池的常规组件输出功率可达275瓦；同时该组件也采用基于杜邦特能 (Tedlar) 聚氟乙烯(PVF)薄膜制成

组件背面所替代。由于光生载流子需要穿透整个电池被电池背表面的pn结所收集，故IBC电池对硅片本身的质量要求较高，需采用载流子寿命较高（纯度较高）的硅晶片材料，一般采用质量较高的n型FZ单晶硅作为衬底材料
引入了大量的复合中心。此外，当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度Sb对太阳电池特性的影响也很明显。而从商业太阳电池来看，为了降低太阳电池的成本和提高效率，现在

大会开幕活动更加强化了未来中国的减排义务。 2.产业规模（1）产业规模：2015年全球硅片产量中国大陆占76%；图1.2015年全球硅片生产布局情况（2）行业产值：2015年前
规划：（A）计划2020年将非化石能源占一次能源消费比重提高到15%左右，2030年提高到20%；（B）2020年可再生能源发展目标：水电450GW，风电200GW，光伏150GW，太阳能热

的减排义务。2.产业规模（1）产业规模：2015年全球硅片产量中国大陆占76%；　　图1.2015年全球硅片生产布局情况（2）行业产值：2015年前三季度中国光伏行业仅制造业总产值已超过2000亿
，2030年提高到20%；（B）2020年可再生能源发展目标：水电450GW，风电200GW，光伏150GW，太阳能热发电1-3GW，生物质30GW；（C）2030年可再生能源发展目标：水电500GW，风电

在面临海外双反、无锡尚德破产的不利情况下，2014年我国多晶硅产量仍达到13．2万吨，同比增长57％；硅片产量达到38GW，同比增长28％；电池片产量达到33GW，同比增长32％；组件产量达到
35GW，同比增长27．2％。作为全球最大光伏市场，我国光伏产业链逐步从中下游向上游转变，我国光伏产业链各个环节均有企业进入全球前十，如多晶硅4家、硅片8家、电池片5～6家、组件5～6家，并且第一名均为