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证券市值（以下简称MVPHS）未能达到1500万美元最低市值的要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新
，中电光伏收到纳斯达克股票市场上市资格部的通知函，告知公司的MVPHS未能达到1500万美元的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定

了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新达到最低要求，有可能将被取消纳斯达克的上市资格。记者获悉，自2007年5
1500万美元的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定。通知函指出，中电光伏必须在未来180天内重新达到MVPHS的最低要求，在此期间

上市规定》第5450（B）（3）（C）条之规定，因而收到了纳斯达克的退市警告。彼时，如若未来6个月内中电光伏不能重新达到最低要求，有可能将被取消纳斯达克的上市资格。记者获悉，自2007年5月18日成功
的最低要求，违反了《纳斯达克上市规定》第5450（B）（3）（C）中MVPHS不得低于1500万美元的规定。通知函指出，中电光伏必须在未来180天内重新达到MVPHS的最低要求，在此期间中电光伏的证券

、生产、销售。是我国重要的太阳能电池片、太阳能电池组件和太阳能灯具供应商之一。隆基股份：公司的主营业务包括单晶硅棒、硅片的研发、生产、销售，主要产品包括 6 英寸、6.5 英寸、8英寸的单晶
硅棒、单晶硅片。金晶科技：引进美国PPG生产技术建设的600T/D超白生产线已成功生产出超白玻璃产品(太阳能辅助材料)，正打造国内最大的节能新材料基地。亿晶光电：亿晶光电的主营业务为单晶硅棒，单晶硅(多晶硅)片

并网售电取得收入和收益。东方日升：公司专注于太阳能应用产品的研发、生产、销售。是我国重要的太阳能电池片、太阳能电池组件和太阳能灯具供应商之一。隆基股份：公司的主营业务包括单晶硅棒、硅片的研发
、生产、销售，主要产品包括6英寸、6.5英寸、8英寸的单晶硅棒、单晶硅片。金晶科技：引进美国PPG生产技术建设的600T/D超白生产线已成功生产出超白玻璃产品(太阳能辅助材料)，正打造国内最大的节能

现有光伏企业、光伏产业园区为重点，依托大企业大集团，集中发展，链条化发展，着力打造有较强竞争力的光伏产业集群。力争到2020年，我区多晶硅产能达到10万吨，单晶硅产能达到4万吨，太阳能电池及组件超过
、热发电系统控制器、有机郎肯循环发电机等; 5、光伏生产设备：1)硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备;2)硅片晶圆生产设备：全套生产线、切割设备、清洗设备、检测设备

，高效单晶72片电池组件电池片遮挡处的绝对温度已经超过150C。而硅基半导体的PN结Tj标定值也只有150C。很明显，随着电池片效率的提升，组件热斑温度还将进一步升高，传统组件的设计已经不能满足组件长期
组件高，提高了光伏系统的经济收益。在同一实验环境下，选一件传统60片多晶组件和一件60片单晶无热斑组件测试发生热斑时对应电池片和旁路保护二极管的温度。实验结果证实，无热斑组件中热斑电池片温度基本没有变化

所示： (1)光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。 (2)电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻，以及
金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响将比

来自两个方面，如图1所示：（1）光学损失，包括电池前表面反射损失、正面电极的遮光损失以及长波段的非吸收透射损失。（2）电学损失，包括硅片表面及体内的光生载流子复合、硅片体电阻、扩散层横向电阻和金属电极电阻，以及
金属和硅片的接触电阻等的损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响将比

加工贸易手册的方式来避税。举例来说，正如单晶硅片厂商隆基股份的一名权威人士对《第一财经日报》记者所言，硅片厂于海外采购多晶硅，再制成硅片并对外大量出口，一进一出，海外采购的这部分多晶硅进口关税就不
报道也将焦点对准了多晶硅。以荣德系为例，其主要涵盖了扬州荣德新能源科技有限公司(下称扬州荣德)、镇江荣德新能源科技有限公司(下称镇江荣德)等两家光伏硅片厂。扬州荣德成立于2010年6月，主营多晶硅的

厚度的N型CZ硅片衬底，最高效率已达25%。SunPower目前拥有年产能为100MW的第三代（Gen3）电池生产线，并且还有年产能350MW的生产线在建。2014年该线生产的电池平均效率已高达
电池技术的研究进展图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图 2 IBC电池结构及工艺技术 IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的N型硅片衬底的背面形成相间的P+

本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失可以想办法改善
，低效片混入)。 D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。 E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。 F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要