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光电效应。当光线照射在半导体器件上时，在器件的两侧产生电压的现象，称为光伏效应。利用半导体的光伏效应把太阳的辐射能转变为电能的发电方式叫太阳能光伏发电。2）薄膜太阳能电池定义。是指光线照在厚度仅有数m的薄膜
的优点；化合物太阳能薄膜电池以铜铟镓硒薄膜电池为代表，具有高效、低成本、高转化率、可大规模工业化生产的优点；染料敏化太阳能电池由二氧化钛和染料等材料组成，优点是成本都相对便宜，制造简单，可用印刷的方法

等机构的研究人员借助常见的半导体工艺掺杂技术，给钙钛矿电池的无机界面层氧化镍薄膜重掺杂锂与镁，将其导电性提高了10倍左右。　　　　研究主要负责人、日本物质材料研究机构光伏材料组组长韩礼元解释说
13.6%;第二代为无机化合物薄膜太阳能电池，如铜铟镓硒电池效率达到21.7%;第三代电池仍处于研发阶段，包括染料敏化太阳能电池(效率达11.9%)、有机薄膜太阳能电池(效率达11.5%)和钙钛矿太阳能电池

光伏领域，标准的太阳能电池效率测定需要电池面积至少在1平方厘米以上。在新研究中，日本物质材料研究机构、上海交通大学、华中科技大学与瑞士苏黎世联邦理工大学等机构的研究人员借助常见的半导体工艺掺杂技术，给
2015年第46期《太阳能电池效率表》。薄膜太阳能电池可分为三代：第一代为非晶硅薄膜电池，最高效率为13.6%；第二代为无机化合物薄膜太阳能电池，如铜铟镓硒电池效率达到21.7%；第三代电池仍处于研发

范围内的研究人员仍在探索其他的富矿：利用太阳能直接驱动二氧化碳和水低温电解的方式。很多研究工作聚焦于吸光的半导体，例如利用钛基二氧化碳纳米管分解出一氧化碳、甲烷和其他碳氢化合物。到目前为止，类似的装置
甲烷和氢气作为运输燃料，使电动汽车大幅增加。但是对于长距离运输货车和其他重型交通工具以及航空业来说，现在却没有比液体燃料更好的选择了。支持太阳能的人称，应该找到一种利用可获取的化合物(如水和二氧化碳

。很多研究工作聚焦于吸光的半导体，例如利用钛基二氧化碳纳米管分解出一氧化碳、甲烷和其他碳氢化合物。到目前为止，类似的装置效率仍不够高；很多时候，它们仅能把不足1%的输入太阳能转化成化合物
电动汽车大幅增加。但是对于长距离运输货车和其他重型交通工具以及航空业来说，现在却没有比液体燃料更好的选择了。支持太阳能的人称，应该找到一种利用可获取的化合物（如水和二氧化碳）酿造液体燃料，从而大幅降低

，根据其吸收原理可分五大类：①本征吸收涂层(半导体和过渡金属) ②光干涉型涂层(TiOxNy) ③多层渐变膜型涂层(渐变Al-N/Al) ④金属陶瓷复合涂层(M-AlN) ⑤光学陷阱涂层
通过反复在酸液中电解氧化形成多孔的氧化铝膜后，再在Ni、Sn电解液中交流电解，形成锡镍合金与多孔的氧化铝膜组合成蓝黑色的复合涂层，具有光谱选择性吸收动能，而锡镍合金此时是以金属间化合物存在在涂层中的

，碲化镉本身是一个化合物，对环境没有污染。FirstSolar选择碲化镉作为半导体材料是因其卓越的技术、实惠和环保性能。碲化镉相较于晶硅能源的光伏技术可以转化出更高的电量产出。从生态环保的角度看
，FirstSolar的光伏电池板是一项领先技术。它二氧化碳排放量最小，空气污染物排放和水使用量最低，并且是同一生命周期内，所有光伏技术中能最快获得能源回报的技术。　　与镉和其他镉化合物不同的是，碲化镉稳定

结晶成多晶硅。利用价值：从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。多晶硅概念股有：江苏阳光(600220
工智能、自动控制、信息处理等半导体器件的电子信息基础材料，被称为微电子大厦的基石，而最重要的是多晶硅是太阳能的核心原材料，目前我国多晶硅基本依赖进口，而由于技术垄断，公司发展前景非常看好。公司新设立的

%。与其他光伏技术相比，聚光技术的高效率可以这样来解释。首先，聚光芯片是元素周期表的III族和V族元素的化合物晶体制作，由不同的半导体材料按禁带宽度由低到高顺序堆砌而成的。这样做不仅是减少了光子
议论，但项目安装仍然在继续，在成本下降和技术进步方面看起来也还是乐观的。高倍聚光的基本原理是利用相对廉价的聚光光学系统来替代昂贵但是高效率的III-V半导体芯片，使得它在发电度电成本上与

太阳电池，它的结构和生产工艺已定型，产品广泛用于空间和地面。为了降低生产成本，现在地面应用的太阳电池大多采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽，也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过
1.2薄膜太阳电池薄膜太阳电池包括硅薄膜太阳电池（非晶硅、微晶硅、纳米晶硅等）、多元化合物薄膜太阳电池（硫化镉、硒铟铜、碲化镉、砷化镓、磷化铟、铜铟镓硒等）、染料敏化薄膜太阳电池、有机薄膜太阳电池等

。　　目前在硅材料的生产制造过程中大量使用石墨制品。其中，石墨制品在直拉单晶硅工艺中应用尤为典型。据不完全统计，我国现有工作状态的单品炉超过2000台左右。其中直拉单晶炉用以生产硅半导体器件所需的
要求也越来越高。随着半导体技术的进步，硅片的直径也经历了从70年代的2寸到本世纪的12寸，甚至16寸的发展过程。相对于硅棒(片)的尺寸，工艺上要求热场尺寸是其3倍。即，生产12寸的硅单品，就需要36寸