for Detection of Oxidation Induced Defects in Polished Silicon Wafers
MF 1809-0704——表征硅中结构性缺陷的刻蚀方案的选择与使用指南 1810-0304——硅中优先刻蚀或缀饰的表面缺陷的计量测试方法Test Method for Counting Preferentially Etched or Decorated Surface
表现。中微半导体设备有限公司 (AMEC)自从2007年在日本的SEMICON隆重推出其高端的双反应台、去耦合反应离子刻蚀设备以来,其设备已经先后进入亚洲3个地区5家最先进的芯片制造企业。据报道 ,中微公司 Primo D-RIE(TM) 刻蚀机被客户用于65/45纳米及更高端制造中,而新的订单已经排到年底。AMEC成功地完成 Primo D-RIE 在亚洲市场的布局,顺利在今年3月结束4千6百万