光伏咨询搜索-索比光伏网

。Singulus致力于发射极和背面钝化电池(PERC)和异质结晶硅电池背面涂层工艺的开发。新型LINEA II刻蚀机/抛光机是为PERC背面钝化之前的背面湿法化学抛光而特别开发的。另一个PERC电池解决方案是
PERCEUS名下产品，公司表示，这个解决方案的开发是对现有电池生产线的升级，当与LINEA II刻蚀机/抛光机结合时，电池效率高达20%。Singulus还针对晶硅电池推出了新型真空蒸镀机，据称可用

氧化铝层。在与第一次阳极氧化工艺相同的条件下进行第二次阳极氧化步骤，不过时间短一些。留下的Al箔和底部的阻挡层分别在基于CuSO4溶液和6wt%H3PO4中刻蚀。得到了通孔AAO膜，接着转移到玻璃衬底上
。用电子束蒸发通过AAO模板制备Ag纳米点。然后用3M NaOH溶液将AAO模板刻蚀掉，在玻璃衬底表面留下Ag纳米微粒。接着，用等离子增强化学气相淀积(PECVD)在Ag图形玻璃衬底上生长a-Si:H

索比光伏网讯:产业化的周边PN结去除方式是等离子体干法刻蚀，该方法技术成熟、产量大，但存在过刻、钻刻及不均匀的现象，不仅影响电池的转换效率，而且导致电池片蹦边、色差与缺角等不良率上升。激光开槽隔离
技术根据PN结深度而在硅片边缘开一物理隔离槽，但与国外情况相反，据国内使用情况来看电池效率反而不及等离子体刻蚀技术，因此该方法有待进一步研究。目前行业出现的另外一种技术化学腐蚀去边与背面腐蚀抛光技术集

反射率一般仍在11%以上)，并产生大量的化学废液和酸碱气体，非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术，它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型，然后再
利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒面非常完美，表面反射率最低可降至0.4%，单多晶技术统一，生产工艺与设备都可移植于IC工业，如果生产成本能够进一步降低可望取代化学腐蚀方法而

系列能够对刻蚀的PSS、显形光阻（PR）以及透明的多层结构进行量测，其测量结果准确度高、重复性好。泽塔的仪器在业界被公认为具有最佳的光学硬件和计算机软件算法组合，可以快速可靠地对数据进行采集和分析。与

今天，应用材料公司宣布推出全新的Applied Centura Avatar刻蚀系统。该系统主要针对高深宽比刻蚀应用，如制造新兴的三维NAND存储结构。NAND闪存市场在过去的十年中一直呈指数式增长
结构中，源和漏位于顶端，存储单元被垂直叠放，而连接线位于底端。这意味着数十亿个触点必须被连接，极高的深宽比已成必然，刻蚀工艺将面临全新挑战，而且可以说是迄今遇到的最复杂的挑战（如图2所示）。　　图1.

2012 年 6 月 28 日，应用材料公司推出了 Applied CenturaAvatar 电介质刻蚀系统，提升了尖端刻蚀技术。该突破性系统能够解决三维存储结构制造过程中所面临的最严峻的
挑战，提供未来数据密集型移动终端所需的高密度万亿比特存储能力。图：Applied CenturaAvatar刻蚀系统应用材料公司副总裁兼刻蚀事业部总经理 Prabu