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组件生产过程中串焊前。因为PERC技术，电池的效率可以超过21%- 特别是当使用选择性发射极时。这种结合了打印和刻蚀的工艺把表面高浓度的磷去除掉，只留下随后需要印刷的区域，这减少了表面的复合。使用
用于蚀刻发射级和脱蜡的湿法设备。通过采用伯努利爪子的自动化系统使得schmid喷墨打印机达到每小时3300片的产能。蜡立刻凝固，因此耗时方面得到了很大的改善。此外，蜡在刻蚀处理后很容易就可以被剥离

为了增加太阳能电池对入射光的吸收，采用等离子体浸没离子注入的方法使用SF6和O2已经成功生产出多晶黑硅。本实验研究对比了几个不同条件下消除黑硅缺陷的差异。消除黑硅表面缺陷可以减少表面积和刻蚀损伤降低
表面复合。利用场发射扫描电子显微镜、分光光度计和量子效应测试仪分别对黑硅的表面结构、反射率和内量子效率进行了研究。研究结果表明，黑硅表面小山峰的数量和高度随着刻蚀时间的增加而降低；黑硅表面反射率随着

，还有形成PN结的硼扩散，即在N型衬底上进行P型掺杂。常见的定域掺杂的方法包括掩膜法，可以通过光刻的方法在掩膜上形成需要的图形，这种方法的成本高，不适合大规模生产。相对低成本的方法有通过丝网印刷刻蚀
浆料或者阻挡型浆料来刻蚀或者挡住不需要刻蚀的部分掩膜，从而形成需要的图形。这种方法需要两步单独的扩散过程来分别形成P型区和N型区。另外，还可以直接在掩膜中掺入所需要掺杂的杂质源（硼或磷源），一般可以通过

，并且可以折叠、卷曲、粘贴在曲面上（如汽车玻璃、屋顶、衣服等）。课题组对商用硅片进行薄化和纳米线刻蚀处理，进而结合银纳米片的等离激元热电子注入效应，制造出具有力学柔性的近红外太阳能电池。熊宇杰表示，这种新型近红外柔性太阳能电池制造方法简单有效，有望用于发展智能温控型太阳能电池及可穿戴太阳能电池。

本文描述了晶体硅太阳能电池片局部漏电现象，分析了晶体硅硅片及电池生产过程中可能产生的漏电原因及预防措施。电池生产过程中刻蚀不完全或未刻蚀、点状烧穿和印刷擦片或漏浆等情况会产生漏电，严重影响电池片的
可用一并联电阻RSH来等效。本文主要研究的就是在实际太阳电池生产中的漏电原因。二、晶体硅太阳电池漏电分析从晶体硅太阳电池生产工艺流程看，以下几个因素与电池片漏电有关：1）刻蚀不完全或未刻蚀；2）点状烧穿

本文描述了晶体硅太阳能电池片局部漏电现象，分析了晶体硅硅片及电池生产过程中可能产生的漏电原因及预防措施。电池生产过程中刻蚀不完全或未刻蚀、点状烧穿和印刷擦片或漏浆等情况会产生漏电，严重影响电池片的
品质，另外发现Si3N4颗粒、多晶硅晶界等也有可能造成电池片漏电。关键词：漏电流;点状烧穿;印刷擦片;刻蚀不完全中图分类号：TK514 　文献标识码：A 引言太阳能发电由于其具有环保、高效