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光伏领域以来，公司始终坚持技术降本路线，先后研发出熔晶体肩部的自动生长技术、DW金刚石线晶片切割技术，并成功将半导体领域的CFZ技术应用于光伏领域。2019年，公司将半导体领域的12英寸拉晶技术应用
提高了硅棒结构损坏的风险。●二是切片环节由于尺寸的增加以及厚度的下降，对切割工艺提出了更高的要求。目前，公司的各项关键生产指标均显著领先于竞争对手。此前，公司在机构调研时表示目前在G12领域总体领先

进入光伏领域以来，公司始终坚持技术降本路线，先后研发出熔晶体肩部的自动生长技术、DW金刚石线晶片切割技术，并成功将半导体领域的CFZ技术应用于光伏领域。2019年，公司将半导体领域的12英寸拉晶
提高了硅棒结构损坏的风险；二是切片环节由于尺寸的增加以及厚度的下降，对切割工艺提出了更高的要求。目前，公司的各项关键生产指标均显著领先于竞争对手。此前，公司在机构调研时表示目前在G12领域总体领先

。推广大炉型、高能效的工业硅生产工艺。支持低能耗、低成本多晶硅生产。提升单炉投料量及大尺寸单晶硅棒拉制工艺。研究大尺寸、低损耗、超薄片切割技术。推广自动制绒、自动上下料、自动导片机、自动插片机、双面双测

的基础工艺包括清洗制绒，扩散，清洗刻蚀，镀膜，激光开槽，丝印烧结等步骤。 (1) 清洗制绒由于硅片在切割过程中表面会产生大量的油污，金属污染和机械损伤，因此要对硅片进行酸洗(多晶)或者碱洗
，金刚线切割硅片经过清洗制绒后表面反射率可从50%降低至 15%以下。 (2) 扩散使用液态磷源(三氯氧磷)/硼源(硼酸三甲酯等)在高温作用下在硅片表面扩散沉积，主要作用是形成电池的