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电池结构相比，HBC 电池前表面无电极遮挡，并且采用 SiNx减反层取代 TCO 薄膜。 HBC 电池工艺流程为：清洗制绒-正面沉积本征非晶硅薄膜-正面沉积减反射膜-背面沉积本征非晶硅薄膜-背面沉积
底电池的更优选择。理论上底电池可以采用 P 型电池或 N 型电池，但都需要在顶电池形成隧穿结以及一层(导电)光学层。底电池正面无需镀减反射膜，也无需金属化。由于底电池不导电，因此不适合采用标准

摘要:本文研究了通过等离子气相沉积(PECVD)在多晶硅片上制作三层氮化硅减反射膜层,设计的折射率逐渐减小的三层氮化硅膜层能更好的钝化多晶硅片的体表面和减小光的反射,提高了多晶太阳电池的开路电压和
多晶太阳电池普遍采用双层氮化硅膜的减反射膜层,即先淀积一层高折射率的氮化硅可以更好地钝化太阳电池的表面,然后生长低折射率的氮化硅用于降低表面反射率,从而有效的提高了太阳电池的光电转换效率。理论上采用

导读：我国科学院宁波材料技术与工程研究所光伏发电技术研究团队前期开发得光伏发电玻璃第一代多孔氧化硅和第二代双层氧化物减反射膜技术已经实现了产业化应用。上述体系尚须改善得问题是：由于薄膜具有与空气
直接连通得开放孔隙结构，容易吸附空气中得水分和其它杂质，从而造成光学性能衰退。大面积多功能高效减反射膜技术近年来受到广泛关注。我国科学院宁波材料技术与工程研究所光伏发电技术研究团队前期开发得光伏发电

常规的P型电池来实现。不论是N型电池还是P型电池，都需要在顶电池形成隧穿结以及一层(导电)光学层。底电池正面无需镀减反射膜，也无需金属化。由于底电池不导电，因此不适合采用标准氮化硅正面钝化工艺，可以
与双面电池相匹配的电流时，恰好可以选用最合适的钙钛矿种类。对于电子传输层(ETL)来说，PCBM聚合物是一个不错的选择，其次是用于横向导电并作为减反射膜的ITO层。金属化和电池连接钙钛矿

电池也需要将P接触层作为底层，这一点可以通过背结N型电池或常规的P型电池来实现。不论是N型电池还是P型电池，都需要在顶电池形成隧穿结以及一层(导电)光学层。底电池正面无需镀减反射膜，也无需金属化
导电并作为减反射膜的ITO层。金属化和电池连接钙钛矿只能承受130-150 C的温度，因此无法采用温度高达900 C左右的标准烧结工艺，而必须用低温银浆取代标准银浆或铝浆。贺利氏可根据烧结温度

PECVD目的在硅片表面沉积一层氮化硅减反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，减少反射，氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用。镀膜原理光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一
。如果在硅表面有一层或多层合适的薄膜，利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，这种膜称为太阳电池的减反射膜(ARC，antireflection coating)。管式PECVD的原理就是通过脉冲

11月8日，国家市场监督管理总局官网通报太阳能光伏组件用减反射膜玻璃产品质量国家监督抽查结果，有3批次产品不符合标准的规定。本次共抽查了天津、山西、江苏、浙江、安徽、福建、河南、广东等8个省
、直辖市18家企业生产的18批次太阳能光伏组件用减反射膜玻璃产品。依据JC/T 2170-2013(2017)《太阳能光伏组件用减反射膜玻璃》标准的要求，对太阳能光伏组件用减反射膜玻璃产品的碎片