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反映不同组件的发电能力。本文会结合小系统与模拟做一些细节讨论。尤其需要注意的是，组件的衰减对发电的结果有很大的影响，不同企业在PERC组件的光衰控制水平上有所不同，因此实证结果宜结合组件衰减情况一起
考虑。初始光衰控制不好的产品在单Wp发电能力上甚至会低于常规组件。二、单块组件的发电实证使用IV多通道测试仪可以方便的测试单块组件的发电情况，测试原理与组串逆变器类似，根据每分钟的功率得到

%的功率衰减，即使采用氢钝化等技术也无法完全消除光衰;而N型双面则与PERC双面不同，基底掺磷，没有硼氧对形成复合中心的损失，使得电池几乎无光致衰减。 (3)弱光性良好。相比P型单晶，N型单晶对弱光
PERC双面、N-PERT双面以及HIT为主。材料天然优劣势对比 N型双面由于硅基底的不同，相较P型PERC双面具有一定材料上的天然优势，包括少子寿命高、无光衰、弱光性能好、温度系数良好、对金属杂质

，实现了双面受光、双面发电，背面功率与正面功率相比不低于75%，产品背面可带来最高25%的发电量增益。Hi-MO2首年光衰可低于2%，平均年衰减低于0.45%，均优于常规组件。此外，2017年11月
直拉法硅片，集成正反面钝化及反光衰等先进的工业钝化发射极触点电池技术。在多晶PERC上，2015年11月，天合光能大面积P型多晶硅PERC太阳电池光电转换率达到21.25%，创造了新的世界纪录

。他认为，铸锭单晶产品兼具多、单晶技术优点，和Cz单晶相比，将为客户带来更多价值。黄春来认为，多晶铸锭硅片产品技术优势为高产能、低光衰、低封装损失;Cz单晶产品转换效率高、位错密度低、可以
采用碱制绒工艺，采用铸锭方法生产的单晶硅片兼具二者技术优势。下游客户使用反馈，叠加PERC技术后，铸锭单晶与Cz单晶效率差仅为0.18%，而成本大幅降低。铸锭单晶产品的低光衰源于铸锭工艺特性和掺镓

，在基底中捕获电子形成复合中心，从而导致3~4%的功率衰减，即使采用氢钝化等技术也无法完全消除光衰;而N型双面则与PERC双面不同，基底掺磷，没有硼氧对形成复合中心的损失，使得电池几乎无光
、无光衰、弱光性能好、温度系数良好、对金属杂质容忍度高等等。少子寿命高金属杂质是半导体中常见的杂质之一，而N型基底的抗杂质能力很强，对铁、铜等常见金属杂质的容忍度更高，也就是说在相同金属

摘要：掺硼晶硅电池经过长时间光照后电池效率会出现明显的衰减。针对此问题，研究再生处理对晶硅电池光致衰减效应的影响。将SiNx/Al2O3寿命片和单晶钝化发射极和背局域接触(PERC)电池片在400 W/m2光照下200 ℃保温10 min进行再生处理，结果发现未经再生处理的寿命片光照1710 min后少子寿命衰减率为63.33%，电池效率衰减率为4.32%，再生处理后样品的衰减率分别降低至5

越来越多的工作关注并致力于解决PERC光致衰减问题，现有的通过提高硅片品质，降低体材料氧含量，降低硼浓度(高电阻率硅片)，优化热过程等方法，已使得PERC电池光致衰减问题得到了较大改善。光衰
(LID) P型晶硅电池普遍存在光致衰减的问题，而叠加PERC技术后衰减问题更甚，尤其是多晶PERC，目前导致光致衰减的机理尚不清楚。单晶PERC光衰要高于单晶BSF电池，单晶PERC的光衰主要与电池

摘要：随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高，其光衰也随之提高，成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈。本文介绍了近年来对掺硼晶硅太阳电池的光衰减问题及衰减机制，指出硼与间隙氧的存在是引起掺硼晶硅太阳电池光照
衰减的主要因素，并对如何减小或避免光衰减的改善措施进行了分析。晶体硅太阳电池是最重要的光伏器件，近年来一直是硅材料研究界和光伏产业界的重点关注领域。众所周知，常规的晶体硅太阳电池都是基于P型掺硼硅

，也有可能是电池生产工艺的问题。对电池生产线上出现的黑斑片与正常片做光衰实验对比，发现两组电池的衰减基本都在允许范围内，说明黑斑片的产生与硅片材料质量无关。通常硅片中容易出现黑芯片，黑芯片呈现圈形
太阳电池片及组件存在的隐性缺陷。由于电池片中有缺陷区域没有发出红外光，故在EL图像中呈现黑斑。 3 结果与讨论 3.1EL黑斑通过EL测试，我们选出效率为19.15%和19.37%两个档位的黑斑片

研发及产业化方向。高效组件将成为市场主流，尤其是以N型单晶双面发电技术为核心的高效组件。宋登元博士表示，从国家领跑者招标和实际运行情况来看，N型单晶双面发电技术极具优势。英利熊猫就是基于N型单晶初始光
衰低、弱光性良好的特性开发的高效双面发电光伏组件，目前综合功率最高达340瓦，据首个国家领跑者项目最新统计数据显示，熊猫与邻近常规P型单面多晶电站相比，平均月度增益率最高达19.02%。据了解