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索比光伏网讯:肖特太阳能公司的多晶硅片采用标准丝网印刷和背面金属化工艺作为太阳能电池的基底。Las VeGaS项目的目标是将太阳能电池的正面常用的银浆大部分替换为成本低的镍铜镀层。这将使太阳能电池
正面金属化的制造成本降低至原来的一半以上。肖特太阳能公司正与RENA公司及CiS公司联合实现这一目标。图片来源于：肖特太阳能公司　　实现这一目标首要的挑战涉及到铜镍电镀的金属化方法将会阻止铜扩散到硅

生产成本以及高能量收集的低温度系数。Triex的无银技术不需要用到传统晶硅设备制造商所依赖的昂贵的银浆。通过使用一种低电阻率铜金属化工艺，Silevo再也不受市场上银价不断上涨的影响。目前Silevo
光伏组件制造商Silevo公司13日宣布推出业界性价比最高的太阳能组件。Silevo的Triex专利技术进一步升级了基于硅的光伏解决方案，将高性能的N型晶硅衬底、薄膜钝化层和一个独特的隧穿氧化层一起

索比光伏网讯:降低光伏发电成本有两种办法：提高太阳能电池效率和降低它们的生产成本。通过先进的太阳能电池金属化处理，两种办法可以同时实现。在弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(FraunhoferISE
没有受到影响。高级程序组组长MarkusGlatthaar博士表示：随着弗劳恩霍夫太阳能系统研究所处理知识的发展，ETA实验室研究者致力于将这种技术转换为大型太阳能电池格式中去。在铜和镍金属化基础上进行太阳能发电，为节省下一代硅太阳能成本提供了巨大潜力，

上，弗劳恩霍夫太阳能系统研究所(Fraunhofer ISE)展示了其可应用于工业生产的光伏电池铜电极电镀工艺，这一技术可以在未来进一步降低电池生产成本，提高效率。该研究所已经在2x2 cm2的电池
上采用稳定的2铜金属化技术取得了21.4 %的效率，目前正在努力在工业标准尺寸的硅片上复制这一结果。采用铜和镍的电极制作工艺可以大大减低硅基太阳能电池的成本，该研究所先进工艺研究组负责人马库斯格莱萨尔

提高化学镀铜沉积之后的可靠性。凭借经过优化的简单工艺和较低的溶剂浓度，该产品可提供具有成本效益和可持续性的优势。全新先进膨松剂能够处理普通和高性能板材，应用范围极其广泛。半加成制程（SAP）金属化：全新
胶渣和化学镀铜制程的创新技术，对于 Multek 改进新一代电子产品的发展至关重要。” 陶氏电子材料对于在高密度互连可靠性方面的创新成果能够获得 Multek 的认可感到很荣幸。陶氏电子材料全球总经理

杜邦微电路材料(Microcircuit Materials，简称MCM)计划在年底发布新款Solamet光伏金属化浆料，据称这一产品将大幅减少银的使用。MCM计划首先将银的用量减少10%，之后加速
成本造成的压力有目共睹，尽快降低银材料在金属化浆料中的使用量是目前降低成本的当务之急。尽管只有少数几家太阳能电池制造商由于生产背电极电池而采用了镀铜工艺，但不少行业内的观察家都表示在银价的压力之下，厂商使用镀铜工艺将只是一个时间问题。

索比光伏网讯:杜邦微电路材料(Microcircuit Materials，简称MCM)计划在年底发布新款Solamet光伏金属化浆料，据称这一产品将大幅减少银的使用。MCM计划首先将银的用量减少
判断，但银价对行业成本造成的压力有目共睹，尽快降低银材料在金属化浆料中的使用量是目前降低成本的当务之急。尽管只有少数几家太阳能电池制造商由于生产背电极电池而采用了镀铜工艺，但不少行业内的观察家都表示在银价的压力之下，厂商使用镀铜工艺将只是一个时间问题。

Q-Cells公司在发布铜铟镓硒（GIGS）薄膜组件Q.SMART UF的同时，发布了其新一代太阳能电池。新一代太阳能电池，据说以改进的表面金属化和更高的效率等级著称。新一代的太阳能电池将成为新一代
Q-Cells太阳能组件的基础，而新一代组件将在2011年6月的Intersolar光伏贸易洽谈会首次发布。Q.SMART太阳能组件以在复杂的气候条件下拥有良好表现著称，非常适合在平面屋顶上使用，比如

（Shine magazine/光能杂志 & www.solarbe.com/索比光伏网记者李洋洋编译） Q-Cells公司在发布铜
铟镓硒（GIGS）薄膜组件Q.SMART UF的同时，发布了其新一代太阳能电池。新一代太阳能电池，据说以改进的表面金属化和更高的效率等级著称。新一代的太阳能电池将成为新一代Q-Cells太阳能组件的

索比光伏网讯:Q-Cells公司在发布铜铟镓硒（GIGS）薄膜组件Q.SMART UF的同时，发布了其新一代太阳能电池。新一代太阳能电池，据说以改进的表面金属化和更高的效率等级著称。新一代的
太阳能电池将成为新一代Q-Cells太阳能组件的基础，而新一代组件将在2011年6月的Intersolar光伏贸易洽谈会首次发布。Q.SMART太阳能组件以在复杂的气候条件下拥有良好表现著称，非常适合在平面

索比光伏网讯:据中国电子专用设备工业协会统计的数据，2009年我国电子专用设备产业销售收入仅占我国电子信息产业总销售收入的2%，这和我国为电子信息产品生产大国是不相称的，特别是集成电路设备、平板
显示器设备、发光二极管设备和表面贴装设备中的关键设备大部分仍然需要依赖进口。因此，国内设备厂商应该利用自己在半导体设备领域积累的经验，积极涉足目前新兴产业，在光伏、LED、LCD等领域，紧跟行业形势，积极

的普及应用进入一个崭新的时期。我国独立开发的“铜铟硒薄膜太阳能电池，创造了电池光电转换效率高于12％的新纪录。这种以玻璃或其它廉价材料为衬底，金属化合物薄膜厚度仅3～4微米，其光电转换效率较高，而资源
据报道：中国太阳能学会的专家最近在忙一件重要的事，他们起草了《万户光伏屋顶计划项目建议书》和《百个光伏屋顶示范项目建议书》，向北京市政府建议，尽快启动“万户光伏屋顶计划”和“百个光伏

索比光伏网讯:5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO
里，硅太阳电池在空间应用不断扩大，工艺不断改进，电他设计逐步定型。这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初，在这个时期背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造

大幅度降低太阳电池的成本，光伏界一直在研究开发薄膜电池，并先后开发出非晶硅薄膜电他，硫化镐（CdTe）电他，铜钢硒（C1S）电池等。特别是非晶硅电池，80年代初一问世，很快实现了商业化生产。1987年
5．晶体硅太阳电池及材料引言 1839年，法国Becqueral第一次在化学电池中观察到光伏效应。1876年，在固态硒（Se）的系统中也观察到了光伏效应，随后开发出Se／CuO光电池。有关硅