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空穴迁移率低、硅接触面性能差，以及存在硅/金属电极接触电阻高等问题，限制了电池转换效率的提高。针对这些问题，研究人员通过将还原氧化石墨烯引入新型电荷选择性材料薄膜中，使导电性提高、电池材料光吸收
兰州大学教授彭尚龙团队采用新型电荷选择性材料改性、光吸收改善、硅纳米陷光结构的构筑、硅表面钝化和硅/金属界面接触电阻降低等策略，提升了太阳能电池转换效率，同时，降低了成本。该成果日前发表于《纳米能源

摩洛哥的电价远高于国内，光照时间高达年均3000小时，而国内年均1300小时就已经很好了。这意味着在摩洛哥投资光伏产业成本低，收益大，预计五年左右即可实现盈利。安徽人人家集团有限公司董事长汲泉最近
技术，降低电阻损耗，同时增加电池间隙促进电流提升，使得组件功率有效提升。此外，人人家半片电池组件具备更优的温度系数，在高温环境下具有更为突出的发电优势，并通过BOM优化，提升了组件的抗紫外能力，在高温

：最具产业化潜力的下一代超高效电池技术异质结电池由于具备转换效率高、制造工艺简单、薄硅片应用、温度系数低、无光致衰减、可双面发电且双面率高等一系列优势，被誉为最具产业化潜力的下一代超高效电池技术。目前
组件13%以上的电池片，同时采用无焊带设计，减少了组件的线损，降低了电池片互联电阻，大幅提高了组件的输出功率。更高效率更低损耗，叠瓦技术无疑将对高效组件封装技术带来革命性影响。因此，业内企业积极推进

产业化潜力的下一代超高效电池技术异质结电池由于具备转换效率高、制造工艺简单、薄硅片应用、温度系数低、无光致衰减、可双面发电且双面率高等一系列优势，被誉为最具产业化潜力的下一代超高效电池技术。目前
%以上的电池片，同时采用无焊带设计，减少了组件的线损，降低了电池片互联电阻，大幅提高了组件的输出功率。更高效率更低损耗，叠瓦技术无疑将对高效组件封装技术带来革命性影响。因此，业内企业积极推进叠瓦组件

产业化潜力的下一代超高效电池技术异质结电池由于具备转换效率高、制造工艺简单、薄硅片应用、温度系数低、无光致衰减、可双面发电且双面率高等一系列优势，被誉为最具产业化潜力的下一代超高效电池技术。目前
组件13%以上的电池片，同时采用无焊带设计，减少了组件的线损，降低了电池片互联电阻，大幅提高了组件的输出功率。更高效率更低损耗，叠瓦技术无疑将对高效组件封装技术带来革命性影响。因此，业内企业积极

应根据其性能参数进行分类;电池测试即通过测试电池的输出参数(电流和电压)的大小对其进行分类。以提高电池的利用率，做出质量合格的电池组件。如果把一片或者几片低功率的电池片装在太阳电池单体中，将会使整个组件的
输出特性，确定组件的质量等级。国际iec标准测试条件为am1.5、100mw/㎡、25℃。要求检测并列出以下参数：开路电压、短路电流、工作电压、工作电流、最大输出功率、填充因子、光电转换效率、串联电阻、并联电阻及i-u曲线等。 12.贴标牌按测试分挡结果去分贴标牌后的光伏组件，可以装入仓库出售。

要求，以及系统的扩容及一些临时负载的接入。当用电设备以纯电阻性负载为生或功率因数大于0.9时，一般选取光伏逆变器的额定输出功率比用电设备总功率大10%`15%。 2、输出电压的调整性能输出电压的
损耗的大小。容量较大的光伏逆变器还要给出满负荷工作和低负荷工作下的效率值。一般KW级以下的逆变器的效率应为80%~85%;10KW级的效率应为85%~90%;更大功率的效率必须在90%~95%以上

逆变器还应给出满负荷效率值和低负荷效率值， 10kW级以下逆变器的效率应为80%?85%，10kW级逆变器的效率应为85%?90%。逆变器效率的高低对光伏发电系统提高有效发电量和降低发电成本有重要影响
拉载电流、电阻或功率，可在面板或上位机软件上实时查看逆变器的输出电压。起动性能一般电感性负载，如电机、冰箱、空调、洗衣机、大功率水泵等，在起动时，功率可能是额定功率的5～6倍。因此，通常电感

导读：介绍了低压硼扩散炉的工作原理，研究了负压硼扩散炉中源流量，源瓶压力，大氮流量，反应压力等工艺参数对方块电阻及均匀性的影响，分析了负压硼扩散炉较常压硼扩散炉在工艺方面的优势
+扩散，APCVD硼源+扩散，离子注入+退火，其中管式BBr3扩散由于工艺难度低，性价比高，能有效避免金属离子污染，少子寿命高等特点而成为主流的硼掺杂技术，但常压的BBr3扩散炉在工艺生产过程中有很多

组件进行对比研究，通过蓄冷设备降低太阳能电池组件背板的温度，提高能量的转换效率。这就要求系统对电池组件温度的检测具有足够的精度和实时性。鉴于此，本系统采用精度为0.1℃的铂电阻温度传感器Pt100为
控制器和数据传输单元组成，系统结构如图1所示。前端测量电路包括温度测量、辐照度测量、电压测量和电流测量：温度测量主要是通过恒流源获取温度信号，将电阻量转化为电压量，并经放大电路送入控制器;辐照度测量是将

电压和测量电流的方法合乎常理。尽管需要充电来改变大容性p-n结的电压，低阻抗的电压源能迅速驱动太阳能电池到每一个新的工作点。然而，在使用容性负载时电压源会变得不稳定，这就需要调整测量方法。一种替代
平坦，则会导致测量中存在噪声。另一种替代方法是太阳能电池接一个可变电阻负载。在特定的光照下，如果测量太阳能电池电压时可变电阻能在短路到开路之间变化，就能得到I-V特性(即，Iload=Vcell

性价比优势更加扩大。保利协鑫汪晨博士在研讨会上介绍，用铸锭的方法来生产单晶，相对直拉单晶，每公斤电耗低20-30度，有比较好的成本优势。鑫单晶硅片与158.75mm尺寸直拉单晶全方片在相同PERC
电池工艺下，72片组件功率差在5W以内。光衰方面，鑫单晶硅片氧含量约为直拉单晶含量50%以下，有效降低硼-氧复合体带来的光致衰减，多晶的光衰带来单晶的效率。而且，鑫单晶硅片电阻率分布更加集中，有利于

，同时能在有限的面积内尽可能多发电。王占国等人在做硅太阳能电池辐照和质子辐照实验时发现，在1MeV电子辐照下，n+/p低阻电池比p+/n电池耐辐照20-30倍， n+/p高阻电池比n+/p低阻电池耐
辐照4-5倍。6-8MeV质子辐照n+/p低阻电池比p+/n电池耐辐照5倍左右。供空间使用的硅光电池要选用 n+/p电池，最好用高阻的 n+/p电池。在1967年年底召开的电池定型会上，这个结构正式

光伏电池有两个特殊要求：耐久与高效。能耐得住高能宇宙射线的辐照，同时能在有限的面积内尽可能多发电。王占国等人在做硅太阳能电池辐照和质子辐照实验时发现，在1MeV电子辐照下，n+/p低阻电池比p+
/n电池耐辐照20-30倍， n+/p高阻电池比n+/p低阻电池耐辐照4-5倍。6-8MeV质子辐照n+/p低阻电池比p+/n电池耐辐照5倍左右。供空间使用的硅光电池要选用 n+/p电池，最好用高阻

期开关站及场区内所需的宣传标语,安全设施及设备标识标牌。所有设备及材料的进场抽样送检(第三方实验室)及支架基础抗拉拔试验,全场接地网的接地电阻测试(第三方,如:市级电网公司)等其他相关的测试,并提交测试报告
、商务性、技术性评审未通过的不得作为中标候选人推荐外,其余按报价得分由高到低顺序推荐3名中标候选人。备注：投标人应在规定的时间内到指定地点领取招标文件，并办理供应商备案，如在规定时间内未领取招标

拉晶技术(Recharged Czochralski)，与之相比，CCz产出的晶棒品质更佳，电阻率更加均匀、分布更窄，更加适用于P型PERC电池工艺及更加高效的N型电池工艺，从而更有利于高功率组件产出
。不仅如此，CCz将RCz技术中一些需要串联顺序进行的工序，优化为并联同时进行，其生产效率可以达到RCz的1.4倍以上，单位电耗降低20%以上，因而其单晶加工成本较目前RCz低30%。随着CCz