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技术。设备主要依赖进口。丝网印刷工艺主要分正面和背面金属化工艺。其中正面栅状电极的设计思路主要从有效收集电流、减小遮光面积以及组件焊接方便来考虑；背面金属化的目标是在背面形成一层铝背场钝化层来提高开路
继续扩大，可能达到100MW的产能，而人员和消耗品配给并无明显增加。金属化工艺仍会沿用金属浆料为基础的厚膜技术，到时印刷宽度50μm的超细栅线，且采用金属合金或其他低成本浆料都将

，避免损坏PN结；二是这样的表面会吸收所有波长的光，包括那些光子能量不足以产生电子-空穴对的红外辐射，使太阳电池的温度升高，从而抵消了采用绒面而提高的效率效应；三是电极的制作必须沿着绒面延伸，增加了接触
太阳电池阵，电池为GaInP/GaAs/Ge三结电池，聚光阵的功率密度大于200 W/m2，比功率大于45 W/kg。线聚焦Fresenel透镜聚光阵已经用于DEEPSPACE-1。　　由于三结

的M1S电池正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体
里，硅太阳电池在空间应用不断扩大，工艺不断改进，电他设计逐步定型。这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初，在这个时期背表面场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面织构化开始引人到电池的制造

栅线／p+多晶硅膜／n多晶硅膜／n++C-硅／金属接触。采用扩硼形成p+层，结深约为1m，电池面积为1cm2，AM1.5、100mV／cm2条件下，无减反射涂层，电池转换效率为4.54％，Jsc
： CdC12+（NH2)2CS+2H20CdS十2NH4Cl十C02 热分解温度Ts＞250℃。热分解温度、喷涂溶液组分，喷速以及SnO2透明电极的电阻率