光伏首页
资讯信息
政策
观点
市场
财经
产业
企业
海外
项目
技术
要闻
招标
专题
研究咨询
行情
系统
分析
报告
服务应用
翻译
供求
文库
大数据
求职招聘
找工作
找企业
展会会议
会议
企业名录
展会
光能杯
新媒体
微信
抖音
百家
头条
雪球
搜狐
SolarbeGlobal
BIPV
碳索储能网
碳索氢能网
关于我们
订阅
RSS
微博
微信
新闻
企业
供应
求购
视频
图库
专题
会议
大咖
展会
图书馆
搜索
热点关键词:
光伏
光热发电站
分布式光伏
绿色电力交易
光伏组件
光伏项目
为您找到 “<b>p<b>型硅片”相关结果224 个
最新
最新
综合
【技术】N型黑硅光伏电池知多少?
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-12 00:08:59
%。近几年来,Al2O3被认为是
P
型
、N型、P+表面最有发展潜力的电介质钝化层。Al2O3的钝化效果与
硅片
表面的低缺陷密度和Si/Al2O3接触面固定负电荷有关。在光伏行业,原子层沉积(ALD)的出现解决
光伏电池
黑硅电池
光伏技术
绒面结构对黑硅太阳能电池电性能的影响
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-22 23:59:59
多晶
硅片
是156mm*156mm,
P
型
掺杂,厚度为20020m,电阻率1-3。首先在80℃下,浓度为10%的NaOH溶液中去除
硅片
表面机械损伤。随后采用不同条件(如表1)的PIII方法制绒。然后所有的
硅片
光伏要闻
多晶VS单晶:市场风云 鹿死谁手?
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-13 00:02:59
; 图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术四、电池环节单晶的转换效率高于多晶,但是目前
P
型
多晶量产效率也即将突破20%,因此从性价比看,
P
型
单晶还是不如
P
型
多晶,但是N型单晶电池确实具备一定的优势。
P
型
单晶因为
光伏材料
多晶硅
晶硅市场
多晶
硅片
市场份额提高到88%的原因分析
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-12 10:02:45
突破20%,因此从性价比看,
P
型
单晶还是不如
P
型
多晶,但是N型单晶电池确实具备一定的优势。
P
型
单晶因为B-O复合体的原因,衰减较大,但N型单晶衰减基本为0,可是电池厂如果生产N型单晶电池,需要重新引入
多晶
硅片
市场份额
产业
硅片
揭秘多晶
硅片
市场份额提高到88%的原因
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-11 23:59:59
,但是N型单晶电池确实具备一定的优势。
P
型
单晶因为B-O复合体的原因,衰减较大,但N型单晶衰减基本为0,可是电池厂如果生产N型单晶电池,需要重新引入设备,投资较大,在现有形势下,期望电池厂大量上N型
光伏要闻
【干货】保利协鑫游达:如何通过铸锭技术提升光伏组件效率
来源:索比光伏
发布时间:2015-09-21 14:52:05
扩散更加均匀。在
硅片
端,可以降低
硅片
掺杂浓度,提高
硅片
电阻率,使电池片PN结空间电荷耗尽区宽度增加;提高
硅片
掺杂均匀性,改善电阻率分布。 二、降低光致衰减(LID) 掺硼
P
型
晶硅太阳能电池经过光照
保利协鑫
游达
铸锭
光伏人物
浅析光伏电站中光伏组件衰减问题
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-31 11:16:06
晶体硅的缺陷,从而彻底解决了掺硼的
硅片
,光伏组件的衰减问题。 方法四:使用掺p的n型硅替代掺硼的
p
型
硅片
,n
型
硅片
可以解决光致衰减问题,但是从现有技术和工艺来看,在转换效率和制造成本上没有优势
光伏行情
光伏电池板的光衰减现象是怎么产生的?
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-17 11:50:28
这一现象发生的主要原因是
P
型
(掺硼)晶体
硅片
中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变
P
型
掺杂剂,用稼代替硼能有效的减小光致衰减;或者对电池片进行预光照处理,是电池的初始光致衰减发生在组件制造之前,光伏组件
光致衰减
PID
光伏技术
产业
中国光伏产业 在全球价值链下竞争力及路径
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 09:12:57
劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
在面临海外双反、无锡尚德破产的不利情况下,2014年我国多晶硅产量仍达到13.2万吨,同比增长57%;
硅片
产量达到38GW,同比增长28%;电池片产量达到33GW,同比增长32%;组件产量达到
中国光伏产业
竞争力
光伏行业
全球价值链下中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 08:57:59
密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
在面临海外双反、无锡尚德破产的不利情况下,2014年我国多晶硅产量仍达到13.2万吨,同比增长57%;
硅片
产量达到38GW,同比增长28%;电池片产量达到33GW,同比增长32%;组件产量达到
光伏产业
光伏评论
解析光伏电池板为何产生光衰减现象
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-04 08:39:24
趋于稳定。导致这一现象发生的主要原因是
P
型
(掺硼)晶体
硅片
中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变
P
型
掺杂剂,用稼代替硼能有效的减小光致衰减;或者对电池片进行预光照处理,是电池的初始光致衰减发生在组件制造
光伏组件
太阳能电池
光伏科技
用原子层沉积方法制作氧化铝钝化膜的太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-11 23:59:59
过约400℃的退火,低电阻率(~1cm)
P
型
硅片
存在Al薄膜和热生长的SiO2,这样轻掺杂背表面可以实现非常低的表面复合速率(SRVs)。另外,对于近能带隙光子,堆叠在
硅片
背面的SiO2/Al充当良好
光伏要闻
2015年SNEC光伏新品大盘点
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-02 11:03:45
独到见解,展示协鑫光伏专业化在全产业链多平台协同布局战略,发布最新产品及技术。 展会期间,保利协鑫发布了新一代高效多晶
硅片
产品鑫多晶S4,通过先进的共掺杂技术提升性能,有效降低组件光衰,与上一代
平台,每小时能够生产4000片
硅片
,它是将速度、可靠性、模组化以及紧凑占地面积集于一身的获奖系统。在SNEC上,Eclipse 结合展示了最新的音圈马达技术,这是新的实时动态刮刀机制,旨在推动太阳能电池
SNEC
光伏展会
电池片制作工艺对
硅片
中同心圆的影响
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-01 15:01:19
将硼掺杂到直拉工艺的熔料中,从而生产出
P
型
硅片
。为了制造太阳电池,必须掺入n型杂质,以形成p-n结。磷是常用的n型杂质,现在常用的工艺是载气通过液态的POCl3混入少量的氧后通过排放有
硅片
的加热炉
电池片
同心圆
光伏科技
铝背钝化的太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-04 09:56:27
Czochralski
P
型
硅片
,电阻率为1.50.5cm,覆盖着用加强等离子体化学蒸汽沉积的介质绝缘层。LCO(d1)可以用丝网印刷蚀刻膏来得到,其中包括的磷酸是一种有效的介质场的腐蚀剂,介质的腐蚀是通过在
丝网印刷
太阳能电池
背钝化
MWT背接触晶体硅光伏技术概述
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-04 09:55:17
引到背面,这样电池的正负电极点都分布在电池片的背面,有效减少了正面栅线的遮光,提高了转化效率,同时降低了银浆的耗量和金属电极-发射极界面的少子复合损失。 图1
P
型
硅MWT电池结构示意图
线的电阻损耗,每根主栅线上都需要10~20个孔洞,总的激光打孔数量在30~60个,过多的孔洞数量会增加打孔的时间,同时可能会对
硅片
产生损伤。图2(b)是荷兰ECN提出的新型布局,每片
硅片
采用44共16
晶硅太阳能电池
导电背板
丝网印刷中太阳能电池的背钝化技术
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-03 23:59:59
d2里)在铝层中是显而易见的,但不代表BSF的形成,因为它们比LCD(d2d1)要宽,理解这种现象可以促进现在研究的发展。抛光的Czochralski
P
型
硅片
,电阻率为1.50.5cm,覆盖着用加强
光伏要闻
光伏技术路线讨论——为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-09 09:25:36
大规模应用于国内外市场。一个新的改进是,已能向国内外市场提供高效
P
型
硅基聚光电池,以及提供直到4倍聚光漏斗,转盘式跟踪系统的全套生产线,现正在设法推进全套生产线的产业化。 遗憾的是,这一聚光+跟踪
发电技术,对散射光无增益,而且,这一高效
p
型
聚光电池,虽然其每瓦售价要比n型聚光电池低出很多,其转化率,仍比n型聚光电池低16%,而且也有微弱的光致衰减效应!在紫外线比较丰富的地区,在技术上仍需要依存
薄膜电池
聚光
光伏科技
【光伏技路线术讨论】为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-08 23:59:59
,已能大规模应用于国内外市场。一个新的改进是,已能向国内外市场提供高效
P
型
硅基聚光电池,以及提供直到4倍聚光漏斗,转盘式跟踪系统的全套生产线,现正在设法推进全套生产线的产业化。遗憾的是,这一聚光+跟踪
发电技术,对散射光无增益,而且,这一高效
p
型
聚光电池,虽然其每瓦售价要比n型聚光电池低出很多,其转化率,仍比n型聚光电池低16%,而且也有微弱的光致衰减效应!在紫外线比较丰富的地区,在技术上仍需要依存于
光伏要闻
高效硅基异质结太阳能电池量产的关键因素
来源:索比光伏
发布时间:2015-02-25 11:10:48
(PECVD)沉积多层非晶硅层以钝化
硅片
的表面,这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。使用精曜科技的PECVD设备在160um厚的绒面常规n型CZ
硅片
表面沉积5nm厚的非晶硅钝化层,我们得到了非常低的
异质结
太阳能电池
光伏科技
首页
上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
下一页
最新新闻
星星充电“场景微电网”亮相2024中国充换电生态大会,助推行业生态高质量发展
2024-11-22 21:58:36
爱旭股份:BC产品海外溢价水平可达15%-40%
2024-11-22 20:31:03
*ST嘉寓累计涉案金额高达32.68亿元!
2024-11-22 20:26:21
天洋新材合计3亿平方米光伏胶膜项目延期!
2024-11-22 20:21:54
美畅股份募投项目用地被有偿收回,交易金额4千万元
2024-11-22 20:17:58
热点排行
1
安装光伏发电申报流程四步走 手把手教你装起光伏电站
2
光伏发电是什么?光伏发电的优缺点有哪些?
3
6月21日 锅底料国内价格
4
光伏企业的业绩预告,透漏了这些信号
5
跨年分享会开篇语:致敬时代 拥抱变革
6
一文带你了解什么是光伏发电
7
农村地区的“光伏发电骗局”,号称能用屋顶赚钱,不少人已经上当
8
河南焦作:统筹太阳能资源,打造百万千瓦级光伏基地
9
87.41GW!2022年光伏新增装机规模发布
10
山东:推动更多项目纳入国家新增风光大基地项目