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为您找到 “<b>p<b>型<b>硅片”相关结果224 个
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综合
【技术】N型黑硅光伏电池知多少?
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-12 00:08:59
%。近几年来,Al2O3被认为是
P
型
、N型、P+表面最有发展潜力的电介质钝化层。Al2O3的钝化效果与
硅片
表面的低缺陷密度和Si/Al2O3接触面固定负电荷有关。在光伏行业,原子层沉积(ALD)的出现解决
光伏电池
黑硅电池
光伏技术
绒面结构对黑硅太阳能电池电性能的影响
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-22 23:59:59
多晶
硅片
是156mm*156mm,
P
型
掺杂,厚度为20020m,电阻率1-3。首先在80℃下,浓度为10%的NaOH溶液中去除
硅片
表面机械损伤。随后采用不同条件(如表1)的PIII方法制绒。然后所有的
硅片
光伏要闻
多晶VS单晶:市场风云 鹿死谁手?
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-13 00:02:59
; 图4、阿特斯湿法黑硅制绒技术四、电池环节单晶的转换效率高于多晶,但是目前
P
型
多晶量产效率也即将突破20%,因此从性价比看,
P
型
单晶还是不如
P
型
多晶,但是N型单晶电池确实具备一定的优势。
P
型
单晶因为
光伏材料
多晶硅
晶硅市场
多晶
硅片
市场份额提高到88%的原因分析
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-12 10:02:45
突破20%,因此从性价比看,
P
型
单晶还是不如
P
型
多晶,但是N型单晶电池确实具备一定的优势。
P
型
单晶因为B-O复合体的原因,衰减较大,但N型单晶衰减基本为0,可是电池厂如果生产N型单晶电池,需要重新引入
多晶
硅片
市场份额
产业
硅片
揭秘多晶
硅片
市场份额提高到88%的原因
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-11 23:59:59
,但是N型单晶电池确实具备一定的优势。
P
型
单晶因为B-O复合体的原因,衰减较大,但N型单晶衰减基本为0,可是电池厂如果生产N型单晶电池,需要重新引入设备,投资较大,在现有形势下,期望电池厂大量上N型
光伏要闻
【干货】保利协鑫游达:如何通过铸锭技术提升光伏组件效率
来源:索比光伏
发布时间:2015-09-21 14:52:05
扩散更加均匀。在
硅片
端,可以降低
硅片
掺杂浓度,提高
硅片
电阻率,使电池片PN结空间电荷耗尽区宽度增加;提高
硅片
掺杂均匀性,改善电阻率分布。 二、降低光致衰减(LID) 掺硼
P
型
晶硅太阳能电池经过光照
保利协鑫
游达
铸锭
光伏人物
浅析光伏电站中光伏组件衰减问题
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-31 11:16:06
晶体硅的缺陷,从而彻底解决了掺硼的
硅片
,光伏组件的衰减问题。 方法四:使用掺p的n型硅替代掺硼的
p
型
硅片
,n
型
硅片
可以解决光致衰减问题,但是从现有技术和工艺来看,在转换效率和制造成本上没有优势
光伏行情
光伏电池板的光衰减现象是怎么产生的?
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-17 11:50:28
这一现象发生的主要原因是
P
型
(掺硼)晶体
硅片
中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变
P
型
掺杂剂,用稼代替硼能有效的减小光致衰减;或者对电池片进行预光照处理,是电池的初始光致衰减发生在组件制造之前,光伏组件
光致衰减
PID
光伏技术
产业
中国光伏产业 在全球价值链下竞争力及路径
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 09:12:57
劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
在面临海外双反、无锡尚德破产的不利情况下,2014年我国多晶硅产量仍达到13.2万吨,同比增长57%;
硅片
产量达到38GW,同比增长28%;电池片产量达到33GW,同比增长32%;组件产量达到
中国光伏产业
竞争力
光伏行业
全球价值链下中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 08:57:59
密集型的中游的太阳能电池生产、光伏组件生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国光伏组件最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
在面临海外双反、无锡尚德破产的不利情况下,2014年我国多晶硅产量仍达到13.2万吨,同比增长57%;
硅片
产量达到38GW,同比增长28%;电池片产量达到33GW,同比增长32%;组件产量达到
光伏产业
光伏评论
解析光伏电池板为何产生光衰减现象
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-04 08:39:24
趋于稳定。导致这一现象发生的主要原因是
P
型
(掺硼)晶体
硅片
中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变
P
型
掺杂剂,用稼代替硼能有效的减小光致衰减;或者对电池片进行预光照处理,是电池的初始光致衰减发生在组件制造
光伏组件
太阳能电池
光伏科技
用原子层沉积方法制作氧化铝钝化膜的太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-11 23:59:59
过约400℃的退火,低电阻率(~1cm)
P
型
硅片
存在Al薄膜和热生长的SiO2,这样轻掺杂背表面可以实现非常低的表面复合速率(SRVs)。另外,对于近能带隙光子,堆叠在
硅片
背面的SiO2/Al充当良好
光伏要闻
2015年SNEC光伏新品大盘点
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-02 11:03:45
独到见解,展示协鑫光伏专业化在全产业链多平台协同布局战略,发布最新产品及技术。 展会期间,保利协鑫发布了新一代高效多晶
硅片
产品鑫多晶S4,通过先进的共掺杂技术提升性能,有效降低组件光衰,与上一代
平台,每小时能够生产4000片
硅片
,它是将速度、可靠性、模组化以及紧凑占地面积集于一身的获奖系统。在SNEC上,Eclipse 结合展示了最新的音圈马达技术,这是新的实时动态刮刀机制,旨在推动太阳能电池
SNEC
光伏展会
电池片制作工艺对
硅片
中同心圆的影响
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-01 15:01:19
将硼掺杂到直拉工艺的熔料中,从而生产出
P
型
硅片
。为了制造太阳电池,必须掺入n型杂质,以形成p-n结。磷是常用的n型杂质,现在常用的工艺是载气通过液态的POCl3混入少量的氧后通过排放有
硅片
的加热炉
电池片
同心圆
光伏科技
铝背钝化的太阳能电池
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-04 09:56:27
Czochralski
P
型
硅片
,电阻率为1.50.5cm,覆盖着用加强等离子体化学蒸汽沉积的介质绝缘层。LCO(d1)可以用丝网印刷蚀刻膏来得到,其中包括的磷酸是一种有效的介质场的腐蚀剂,介质的腐蚀是通过在
丝网印刷
太阳能电池
背钝化
MWT背接触晶体硅光伏技术概述
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-04 09:55:17
引到背面,这样电池的正负电极点都分布在电池片的背面,有效减少了正面栅线的遮光,提高了转化效率,同时降低了银浆的耗量和金属电极-发射极界面的少子复合损失。 图1
P
型
硅MWT电池结构示意图
线的电阻损耗,每根主栅线上都需要10~20个孔洞,总的激光打孔数量在30~60个,过多的孔洞数量会增加打孔的时间,同时可能会对
硅片
产生损伤。图2(b)是荷兰ECN提出的新型布局,每片
硅片
采用44共16
晶硅太阳能电池
导电背板
丝网印刷中太阳能电池的背钝化技术
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-03 23:59:59
d2里)在铝层中是显而易见的,但不代表BSF的形成,因为它们比LCD(d2d1)要宽,理解这种现象可以促进现在研究的发展。抛光的Czochralski
P
型
硅片
,电阻率为1.50.5cm,覆盖着用加强
光伏要闻
光伏技术路线讨论——为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-09 09:25:36
大规模应用于国内外市场。一个新的改进是,已能向国内外市场提供高效
P
型
硅基聚光电池,以及提供直到4倍聚光漏斗,转盘式跟踪系统的全套生产线,现正在设法推进全套生产线的产业化。 遗憾的是,这一聚光+跟踪
发电技术,对散射光无增益,而且,这一高效
p
型
聚光电池,虽然其每瓦售价要比n型聚光电池低出很多,其转化率,仍比n型聚光电池低16%,而且也有微弱的光致衰减效应!在紫外线比较丰富的地区,在技术上仍需要依存
薄膜电池
聚光
光伏科技
【光伏技路线术讨论】为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-08 23:59:59
,已能大规模应用于国内外市场。一个新的改进是,已能向国内外市场提供高效
P
型
硅基聚光电池,以及提供直到4倍聚光漏斗,转盘式跟踪系统的全套生产线,现正在设法推进全套生产线的产业化。遗憾的是,这一聚光+跟踪
发电技术,对散射光无增益,而且,这一高效
p
型
聚光电池,虽然其每瓦售价要比n型聚光电池低出很多,其转化率,仍比n型聚光电池低16%,而且也有微弱的光致衰减效应!在紫外线比较丰富的地区,在技术上仍需要依存于
光伏要闻
高效硅基异质结太阳能电池量产的关键因素
来源:索比光伏
发布时间:2015-02-25 11:10:48
(PECVD)沉积多层非晶硅层以钝化
硅片
的表面,这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。使用精曜科技的PECVD设备在160um厚的绒面常规n型CZ
硅片
表面沉积5nm厚的非晶硅钝化层,我们得到了非常低的
异质结
太阳能电池
光伏科技
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