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很强的市场竞争力。然而，Te、In资源非常稀缺，在电池发电量达到兆瓦级时会出现原材料瓶颈。同时Cd是剧毒元素，增加了生产及使用维护的难度。因此，寻找绿色无毒、储量丰富、光电性能优异的新型薄膜太阳能
的饱和蒸气压曲线;(b)快速升华法薄膜制备过程示意图;(c)GeSe薄膜太阳能电池器件示意图;(d)GeSe薄膜太阳能电池J-V测试曲线。 FR：中国科学院

)将其干燥。基于Cd-Te的薄膜用超声喷雾热解系统淀积在康宁玻璃衬底上，工艺参数如下：(a)喷雾喷嘴-衬底的距离=12cm，(b)喷雾溶液浓度=0.02M，(c)载运氮气流速=15lpm，(d)衬底温度
。业已了解，高效率太阳能电池拥有富-Te CdTe表面及平滑的p-CdTe/n-CdS界面。化学喷雾热解可能是最适合此目的的技术之一。此技术的一个巨大优点是，薄膜的性质能很容易通过变化淀积条件而改变

(a)所示。对于0.5m厚CdTe太阳能电池来说，见图1(b)和(d)，CdTe晶粒尺寸几乎减少一个数量级，为0.2～0.7m。太阳能电池效率是4.7%。如以后要讨论的，效率的降低是因为晶粒比较小的CdTe
0.01倍。这里报道的实验结果和理论计算二者均证明，1m厚的CdTe吸收层的厚度足以制造相当高效的CdTe太阳能电池。0.5m厚的CdTe太阳能电池电流减少仅部分归因于吸收减少。如图2(b)。对于波长

晶片系统（8英寸），系统的示意图可见图1。等离子室有过模圆柱形微波腔、一端开口。2.45GHz微波通过工作在TE11模式的圆柱波导引入腔内。腔室用大型电磁铁围绕，产生静态的发散轴向磁场，如图1所示。晶片
支架位于距等离子室孔25cm处。用涡轮分子泵把等离子室抽到高真空，残余气体压强接近310-6Torr。本研究中只报导生长p+薄膜，用的掺杂气体是硼（B），在氢气中体积浓度为0.5%。工艺气体经ECR区

：Si、Ⅱ-Ⅵ族化合物CdX（X=S、Se、Te）、Ⅲ-Ⅴ族化合物（GaAs、InP）、二硫族层状化合物（MoS2、FeS2）、三元化合物（CuInSe2、CuInS2、AgInSe2）及氧化物半导体
。Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体CdX（X=S、Se、Te）是光电化学研究较为普遍的光电极材料，其主要优点是可用多种方法如粉末压片法、涂敷法、真空沉积、化学气相沉积、电沉积、化学溶液沉积以及喷涂热解法等制备